D850N30TXPSA1

Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages VRRM Tvj = -25°C... Tvj max Elektrische Eigenschaften Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert 2800 3200 3600 V 4000 V IFRMSM 1790 A 1) maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100 °C IFAVM 850 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms IFAVM 1210 A IFRMS 1900 A 15400 A 12800 A Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj =25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max tP = 10 ms IFSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 3,5 kA Tvj = Tvj max , iF = 850 A vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Durchlaßkennlinie 200 A ≤ iF ≤ 4000 A on-state characteristic Tvj = Tvj max v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅ Sperrstrom reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink vj vj max R RRM Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH Tvj max date of publication: revision: approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann iR RthJC Lagertemperatur storage temperature 1) 4000V auf Anfrage / 4000V on request A 49/08 2,62 V 1,28 V 0,84 V 0,485 mΩ Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature prepared by: H.Sandmann max. max. A= B= C= D= iF =T ,v =V ThermischeT Eigenschaften 1186 10³A²s 819 10³A²s 1,127E-01 5,455E-04 1,541E-01 -1,097E-02 max. 50 mA max. max. max. max. max. max. 0,038 0,035 0,064 0,061 0,085 0,082 max. max. 0,005 °C/W 0,010 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W 160 °C Tc op -40...+160 °C Tstg -40...+160 °C 2008-09-15 3.0 Seite/page 1/8 N Datenblatt / Data sheet Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance 10...24 kN typ. 285 g 25 mm f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 2/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Maßbild Maßbild 1 2 1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 3/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Wärmewiderstand Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,00123 0,00397 0,0041 0,0153 0,0104 - - τn [s] 0,00152 0,00932 0,0708 0,2510 1,7900 - - Rthn [°C/W] 0,00134 0,00466 0,0174 0,0376 - - - τn [s] 0,00159 0,01130 0,1770 6,2500 - - - Rthn [°C/W] 0,00133 0,00457 0,0165 0,0596 - - - τn [s] 0,00159 0,01110 0,1690 7,3100 - - - Analytische Funktion / Analytical function: ZthJC = nmax ΣR n=1 thn 1− e -t τn Z thJC [°C/W] 0,10 0,08 c 0,06 a 0,04 b 0,02 0,00 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 4/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ Diagramme ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Diagramme Kühlung / Cooling beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00380 0,00617 0,00795 0,01053 0,01464 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00272 0,00384 0,00534 0,00783 0,01249 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00378 0,00614 0,00795 0,01055 0,01467 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00271 0,00382 0,00533 0,00783 0,01253 ∆Zth Θ rec [°C/W] 0,00378 0,00611 0,00793 0,01052 0,01462 ∆Zth Θ sin [°C/W] 0,00271 0,00381 0,00532 0,00781 0,01250 Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin 4.500 Durchlasskennlinie 4.000 T vj = Tvj max 3.500 iF [A] 3.000 2.500 2.000 1.500 1.000 500 0 0,8 1,3 1,8 V F [V] 2,3 2,8 Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 5/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N 3500 Durchlassverluste 3000 b c 2500 a d e f PFAV [W] 2000 Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 1500 1000 500 0 0 200 400 600 800 1000 IFAV [A] 1200 1400 1600 1800 2000 Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Tc beidseitig 180 Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) 160 140 T C [°C] 120 100 80 60 40 f e c d a b 20 0 200 400 600 800 1000 I FAV [A] 1200 1400 1600 1800 2000 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 6/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N iFM = 1600A 800A 400A 200A 100A 50A 10000 Qr [µAs] Qr Diagramm 1000 100 0,1 1 10 -di/dt [A/µs] 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr =f(-di/dt) Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF 14 12 IF(OV)M [kA] 10 8 0-50V 6 0,33 VRRM 0,67 VRRM 4 2 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 7/8 Datenblatt / Data sheet N Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode D850N Disclaimer Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann A 49/08 Seite/page 8/8