Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C ... tvj max
VRRM
3500, 4000 V
4500
Stoßspitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
tvj = +25°C ... tvj max
VRSM
3600, 4100 V
4600
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
IFRMSM
2700 A
1460 A
1720 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 70°C, f = 50Hz
IFAVM
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
tvj = tvj max, tp = 10ms
IFSM
Grenzlastintegral
2
I t-value
tvj = tvj max, tp = 10ms
It
Period. Abklingsteilheit des Durchlaßstroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
iFM = 3000A, vR = 0,67 VRRM
CS = 3µF, RS = 4Ω
(-diF/dt)com
32 kA
2
6
5,12-10
2
As
500 A/µs
DS = D291S45T
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ < 100
Durchlaßspannung
forward voltage
VR(D)
typ.
tvj = tvj max, iF = 2500A
vF
max
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
V(TO)
1,43 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
tvj = tvj max
rT
0,38 mΩ
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
tvj = tvj max, diF/dt = 500A/µs
VFRM
Sperrstrom
reverse current
tvj = tvj max, vR = VRRM
iR
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
tvj = tvj max
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω
IRM
max
840 A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = tvj max
iFM = 1000A, -diF/dt = 250A/µs
vR = 1000V, CS = 3,3µF, RS = 5Ω
Qr
max
2800 µAs
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2000 V
estimate value
2,5 V
typ. 45 V
200 mA
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK
max
max
max
0,0125 °C/W
0,0228 °C/W
0,0277 °C/W
max
max
0,003 °C/W
0,006 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Anpreßkraft
clampig force
F
Gewicht
weight
G
27...45 kN
typ
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
C
2
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Outline Drawing
∅ 100 max
26+-0.5
A
C
∅ 62,8
2 center holes
∅ 3.5 ×1.8
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
On-State Characteristics ( v F )
Upper limit of scatter range
t vj = 140 °C
3500
typ.
max.
3000
2500
IF / [ A ]
2000
1500
1000
500
0
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
VF / [V]
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Transient thermal Impedance for constant-current
1
2
3
4
5
Σ
Double side
cooled
r [K/W]
[s]
0,0038
2
0,004
0,202
0,0029
0,103
0,0012
0,0115
0,0006
0,00245
0,0125
-
Anode side
cooled
r [K/W]
[s]
0,0141
9,2
0,004
0,202
0,0029
0,103
0,0012
0,0115
0,0006
0,00245
0,0228
-
Cathode side
cooled
r [K/W]
[s]
0,019
7,9
0,004
0,202
0,0029
0,13
0,0012
0,0115
0,0006
0,00245
0,0277
-
0,05
Z thJC = ∑ n =1 Rthn ⋅(1 − e − t /τ n )
nmax
0,045
0,04
Cathode side
0,03
Anode side 0,025
0,02
Double side
Z (th) JC / [K/W]
0,035
0,015
0,01
0,005
0,001
0,01
0,1
1
10
0
100
t / [sec.]
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp )
I²t value
i2 dt = f ( tp )
1,E+07
1,E+04
1,E+06
1,E+03
1,E+05
100
_____
I FSM / [A]
1,E+05
i²dt / [A²s]
Sine half-wave, t vj =140 °C , v R = 0
0,1
1
10
Time / [ms]
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Reverse Recovery Current IRM = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range
Conditions
:
tvj = 140 °C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
VR >= 1000 V
Parameter: IFM
1400
3000A
1000A
1200
500A
300A
800
100A
IRM / [A]
1000
600
400
200
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Reverse Recovery Charge Qrr = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range
tvj = 140 °C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
VR >= 1000 V
Conditions:
Parameter: IFM
4500
3000A
4000
1000A
3500
500A
3000
QRR / [µAs]
300A
2500
2000
1500
100A
1000
500
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt )
Standard value for diodes with VT(T0) = 1,43 V, rT = 0,38 mΩ
tvj = 140 °C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
Conditions:
Parameter: IFM
VR = 2000 V - - - VR = 3000 V ____
3
2,5
3000A
1000A
W OFF / [WS]
2
500A
1,5
300A
1
100A
0,5
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Reverse Recovery Energy Eoff = f ( - di/dt )
Standard value for diodes with VT(T0) = 1,12 V, rT = 0,39 mΩ
tvj = 140 °C
Cs = 3 µF, Ds = D291S45T
Conditions:
Parameter: IFM
VR = 2000 V - - - VR = 3000 V ____
3
3000A
1000A
2,5
500A
W OFF / [Ws]
2
300A
1,5
1
100A
0,5
0
0
100
200
300
400
500
600
di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1461 S 35 ... 45 T
S
Typical Peak Forward Recovery Voltage VFRM = f (diF/dt)
linear di/dt
Parameter tvj
60
140°C
50
VFRM / [V]
40
30
25°C
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
di/dt / [A/µs]
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