DD1000S33HE3BOSA1

DD1000S33HE3 IHM-BModul IHM-Bmodule VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A TypischeAnwendungen • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • Traktionsumrichter • USV-Systeme • Windgeneratoren TypicalApplications • Mediumvoltageconverters • Motordrives • Tractiondrives • UPSsystems • Windturbines ElektrischeEigenschaften • GroßeDC-Festigkeit • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • HighDCstability • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>600 • IHMBGehäuse • IsolierteBodenplatte MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • PackagewithCTI>600 • IHMBhousing • Isolatedbaseplate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2016-12-06 DD1000S33HE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 150°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  1000  A IFRM  2000  A I²t  260 245  PRQM  1600  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 3,10 2,75 2,65 3,85 3,25 IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 1000 1200 1250 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 450 900 1050 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1000 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 450 1100 1300 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V IF = 1000 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 2 V V V 21,6 K/kW 16,5 -40 K/kW 150 °C V3.2 2016-12-06 DD1000S33HE3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  2100  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 18 nH RAA'+CC' 0,28 mΩ Tstg -40 150 °C 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight typ. G 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 800 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1000R33HE3 Modul. Dynamic Data valid in conjunction with FZ1000R33HE3 module. Datasheet 3 V3.2 2016-12-06 DD1000S33HE3 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=1800V 2000 2000 Tvj = 150°C Tvj = 125°C Tvj = 25°C 1800 1800 1600 1400 1400 1200 1200 IF [A] E [mJ] 1600 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 3,0 3,5 4,0 0 4,5 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1000A,VCE=1800V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 2000 100 Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C 1800 ZthJC : Diode 1600 1400 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1200 1000 800 1 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,099 7,74 6,721 4,002 τi[s]: 0,002 0,024 0,159 4,627 200 0 0 2 4 6 8 10 12 14 0,1 0,001 RG [Ω] Datasheet 4 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.2 2016-12-06 DD1000S33HE3 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=150°C 2500 IR, Modul 2000 IR [A] 1500 1000 500 0 0 Datasheet 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 5 V3.2 2016-12-06 DD1000S33HE3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 6 V3.2 2016-12-06 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2016-12-06 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2016InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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