BSZ0909LSATMA1

物料型号：BSZ0909LS 器件简介：BSZ0909LS 是英飞凌公司生产的 N 沟道 MOSFET，采用 TSDSON-8 FL 封装，优化用于充电器和适配器（例如 USB-PD、无线充电）。

引脚分配：1-S2, 2-S1, 3-S3, 4-G, 5-D, 6-S4, 7-D2, 8-BB 参数特性：漏源电压 VDs 为 30V，最大漏源导通电阻 RDS(on) 在 VGs=10V 时为 3.0mΩ，在 VGs=4.5V 时为 3.5mΩ，最大漏极电流 ID 为 40A。

功能详解：该器件具有极低的导通电阻和优越的热阻，符合 RoHS 标准，无铅引脚镀层，无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准。

应用信息：适用于充电器和适配器，如 USB-PD 和无线充电。

封装信息：TSDSON-8 FL，带有增大的源极互连，以提高热性能和功率处理能力。

以上信息摘自英飞凌 BSZ0909LS 数据手册。