N
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D 3501N
Tvj = - 40°C... Tvj max VRRM
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung Kenndaten repetiti ve peak reverse voltages Periodische Rüc kwärts-Spitzensperrspannung repetiti ve peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert maxi mum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state c urrent Stoßstrom-Grenz wert surge current Grenzlastintegral I²t-value
ElektrischeT Eigenschaften = 0°C... T
vj vj max
3200 4000 3300 4100
3600 V 4200 V 3700 V 4300 V 8200 A 3690 A 5220 A 63000 A 56000 A 19850 10³ A²s 15680 10³ A²s
VRRM IFRMSM
TC = 100 °C TC = 60 °C Tvj = 25 °C, t P = 1 0 ms Tvj = Tvj max , tP = 10 ms Tvj = 25 °C, t P = 1 0 ms Tvj = Tvj max , tP = 10 ms
IFAVM IFSM I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleus ens pannung threshold voltage Ersatzwi derstand slope resistanc e Durchlaßkennlinie on-state c haracteristic
v = A+ B ⋅i
Tvj = Tvj max , iF = 4000 A Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
vF V(TO) rT typ. A B C D A B C D
typ. max. typ. max. typ. max.
1,2 V 1,27 V 0,700 V 0,734 V 0,125 mΩ 0,134 mΩ
1500A ≤ iF ≤ 4000A
Tvj = Tvj max
F
T
+ C ⋅ Ln ( i
T
+ 1) + D ⋅
iT
max.
Rückwärts-Sperrstrom reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
0,5994 2,898E-5 - 0,02377 0,01088 0,5978 3,158E-5 - 0,01954 0,01114 max. 100 mA
prepar ed by: C. Schneider approved by: J. Przybilla
date of publication: revision:
2005-04-15 5
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= 4,7µF, R = 8,2Ω T hermischeCEigenschaften i = 1000A, -di /dt = 10 A/µs Mechanische = 1000V, T = T V Eigenschaften
TM R T vj vj max
Elektrisch e Eig enschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Sperr verzögerungsladung recovered charge Rückstr oms pitze peak reverse r ecover y c urrent
VR = 1000V, Tvj = Tvj max
Qr max. IRM max. Qr typ. IRM typ. 155 A 5,1 mAs 200 A 7,2 mAs
C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs VR = 100V, Tvj = Tvj max C = 4,7µF, R = 8,2Ω iTM = 1000A, -diT/dt = 10 A/µs
Sperr verzögerungsladung recovered charge Rückstr oms pitze peak reverse r ecover y c urrent
Thermische Eigenschaften / Th ermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junc tion to c ase
Kühlfläc he / cooling surfac e beids eitig / two-sided, θ = 1 80°sin beids eitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / c athode, DC Kühlfläc he / cooling surfac e beids eitig / two-sided einseitig / single-sided
RthJC
max. max. max. max.
0,0092 0,0085 0,0149 0,0198
°C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewi derstand thermal resistance, cas e to heatsi nk Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur maxi mum junction temperature Betriebs temperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCH
max. max.
Tvj max Tc op Tstg
0,0025 °C/W 0,005 °C/W 160 °C
- 40...+160 °C - 40...+160 °C
M echanische Eigen schaften / Mech anical properties Gehäuse, siehe Anlage case, s ee annex Si-Element mit Druc kkontakt Si-pellet with press ure contac t Anpress kraft clampi ng force Gewic ht weight Kriechstrec ke creepage distance Schwingfestigkeit vibration r esistanc e f = 50 Hz F G typ.
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1700 g 40 mm 50 m/s²
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M aßbild
1: Anode/Anode
1 2
2: Kathode/Cathode
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R ,t – Werte R R,T-Werte b eidseitig two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC P os. n Rthn [°C/W] 1
0,0032 1,472 0,00928 7,8 0,01433 7,7
2
0,00278 0,186 0,00025 0,663 0,00013 1,205
3
0,00158 0,049 0,00371 0,149 0,00324 0,18
4
0,00076 0,0075 0,00101 0,0244 0,00136 0,035
5
0,00018 0,0025 0,00065 0,00484 0,00074 0,0055
6
7
τn [s]
Rthn [°C/W]
a nodenseitg anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig cathode-sided
τn [s]
A nalytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
n max n=1
Σ
R thn 1 − e
-t
τn
0,0 2
k
0,0 18 0,0 16 0,0 14 0,0 12 0,0 1 0,0 08 0,0 06 0,0 04 0,0 02 0 Z ( th ) J C / [K /W
a
d
0 ,00 1
0,0 1
0 ,1 t / [ s ec .]
1
10
10 0
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
thJC
= f(t) for DC
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Diagramme Diagramme
Durchlasskennlinie
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF ) Tvj = Tvj max
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T c beidseitig
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 4,7µF, R = 8,2Ω
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T a bei Sinus
R ückstromspitze / Peak reverse recovery current I RM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, C = 4,7µF, R = 8,2Ω
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