DD1200S45KL3_B5
hochisolierendesModul
highinsulatedmodule
VCES = 4500V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
PotentielleAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
• Multi-LevelUmrichter
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
PotentialApplications
• Highpowerconverters
• Mediumvoltageconverters
• Motordrives
• Multilevelinverter
• Tractiondrives
• Windturbines
ElektrischeEigenschaften
• GroßeDC-Festigkeit
• HohedynamischeRobustheit
• HoheStoßstromfestigkeit
ElectricalFeatures
• HighDCstability
• Highdynamicrobustness
• Highsurgecurrentcapability
MechanischeEigenschaften
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• GehäusemitCTI>600
• Gehäuse mit erweiterten
Isolationseigenschaftenvon10,4kVAC10s
• GroßeLuft-undKriechstrecken
MechanicalFeatures
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• PackagewithCTI>600
• Package with enhanced insulation of 10.4kV AC
10s
• Highcreepageandclearancedistances
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.1
2018-01-15
DD1200S45KL3_B5
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = -40°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM
4500
4500
4500
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
570
kA²s
PRQM
2400
kW
ton min
10,0
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,50
2,50
3,10
3,00
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
1500
1700
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
1150
2100
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
1750
3550
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
2
V
V
17,0 K/kW
16,0
-50
K/kW
125
°C
V3.1
2018-01-15
DD1200S45KL3_B5
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 10 s
VISOL
10,4
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC
VISOL
3,5
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D
3000
V
AlSiC
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
56,0
56,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
26,0
26,0
mm
> 600
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
max.
LsCE
25
nH
RAA'+CC'
0,37
mΩ
Tstg
-55
125
°C
5,75
Nm
10
Nm
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
8,0
Gewicht
Weight
typ.
G
1000
g
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ1200R45KL3_B5 Modul
Dynamic Data valid in conjunction with FZ1200R45KL3_B5 module
Datasheet
3
V3.1
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DD1200S45KL3_B5
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
-diF/dt=5000A/µs,VCE=2800V
2400
5000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
4500
2000
4000
3500
1600
IF [A]
E [mJ]
3000
1200
2500
2000
800
1500
1000
400
500
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
0
3,5
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=2800V
0
400
800
1200
IF [A]
1600
2000
2400
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
4500
100
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
4000
3500
10
ZthJC [K/kW]
3000
E [mJ]
2500
2000
1500
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 3,522 10,19 2,309 1,178
τi[s]:
0,005 0,048 0,247 4,383
500
0
0
Datasheet
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
4
V3.1
2018-01-15
DD1200S45KL3_B5
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
2800
IR, Modul
2400
2000
IR [A]
1600
1200
800
400
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
VR [V]
Datasheet
5
V3.1
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DD1200S45KL3_B5
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Datasheet
6
V3.1
2018-01-15
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2018-01-15
Publishedby
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