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BSS87H6327FTSA1

BSS87H6327FTSA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    SOT89-3

  • 描述:

    MOS管 N-Channel Id=0.26 VDS=240 P-SOT89-4-2

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BSS87H6327FTSA1 数据手册
Rev. 2.0 BSS87 SIPMOS Ò Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS · N-Channel 240 V 6 W 0.26 A RDS(on) · Enhancement mode, Logic Level ID · dv/dt rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to AEC Q101 1 2 • Halogen­free according to IE C 61249­2­21 3 2 VPS05558 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking BSS87 P-SOT89-4-2 Yes H6327: 1000 pcs/reel KA Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Continuous drain current Value Unit A ID TA=25°C 0.26 TA=70°C 0.21 Pulsed drain current ID puls 1.04 dv/dt 6 VGS ±20 TA=25°C Reverse diode dv/dt kV/µs IS=0.26A, V DS=192V, di/dt=200A/µs, Tjmax=150°C Gate source voltage ESD class (JESD22-A114-HBM) V 1A (>250V,
BSS87H6327FTSA1
物料型号:BSS87

器件简介: - N-Channel增强型逻辑电平dv/dt额定 - 无铅引脚镀层,符合RoHS标准 - 根据AEC Q101认证 - 符合IEC61249-2-21的无卤素标准

引脚分配: - 漏极(Drain):引脚2 - 栅极(Gate):引脚1 - 源极(Source):引脚3

参数特性: - 漏源电压(VDs):240V - 连续漏源电流(ID):0.26A(25°C时) - 脉冲漏源电流(ID puls):1.04A(70°C时) - 栅源电压(VGs):±20V - ESD等级:1A(>250V, <500V)

功能详解: - 热特性:包括结到外壳的热阻(RthJC)和最小6平方厘米的PCB上的热阻(RthJA) - 电气特性:包括静态特性和动态特性,如阈值电压、漏源导通电阻、输入电容、输出电容等

应用信息: - 操作和存储温度范围:-55°C至+150°C - IEC气候类别:55/150/56

封装信息: - 封装类型:P-SOT89-4-2 - 无铅:是 - 胶带和卷轴信息:H6327:每卷1000件 - 标记:KA
BSS87H6327FTSA1 价格&库存

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BSS87H6327FTSA1
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