DD1000S33HE3
IHM-BModul
IHM-Bmodule
VCES = 3300V
IC nom = 1000A / ICRM = 2000A
TypischeAnwendungen
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
• Traktionsumrichter
• USV-Systeme
• Windgeneratoren
TypicalApplications
• Mediumvoltageconverters
• Motordrives
• Tractiondrives
• UPSsystems
• Windturbines
ElektrischeEigenschaften
• GroßeDC-Festigkeit
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• HighDCstability
• Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• GehäusemitCTI>600
• IHMBGehäuse
• IsolierteBodenplatte
MechanicalFeatures
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• PackagewithCTI>600
• IHMBhousing
• Isolatedbaseplate
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM
3300
3300
V
IF
1000
A
IFRM
2000
A
I²t
260
245
PRQM
1600
kW
ton min
10,0
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
kA²s
kA²s
typ.
max.
VF
3,10
2,75
2,65
3,85
3,25
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
1000
1200
1250
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
450
900
1050
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
450
1100
1300
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
IF = 1000 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
2
V
V
V
21,6 K/kW
16,5
-40
K/kW
150
°C
V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
6,0
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC
VISOL
2,6
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D
2100
V
AlSiC
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
mm
> 600
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
max.
LsCE
18
nH
RAA'+CC'
0,28
mΩ
Tstg
-40
150
°C
4,25
5,75
Nm
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
Gewicht
Weight
typ.
G
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
800
g
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1000R33HE3 Modul.
Dynamic Data valid in conjunction with FZ1000R33HE3 module.
Datasheet
3
V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=Ω,VCE=1800V
2000
2000
Tvj = 150°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
1800
1800
1600
1400
1400
1200
1200
IF [A]
E [mJ]
1600
1000
1000
800
800
600
600
400
400
200
200
0
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0 2,5
VF [V]
3,0
3,5
4,0
0
4,5
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1000A,VCE=1800V
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
2000
100
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
1800
ZthJC : Diode
1600
1400
10
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
1200
1000
800
1
600
400
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,099 7,74 6,721 4,002
τi[s]:
0,002 0,024 0,159 4,627
200
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0,1
0,001
RG [Ω]
Datasheet
4
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=150°C
2500
IR, Modul
2000
IR [A]
1500
1000
500
0
0
Datasheet
500
1000
1500 2000
VR [V]
2500
3000
3500
5
V3.2
2016-12-06
DD1000S33HE3
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Datasheet
6
V3.2
2016-12-06
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µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™
TrademarksupdatedNovember2015
OtherTrademarks
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Edition2016-12-06
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