BSM75GB60DLCHOSA1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 600 V Tc= 75°C IC,nom. 75 A Tc= 25°C IC 100 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP= 1ms, Tc= 75°C ICRM 150 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C, Transistor Ptot 355 W VGES +/- 20V V IF 75 A IFRM 150 A I2t 450 A2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP= 1ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 1,95 2,45 V - 2,20 - V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25°C IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125°C VCE sat Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 3,3 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,3 - nF - 1 500 µA - 1 - mA - - 400 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26 approved by: Michael Hornkamp revision: 1 1 (8) ICES IGES BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 63 - ns - 65 - ns - 22 - ns - 25 - ns - 155 - ns - 170 - ns - 20 - ns - 35 - ns Eon - 0,7 - mJ Eoff - 2,4 - mJ ISC - 340 - A LσCE - 40 - nH RCC'+EE' - 1,2 - mΩ min. typ. max. - 1,25 1,6 V - 1,20 - V - 95 - A - 115 - A - 5,1 - µC - 7,9 - µC - - - mJ - 2,3 - mJ Transistor / Transistor IC= 75A, VCC= 300V Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 25°C td,on VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C IC= 75A, VCC= 300V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 25°C tr VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C IC= 75A, VCC= 300V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 25°C td,off VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C IC= 75A, VCC= 300V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 25°C tf VGE= ±15V, RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 30nH IC= 75A, VCC= 300V, VGE= 15V RG= 3,0Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 30nH tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt Modulinduktivität stray inductance module Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 25°C IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 125°C VF IF= 75A, -diF/dt= 3000A/µsec Rückstromspitze peak reverse recovery current VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 75A, -diF/dt= 3000A/µsec Sperrverzögerungsladung recoverred charge VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C IF= 75A, -diF/dt= 3000A/µsec Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C 2 (8) Erec BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,35 K/W - - 0,66 K/W Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC Diode / diode, DC RthJC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K RthCK - 0,03 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage insulation 15 mm Luftstrecke clearance 8,5 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung mounting torque Schraube M6 screw M6 5 M1 -15 Gewicht weight G Nm +15 % 180 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) VGE= 15V 150 125 Tvj = 25°C Tvj = 125°C IC [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) I C= f (VCE) Tvj= 125°C 150 125 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V 100 VGE = 12V IC [A] VGE = 15V VGE = 20V 75 50 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] 4 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) I C= f (VGE) VCE= 20V 150 Tvj = 25°C 125 Tvj = 125°C IC [A] 100 75 50 25 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) I F= f (VF) 150 Tvj = 25°C 125 Tvj = 125°C IF [A] 100 75 50 25 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 VF [V] 5 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC) RG,on= 3,0Ω, Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C Ω, =RG,off = 3,0Ω 5,0 4,5 Eon Eoff 4,0 Erec E [mJ] 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 0 25 50 75 100 125 150 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG) IC= 75A , VCC= 300V , Tvj = 125°C 5,0 4,5 Eon Eoff 4,0 Erec E [mJ] 3,5 3,0 2,5 2,0 1,5 1,0 0,5 0,0 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω Ω] 6 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thJC = f (t) 1 ZthJC [K / W] 0,1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,01 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 t [sec] i ri [K/kW] τi [sec] ri [K/kW] τi [sec] : IGBT 1 14,8 2 183,4 3 123,4 4 28,4 : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626 : Diode 232,6 223,1 140,1 64,2 : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, R G,off = 3,0Ω, Ω, Tvj= 125°C 175 150 125 IC [A] 100 75 IC,Modul IC,Chip 50 25 0 0 100 200 300 400 500 600 700 VCE [V] 7 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GB 60 DLC Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 13 M5 10 6 1 17 7 3 23 23 6 6 2 2,8 x 0,5 80 94 17 5 4 6 7 1 3 5 2 4 8 (8) BSM 75 GB 60 DLC 2000-02-08 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. 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