Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische
Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
VRRM
IFRMSM
TC = 100 °C
IFAVM
650 A
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
860 A
IFRMS
1360 A
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
V
V
V
A
400
600
800
721
Tvj = -40°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
6300 A
5100 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
198,5 10³A²s
130 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 1350 A
Tvj = Tvj max , iF = 450 A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
100 A ≤ iF ≤ 3000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
iF
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
1,44 V
0,95 V
0,7 V
0,51 mΩ
A=
B=
C=
D=
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
max.
max.
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
5,400E-01
1,988E-04
-1,660E-02
2,007E-02
max.
20 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,081
0,074
0,132
0,125
0,203
0,196
max.
max.
0,015 °C/W
0,030 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
180 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+180 °C
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revision:
A 08/10
2010-01-19
3.1
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
2,6...4,6 kN
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
75 g
10 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000140
0,00279
0,00947
0,0245
0,0371
-
-
τn [s]
0,000133
0,00156
0,01010
0,0726
0,2950
-
-
Rthn [°C/W]
0,000140
0,00279
0,00947
0,0245
0,0231
0,065
-
τn [s]
0,000133
0,00156
0,01010
0,0756
0,2250
2,130
-
Rthn [°C/W]
0,000140
0,00279
0,00947
0,0245
0,0231
0,136
-
τn [s]
0,000133
0,00156
0,01010
0,0756
0,3250
3,130
-
ZthJC =
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,25
c
Z
thJC
[°C/W]
0,20
a
0,15
0,10
b
0,05
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00957
0,01531
0,01956
0,02570
0,03570
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00696
0,00965
0,01316
0,01890
0,02956
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00448
0,00759
0,00985
0,01292
0,01725
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00334
0,00489
0,00693
0,01005
0,01518
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
3.000
Durchlasskennlinie
iF [A]
2.000
1.000
T vj = T vj max
0
0,6
0,8
1
1,2
1,4
VF [V]
1,6
1,8
2
2,2
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
900
Durchlassverluste
800
a
700
600
PFAV [W]
c
500
e
b
d
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
400
300
200
100
0
0
100
200
300
400
IFAV [A]
500
600
700
800
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
160
140
[°C]
80
T
100
C
120
60
40
20
f
e
c
d
a
b
0
0
100
200
300
I
400
FAV [A]
500
600
700
800
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
iFM =
80 0A
40 0A
20 0A
10 0A
50A
25A
1000
Q r [µAs]
Qr Diagramm
100
10
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF
6
5
IF (OV)M [kA]
4
3
0-50V
0,33 VRRM
2
0,67 VRRM
1
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D650N
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- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
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- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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