European PowerSemiconductor and
Electronics Company
Marketing Information
D 921 S 45 T
62,8
Anode
A
K
Kathode
3,5±
VWK January
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 921 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
tvj = -40°C...140°C
VRRM
4500 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...140°C
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
Dauergrenzstrom / mean forward current
tC = 85°C
VRSM
4600 V
IFRMSM
2560 A
IFAVM
1380 A
tC = 52°C
Stoßstrom-Grenzwert1)
tvj = 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V
surge forward current1)
tvj = 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V
Grenzlastintegral
tvj = 25°C, tp = 10 ms, vR = 0V
I²t-value
tvj = 140°C, tp = 10 ms, vR = 0V
Kritische periodische Ausschaltstromsteilheit
IFM = 3000 A, VR = 0,67 VDRM
critical repetitive rate of fall of on - state
CS = 0,3 µF, RS = τ/CS
1630 A
IFSM
A
23000 A
I²t
A²s
2650000 A²s
(-diF/dt)com
500 A/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / cont. direct reverse voltage
tc = -25°C ... +85°C
VR(D)
Durchlaßspannung / forward voltage
tvj = 140°C, Fi = 2500 A
VF
Schleusenspannung / threshold voltage
tvj = 140°C
V(TO)
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
tvj = 140°C
rT
Sperrstrom / reverse current
tvj = 140°C, vR = 0,67 VRRM
iR
tvj = 140°C, vR = VRRM
Rückstromspitze / peak reverse recovery current
iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs
typ. 2600 V
max 2,6 V
1,4 V
0,48 mΩ
mA
max. 100 mA
IRM
max. 800 A
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R =τ/CS
Sperrverzögerungsladung
iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs
recovered charge
vR = 1000 V; DS = D291S45T
Qrr
2800 µAs
SR
typ. 0,002 µAs
C = 0,3 µF; R =τ/CS
Sanftheit
iFM = 1000 A, -diF/dt = 250 A/µs
Softness
vR = 1000 V; DS = D291S45T
C = 0,3 µF; R =τ/CS
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided
RthJC
0,0125 K/W
Anoden / anode
0,0228 K/W
Kathode / cathode
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
0,0277 K/W
RthCK
beidseitig / two-sided
max. 0,003 K/W
einseitig / single-sided
max. 0,006 K/W
Höchstzul. Sperrschichttemp. / max. junction temperat.
tvjmax
Betriebstemperatur / operating temperature
tc op
-40...+140 °C
140 °C
Lagertemperatur / storage temperature
tstg
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage / case, see appendix
Seite / page 1
Anpreßkraft /clamping force
F
Gewicht / weight
G
Luftstrecke / air distance
27...45 kN
typ. 850 g
20 mm
Kriechstrecke / creepage distance
30 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standart value)
C
50 m/s²
D 921 S 45 T
3000
7
10
100
8
⌠i2dt
⌡
[A2s]
6
max
min
2500
5
iF
[A]
ITSM
[A]
4
IFSM
[A]
3
2000
2
⌠i2dt
⌡
1500
6
10
10
8
6
5
1000
4
3
500
2
0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
1
0,1
3,5
2
3 4 56 8
2
3 4 56 8
1
vF [V]
2
3 4 56 8
10
100
t [ms]
D 921 S 45 T_01
D 921 S 45 T_03
Fig. 1
On-state characteristics
Fig. 2
Surge current
ITSM = f(tp)
tvj = tvjmax
Sine halfwave
i2dt⌠
= f(tp)
⌡
tvj = tvjmax
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
0,030
3
ZthJC
[K/W]
2
0,020
1
2
3
4
5
Σ
1. ZthJC
τ [s]
r [K/W]
0,00430 1,70000
0,00610 0,16200
0,00060 0,04060
0,00100 0,00940
0,00050 0,00190
0,01250
-
2. ZthJC
τ [s]
r [K/W]
0,01460 8,00000
0,00610 0,16200
0,00060 0,04060
0,00100 0,00940
0,00050 0,00190
0,02280
-
Analytical function:
nmax
1
ZthJC =
ΣR
thn
n=1
0,010
2 34 68
0
0,001
0,01
2 34 68
2 34 68
0,1
2 34 68
1
D 921 S 45 T_02
Fig. 3
Transient thermal impedance
1 - Two-sided cooling
2 - Anode-sided cooling
3 - Cathode-sided cooling
ZthJC = f(t), DC
10
t [s]
2 34 68
100
(1-EXP(-t/τn))
3. ZthJC
τ [s]
r [K/W]
0,01950 7,30000
0,00610 0,16200
0,00060 0,04060
0,00100 0,00940
0,00050 0,00190
0,02770
-
D 921 S 45 T
4
10
100
8
6
5
4
6
Qr
[µAs]
5
IFM=
3000 A
4
8
1000 A
500 A
Qr
[µAs]
3
2
3
IFM =
1000 A
500 A
300 A
100 A
3000 A
300 A
103
2
8
6
5
4
100 A
10
3
8
2
6
5
102
4
8
3
6
5
4
2
3
2
1
10
2
3
4
5
6
8
2
3
4
5
6
100
8
1000
1
10
10
2
3
4
5
6
8
2
3
4
5
6
100
8
1000
-di/dt [A/µs]
-di/dt [A/µs]
D 921 S 45 T_04
D 921 S 45 T_05
Fig. 4
Reverse recovery charge (upper limit, ca. 98% values)
Parameter: IFM
Fig. 5
Reverse recovery current (upper-limit, ca. 98% values)
Parameter: IFM
Conditions:
Conditions:
tvj = 140°C; CS = 3 µF
VR ≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
tvj = 140°C; CS = 3 µF
VR ≥ 1000 V; DS = D 291 S 45 T
80
10
8
6
70
VFRM
[V]
60
5
Eoff
[Ws]
4
3
Tvjmax
IFM=
3000A
1000A
2
50
600A
300A
1
40
8
6
25°C
30
5
100A
4
20
3
2
0,1
10
10
2
3
4
5
6
8
2
3
4
100
5
6
8
1000
0
100
200
300
400
-di/dt [A/µs]
D 921 S 45 T_07
Fig. 6
Turn-off-losses Eoff = f(di/dt)
diodes with VFmax
Fig. 7
Peak Forward Recovery Voltage
(typical values)
Parameter: tvj
Parameter:IFM
tvj = 140°C; CS = 4 µF
DS = D 291 S 45 T
VRM = 3000 V
VRM = 2000 V
500
600
diF/dt [A/µs]
700
800
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