物料型号：
- BSZ150N10LS3 G
- 封装类型：PG-TSDSON-8
- 标记：150N10L
器件简介：
- OptiMOSTM3 Power-Transistor
- 100 V N-channel MOSFET
- 适用于高频开关应用
- 优化技术用于DC/DC转换器
- 出色的栅极电荷x Ron(on)产品（FOM）
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS
引脚分配：
- 引脚1-3：源极（Source）
- 引脚4：栅极（Gate）
- 引脚5-8：漏极（Drain）
参数特性：
- 漏源电压（Vos）：100V
- 漏极导通电阻（RoS(on).max）：15mΩ
- 栅极阈值电压（VGs()）：1.1V典型值，2.1V最大值
- 栅极漏极漏电流（IGss）：10nA典型值，100nA最大值
功能详解：
- 具有高频率开关特性
- 优化的DC/DC转换器技术
- 符合JEDEC标准的资格认证
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
应用信息：
- 适用于DC/DC转换器等高频开关应用
封装信息：
- 封装类型：PG-TSDSON-8
- 封装尺寸：A=0.90-1.10mm，B=0.24-0.44mm等
