DD800S33K2CNOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DD800S33K2C Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  800  A IFRM  1600  A I²t  220  kA²s PRQM  1600  kW ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1100 1300 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 500 900 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 490 1150 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:MW dateofpublication:2016-06-17 approvedby:EO revision:V3.0 1 V V 26,0 K/kW 12,0 -40 K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DD800S33K2C Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  1800  V  AlSiC  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  AlN  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,1 19,1  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. typ. max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 6,00 K/kW Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 25 nH RCC'+EE' 0,34 mΩ Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C 4,25 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight G Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ800R33KF2C Modul. Dynamic data valid in conjunction with FZ800R33KF2C module. preparedby:MW dateofpublication:2016-06-17 approvedby:EO revision:V3.0 2 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1000 g TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=1800V 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 1200 1200 1000 1000 E [mJ] 1400 IF [A] 1400 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=1800V 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 1600 100 Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode 1400 1200 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 1000 800 600 1 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 200 0 0,1 0,001 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 RG [Ω] preparedby:MW dateofpublication:2016-06-17 approvedby:EO revision:V3.0 3 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation DD800S33K2C IGBT-Modul IGBT-Module SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 2000 IR, Modul 1800 1600 1400 IR [A] 1200 1000 800 600 400 200 0 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 preparedby:MW dateofpublication:2016-06-17 approvedby:EO revision:V3.0 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DD800S33K2C Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines preparedby:MW dateofpublication:2016-06-17 approvedby:EO revision:V3.0 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module DD800S33K2C Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved.   Nutzungsbedingungen  WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    Terms&Conditionsofusage  IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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