DD171N18KHPSA1

Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N DD171N Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kenndaten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages DD171N..K..-A ND171N Elektrische Eigenschaften T Thermische Eigenschaften Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage DD171N..K..-K = -40°C... Tvj max VRRM 1200 1600 1400 V 1800 V Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1700 1500 V 1900 V vj Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current IFRMSM 270 A 171 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 100°C IFAVM Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iF = 500 A vF Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max , vR = VRRM iR Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink 6.600 A 5.600 A 218.000 A²s 157.000 A²s max. 1,26 V 0,75 V 0,8 mΩ max. RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL pro Modul / per Module, Θ = 180° sin pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC RthJC max. max. max. max. pro Modul / per Module pro Zweig / per arm RthCH max. max. 20 mA 3,0 kV 2,5 kV 0,130 0,260 0,126 0,252 °C/W °C/W °C/W °C/W 0,03 °C/W 0,06 °C/W 150 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+150 °C prepared by: A.Glunz approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz date of publication: 2016-01-28 revision: A 13/11 3.1 Seite/page 1/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation AlN Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Toleranz ±15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz ±10% M2 6 Nm Gewicht weight G typ. 310 g Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance 15 mm f = 50 Hz file-No. 50 m/s² E 83336 Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 2/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Maßbild 1 2 3 1 2 3 DD-K DD 2 1 2 3 DD-A 3 ND IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 3/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N R,T – Werte R,Tau-Glieder des Elements Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Pos. n 1 2 3 4 Rthn [°C/W] 0,0094 0,0224 0,0586 0,162 τn [s] 0,0014 0,0253 0,267 1,68 Analytische Funktion / Analytical function: 5 Z thJC  6 7 n max  –t R thn 1 - e n n=1 Transienter Wärmewiderstand Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 4/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N R,Tau_Glieder des Kühlers Natürliche Kühlung / Natural cooling 3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink Kühler / Heatsink type: KM17 (60W) Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA Pos. n 1 2 3 Rthn [°C/W] 0,0505 0,1235 1,616 τn [s] 2,97 21,4 1180 4 5 6 7 6 7 Verstärkte Kühlung / Forced cooling 3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650) Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA Pos. n 1 2 3 Rthn [°C/W] 0,026 0,119 0,515 τn [s] 2,41 13,6 354 Analytische Funktion / Analytical function: 4 5 Z thCA  nmax R thn 1 -e –t n n=1 IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 5/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Diagramme Diagramme Durchgangsverluste Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ Gehäusetemperatur Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(IFAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechungsgrundlage PTAV Calculation base PTAV Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 6/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Maximaler Strom bei B2 und B6 R-Last L-Last 0 50 100 150 200 ID [A] 250 300 350 400 Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R thCA 0 50 100 150 200 250 300 ID [A] 350 400 450 500 Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 7/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Sperrverzögerungsladung Grenzstrom Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650) Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W) Seite/page 8/9 Datenblatt / Data sheet N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module DD171N Überstrom Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV) B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM17 (60W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at T A = 45°C Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV) B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at T A = 35°C Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) IFBIP D AEC / 2016-01-28, A.Glunz A 13/11 Seite/page 9/9