Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
Tvj = -40°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
1200
1400
1600 V
1800 V
IFRMSM
2590 A
TC = 130 °C
IFAVM
1050 A
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
2000 A
IFRMS
3140 A
24000 A
18500 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max , iF = 5,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 1,0 kA
Tvj = Tvj max
vF
V(TO)
1,76 V
1,00 V
0,81 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,17 mΩ
Durchlaßkennlinie
500 A ≤ iF ≤ 5000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
2880 10³A²s
1710 10³A²s
max.
max.
A=
B=
C=
D=
iF
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
-6,685E-01
2,114E-04
2,752E-01
-1,385E-02
max.
60 mA
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
180 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+180 °C
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approved by: M.Leifeld
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2009-06-16
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
10...24 kN
typ.
280 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
IFBIP D AEC / 2009-02-27 / H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000008
0,000782
0,00342
0,00369
0,0131
0,014
-
τn [s]
0,000020
0,000583
0,00336
0,04580
0,1730
0,999
-
Rthn [°C/W]
0,000008
0,000772
0,00339
0,0028
0,01713
0,0369
-
τn [s]
0,000020
0,000581
0,00333
0,0381
0,18200
5,8300
-
Rthn [°C/W]
0,000008
0,000522
0,00305
0,00184
0,0169
0,00538
0,0543
τn [s]
0,000020
0,000479
0,00254
0,01630
0,1460
6,65000
6,8200
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,10
c
Z
thJC [°C/W]
0,08
0,06
a
0,04
b
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00473
0,00817
0,01087
0,01493
0,02245
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00272
0,00423
0,00629
0,00972
0,01714
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
6.000
Durchlasskennlinie
5.000
T vj = Tvj max
iF [A]
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,6
0,8
1
1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
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Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
3500
a
Durchlassverluste
3000
2500
c
2000
d
e
PFAV [W]
b
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
1500
1000
500
0
0
500
1000
1500
IFAV [A]
2000
2500
3000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
[°C]
80
T
100
C
120
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
60
40
20
f
e
c
d
a
b
0
0
500
1000
I
1500
FAV [A]
2000
2500
3000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
10000
iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
Qr [µAs]
Qr Diagramm
1000
100
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
20
18
16
IF (OV)M [kA]
14
12
10
0-50V
8
0,33 VRRM
6
0,67 VRRM
4
2
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1050N
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