DD500S65K3NOSA1

DD500S65K3 hochisolierendesModul highinsulatedmodule VCES = 6500V IC nom = 500A / ICRM = 1000A PotentielleAnwendungen • Mittelspannungsantriebe • Traktionsumrichter PotentialApplications • Mediumvoltageconverters • Tractiondrives MechanischeEigenschaften • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = -55°C • GehäusemitCTI>600 • Gehäuse mit erweiterten Isolationseigenschaftenvon10,4kVAC10s • GroßeLuft-undKriechstrecken MechanicalFeatures • AlSiC base plate for increased thermal cycling capability • Extended storage temperature down to Tstg = -55°C • PackagewithCTI>600 • Package with enhanced insulation of 10.4kV AC 10s • Highcreepageandclearancedistances ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2018-01-15 DD500S65K3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 125°C Tvj = 25°C Tvj = -50°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  6500 6500 5900  V IF  500  A IFRM  1000  A I²t  210  kA²s PRQM  2000  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,00 2,95 3,50 3,50 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 500 A, VGE = 0 V IF = 500 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 730 800 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 570 1050 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 500 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 3600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 930 2000 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 2 V V 27,9 K/kW 23,0 -50 K/kW 125 °C V3.2 2018-01-15 DD500S65K3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 s VISOL  10,4  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ 10 pC VISOL  5,1  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  3800  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AlN  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  56,0 56,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  26,0 26,0  mm  > 600  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature max. LsCE 25 nH RAA'+CC' 0,37 mΩ Tstg -55 125 °C 5,75 Nm 10 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 8,0 Gewicht Weight typ. G 1000 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R65KE3 Modul Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R65KE3 module Datasheet 3 V3.2 2018-01-15 DD500S65K3 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=3600V 1000 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2700 800 2400 700 2100 600 1800 E [mJ] IF [A] 900 Erec, Tvj = 125°C 500 1500 400 1200 300 900 200 600 100 300 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 0 5,0 0 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=500A,VCE=3600V 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 2100 100 Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode 1800 1500 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1200 900 1 600 300 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 4,04 17,24 4,23 2,41 τi[s]: 0,005 0,048 0,313 3,348 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 RG [Ω] 2,5 3,0 3,5 4,0 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s] 4 V3.2 2018-01-15 DD500S65K3 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 1200 IR, Modul 1100 1000 900 800 IR [A] 700 600 500 400 300 200 100 0 0 Datasheet 1000 2000 3000 4000 VR [V] 5000 6000 7000 5 V3.2 2018-01-15 DD500S65K3 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Datasheet 6 V3.2 2018-01-15 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2018-01-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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