TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD200S33K2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM
3300
3300
V
IF
200
A
IFRM
400
A
I²t
14,0
kA²s
PRQM
400
kW
ton min
10,0
µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,80
2,80
3,50
3,50
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 200 A, VGE = 0 V
IF = 200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
275
325
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
120
220
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
125
255
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
1
V
V
108 K/kW
33,0
-40
K/kW
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD200S33K2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
6,0
kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)
VISOL
2,6
kV
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
Tvj = 25°C, 100 fit
VCE D
1800
V
AlSiC
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AlN
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
32,2
32,2
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,1
19,1
mm
> 400
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
min.
typ.
max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
16,0
K/kW
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
58
nH
RCC'+EE'
0,78
mΩ
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
5,75
Nm
4,2
Nm
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
4,25
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,6
Gewicht
Weight
G
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FF200R33KF2C Modul.
Dynamic data valid in conjunction with FF200R33KF2C module.
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
2
500
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD200S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=Ω,VCE=1800V
400
400
Erec, Tvj = 125°C
350
350
300
300
250
250
E [mJ]
IF [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
200
200
150
150
100
100
50
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=200A,VCE=1800V
0
50
100
150
200
IF [A]
250
300
350
400
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
400
1000
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
350
300
100
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
250
200
150
10
100
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 48,6 27 6,48 25,92
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
50
0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
1
0,001
70
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
3
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DD200S33K2C
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA)
safeoperationareaDiode,Inverter(SOA)
IR=f(VR)
Tvj=125°C
500
IR, Modul
450
400
350
IR [A]
300
250
200
150
100
50
0
0
500
1000
1500 2000
VR [V]
2500
3000
3500
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD200S33K2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD200S33K2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
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Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
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Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:SB
dateofpublication:2015-04-13
approvedby:DTS
revision:V2.3
6