物料型号:BSR202N
器件简介:N通道增强型超逻辑电平(2.5V额定)小信号晶体管。
引脚分配:漏极(Drain)在引脚3,栅极(Gate)在引脚1,源极(Source)在引脚2。
参数特性:
- 连续漏极电流(Io):3.8A(25°C时),3.1A(70°C时)
- 脉冲漏极电流(ID,pulse):15.2A(25°C时)
- 雪崩能量(EAS):30mJ
- 反向二极管dv/dt:6kV/s
- 栅源电压(VGs):±12V
- 总功耗(Ptot):0.5W
- 工作和存储温度(Tj,Tstg):-55°C至150°C
- ESD等级:0(0V至250V)
- 焊接温度:260°C
功能详解:该器件具有雪崩额定值,与SOT23兼容的封装,dv/dt额定值,无铅铅镀层,符合RoHS标准,并通过AEC Q101认证。
应用信息:文档未明确列出应用信息,但基于其特性,该晶体管适用于需要小信号放大和高逻辑电平兼容性的应用。
封装信息:PG-SC-59封装,胶带和卷轴信息为L6327=3000 pcs./卷,标记为LAs,无干燥剂,并且是无铅的。