Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
Key Parameters
enndaten
VRRM
4500 V
IFAVM
890 A (TC=85 °C)
IFSM
VT0
17000 A
3570A (TC=55°C)
2,02 V
rT
1,592 mΩ
RthJC
10 K/kW
Clamping Force
27 … 45 kN
Max. Diameter
100 mm
Contact Diameter
62,8 mm
Height
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
High surge current capability
High case non-rupture current
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungsumrichter
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
Date of Publication: 2015-01-04
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
Medium voltage converters
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed power applications
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
Revision: 10.1
1
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Elektrische Eigenschaften
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... Tvj max
VRRM
4500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tc = 85°C
IFRMSM
1400 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 70°C, f=50Hz
TC = 55°C, f=50Hz
IFAVM
890 A
1040 A
1160 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VCL = 2800V
clamp circuit LS ≤ 0,25µH
RCL = 68, CCL = 3µF
DCL = 34DSH65
PRQ
failure rate < 100
VR(D)
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A iF 3000A
v F A B i F C Ln ( i F 1) D
17000 A
1445 10³ A²s
4 MW
estimate
value
2800 V
vF
typ.
max.
5,8 V
6,0 V
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
1,88 V
2,02 V
Tvj = Tvj max
rT
typ. 1,568 mΩ
max. 1,592 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
iF
max.
A
1,334
B
0,000167
C
-0,314
D
0,1302
A
1,39
B
0,000191
C
-0,303
D
0,1308
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
iR
max.
100 mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvjmax
Qr
max.
2,8 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
-di/dt = 1000A/µs
IRM
max.
clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
RCL = 68Ω, CCL = 3µF,
WRQ
max.
FRRS
typ.
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
Date of Publication: 2015-01-04
350 V
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
1200 A
5 Ws
DCL = 34DSH65,
Tvj = Tvjmax
2,5
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt(i=0)
prepared by: TM
approved by: JP
typ.
date of publication:
revision:
Revision: 10.1
rf
= 200ns
2015-01-04
10.1
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Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
/ cooling surface
ThermischeKühlfläche
Eigenschaften
beidseitig
/ two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode
/ anode, DC
Mechanische
Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
max.
max.
max.
max.
RthCH
max.
max.
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
11,1
10,0
17,4
23,6
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
3,0 K/kW
6,0 K/kW
140 °C
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
27...45 kN
typ.
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
17 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
Revision: 10.1
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Date of Publication: 2015-01-04
C
Technische Information /
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D911SH
Maßbild
1: Anode/Anode
1
2
2: Kathode/Cathode
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Revision: 10.1
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Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/kW]
3,54
3,73
1,55
0,93
0,25
τn [s]
0,9
0,118
0,0282
0,00422
0,00134
Rthn [K/kW]
10,6
0,39
4,62
1,16
0,63
τn [s]
4,89
0,253
0,0883
0,00932
0,00185
Rthn [K/kW]
16,87
0,24
4,26
1,3
0,93
τn [s]
4,52
0,745
0,113
0,0214
0,00359
Z thJC
Analytische Funktion / Analytical function:
thJC
6
n max
7
R thn 1 e
-t
n
n=1
25
cl
20
al
ZthJC [K/kW]
15
bl
10
5
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z
for DC
thJC
= f(t)
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Revision: 10.1
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Schnelle beschaltungslose Diode
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Fast Hard Drive Diode
3500
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
3000
2500
max.
typ.
iF [A]
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
4
vF [V]
5
6
7
8
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Revision: 10.1
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Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
3500
Tc beidseitig
3000
IFM=2500A
2500
2000
Qr [µAs]
IFM=1000A
1500
IFM=500A
1000
500
IFM=250A
0
0
200
400
600
800
-di/dt [A/µs]
1000
1200
1400
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
1400
IFM=2500A
1200
IFM=1000A
1000
IFM=500A
IRM [A]
800
600
IFM=250A
400
200
0
0
200
400
600
800
-di/dt [A/µs]
1000
1200
1400
Rückstromspitze / peak reverse recovery current I RM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Revision: 10.1
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D911SH
Fast Hard Drive Diode
6
IFM=2500A
5
4
WRQ [Ws]
IFM=1000A
3
IFM=500A
2
1
IFM=250A
0
0
200
400
600
800
-di/dt [A/µs]
1000
1200
1400
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy WRQ = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,RCL = 68Ω
CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Revision: 10.1
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Schnelle beschaltungslose Diode
D911SH
Fast Hard Drive Diode
400
350
typ.
300
VFRM [V]
250
200
150
100
50
0
0
1000
2000
3000
diF/dt [A/µs]
4000
5000
6000
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage
VFRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
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If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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Revision: 10.1
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