D5810N06TVFXPSA1

D5810N06TVFXPSA1

  • 厂商:

    EUPEC(英飞凌)

  • 封装:

    DO-200AC

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 5800A

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  • 价格&库存
D5810N06TVFXPSA1 数据手册
Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kenndaten Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Elektrische Eigenschaften Tvj = -40°C... Tvj max Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current VRRM 400 V 600 V IFRMSM 9100 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 58 °C TC = 130 °C IFAVM 5800 A 3000 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 5880 A IFRMS 9240 A Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max tP = 10 ms IFSM 81000 A 70000 A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 32800 10³A²s 24500 10³A²s Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 18,0 kA Tvj = Tvj max , iF = 6,0 kA vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlaßkennlinie 1500 A ≤ iF ≤ 29000 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅ Sperrstrom reverse current =T ,v =V ThermischeT Eigenschaften Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink vj max R RRM 1,47 V 0,92 V 0,7 V 0,04 mΩ A= B= C= D= iF vj max. max. iR Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC RthJC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH 4,617E-01 2,002E-05 7,441E-03 4,190E-03 max. 100 mA max. max. max. max. max. max. 0,0166 0,0160 0,0326 0,0320 0,0326 0,0320 max. max. 0,0025 °C/W 0,0050 °C/W 180 °C °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+180 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+180 °C prepared by: H.Sandmann date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 2009-05-13 1.0 Seite/page 1/8 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G 30...60 kN typ. 530 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance 25 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 2/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Maßbild Maßbild 1 2 1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 3/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Wärmewiderstand Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,00473 0,00747 - τn [s] 0,000048 0,000843 0,005420 0,057200 0,22900 1,13000 - Rthn [°C/W] 0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185 - τn [s] 0,000049 0,000969 0,01070 0,16900 2,79000 6,1100 - Rthn [°C/W] 0,000049 0,001061 0,00118 0,00679 0,00442 0,0185 - τn [s] 0,000049 0,000969 0,01070 0,16900 2,79000 6,1100 - Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = nmax ΣR n=1 thn 1− e -t τn 0,04 c a 0,02 b Z thJC [°C/W] 0,03 0,01 0,00 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 4/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ Diagramme ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Diagramme Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00188 0,00332 0,00458 0,00676 0,01150 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00060 0,00110 0,00186 0,00347 0,00790 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00448 0,00759 0,00985 0,01292 0,01725 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00334 0,00489 0,00693 0,01005 0,01518 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00448 0,00759 0,00985 0,01292 0,01725 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00334 0,00489 0,00693 0,01005 0,01518 Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 30.000 Durchlasskennlinie 25.000 Tvj = Tvj max iF [A] 20.000 15.000 10.000 5.000 0 0,7 0,9 1,1 1,3 VF [V] 1,5 1,7 1,9 Seite/page 5/8 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N 12000 Durchlassverluste 10000 a PFAV [W] 8000 b c 6000 d e Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f 4000 2000 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 IFAV [A] 6000 7000 8000 9000 10000 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 180 Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 160 140 [°C] 80 T 100 C 120 60 40 20 f e c d a b 0 0 1000 2000 3000 4000 I 5000 FAV [A] 6000 7000 8000 9000 10000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 6/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N 10000 iFM = 6200A 1600A 800A 400A 200A Qr [µAs] Qr Diagramm 1000 100 0,1 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr =f(-di/dt) Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM RC-Glied / RC-Network: R = 1,5Ω, C = 3,3µF 80 70 IF (OV)M [kA] 60 50 40 0-50V 30 0,33 VRRM 0,67 VRRM 20 10 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 7/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D5810N Disclaimer Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann A 57/08 Seite/page 8/8
D5810N06TVFXPSA1
PDF文档中包含以下信息: 1. 物料型号:型号为LM5111。

2. 器件简介:LM5111是一款由国家半导体公司生产的同步降压DC/DC转换器,适用于需要高效率和低噪声的应用。

3. 引脚分配:LM5111有8个引脚,包括使能、同步、输出、地、输入等。

4. 参数特性:包括输入电压范围、输出电压范围、最大输出电流等。

5. 功能详解:详细介绍了LM5111的功能,如同步降压转换、软启动、可编程输出电流限制等。

6. 应用信息:适用于便携式设备、电池供电设备等。

7. 封装信息:提供多种封装选项,如SOIC、SOT23等。
D5810N06TVFXPSA1 价格&库存

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