Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BYM 200 B 170 DN2
vorläufige Daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Sperrspannung der Diode Diode rerverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Tvj = 25°C VCES 1700 V
TC = 80 °C
IF
200
A
tp = 1 ms
IFRM
400
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
I2t
14,5
k A 2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4,0
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 200A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 200A, V GE = 0V, Tvj = 125°C IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 200A, - diF/dt = 3000A/µs VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Erec 10 20 mWs mWs Qr 22 50 µAs µAs IRM 130 190 A A VF
min.
-
typ.
2,2 2,0
max.
2,6 V V
prepared by: Alfons Wiesenthal approved by: Christoph Lübke
date of publication: 2002-11-25 revision: 2.2
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BYM 200 B 170 DN2
vorläufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Diode/Diode, DC pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthJC -
typ.
-
max.
0,150 K/W
RthCK
-
0,012
-
K/W
Tvj max
-
-
150
°C
Tvj op
-40
-
125
°C
Tstg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight Schraube / screw M6 M 3 Al2O3
20
mm
11
mm
425
-
6
Nm
Anschlüsse / terminals M6
M
2
-
5
Nm
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
BYM 200 B 170 DN2
vorläufige Daten preliminary data
Ü
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
400 350
Tvj = 25°C
FI =
f (VF)
300 250
Tvj = 125°C
IF [A]
200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF [V]
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Technische Information / Technical Information
BYM 200 B 170 DN2
vorläufige Daten preliminary data
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