DDB2U50N08W1RB23BOMA2

DDB2U50N08W1R_B23 EasyBRIDGEModulmitCoolMOSundPressFIT EasyBRIDGEmodulewithCoolMOSandPressFIT VDSS = 600V ID nom = 50A / IDRM = 100A TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • InduktivesErwärmenundSchweißen • Klimaanlagen • Motorantriebe TypicalApplications • Auxiliaryinverters • Inductiveheatingandwelding • Airconditioning • Motordrives ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • Compactdesign • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  800  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 40°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 40°C IRMSM  50  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  450 360  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  1000 650  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 1,10 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 800 V IR 0,10 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,90 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  600  V IF  40  A IFRM  80  A I²t  72,0  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,85 VF 1,45 1,60 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 10,0 11,0 11,0 A A A IF = 40 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,23 0,23 0,23 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 40 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,02 0,02 0,02 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 1,08 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 40 A, VGE = 0 V IF = 40 A, VGE = 0 V IF = 40 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 40 A, - diF/dt = 900 A/µs (Tvj=150°C) VR = 300 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 2 -40 150 V V V °C V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gate-Source-Spitzenspannung Gate-sourcepeakvoltage Tvj = 25°C VDSS  600  V TH = 45°C ID nom  50  A ID puls  100  A +/-20  V VGSS CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink min. ID = 50 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C RDS on ID = 6,00 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C VGS(th) max. 20,0 33,0 mΩ 3,00 3,50 V QG 0,30 µC Tvj = 25°C RGint 2,7 Ω f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Ciss 14,0 nF f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Coss 0,64 nF f = 1,00 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Crss 0,60 nF VDS = 600 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C IDSS 200 µA VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C IGSS 0,20 nA ID = 50 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 10,0 Ω ID = 50 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 10,0 Ω ID = 50 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 10,0 Ω ID = 50 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 10,0 Ω ID = 50 A, VDS = 400 V, Lσ = 40 nH VGS = 10 V RG = 10,0 Ω ID = 50 A, VDS = 400 V, Lσ = 40 nH VGS = 10 V RG = 10,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 100 105 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 45,0 45,0 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 325 325 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 30,0 30,0 ns Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 0,45 0,45 mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 0,30 0,30 mJ RthJH 0,450 K/W proMOS-FET/perMOS-FET Tvj op Revers-Diode/reverse-diode Datasheet 2,50 typ. VGS = 10 V, VDD = 400 V TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Durchlassspannung Forwardvoltage  -40 min. IS = 70 A, VGS = 0 V IS = 70 A, VGS = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C 3 VSD 125 typ. 0,90 1,10 max. 1,20 °C V V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  kV 2,5 typ. max. LsCE 20 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 6,00 4,00 mΩ Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G - 125 °C 50 N 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin Designed for storage conditions according to Infineon TR14 (Application Note “Storage of Products Supplied by Infineon Technologies) Designed for climate conditions without condensation or precipitation Datasheet 4 V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 100 80 Tvj = 25°C Tvj = 150°C 90 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 70 80 60 70 50 IF [A] IF [A] 60 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 0 1,6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=40A,VCE=300V 0,075 0,075 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C E [mJ] 0,050 E [mJ] 0,050 0,025 0,000 0,025 0 Datasheet 10 20 30 40 IF [A] 50 60 70 80 0,000 5 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJH=f(t) SichererArbeitsbereichMOSFET(SOA) safeoperatingareaMOSFET(SOA) ID=f(VDS) VGS=±10V,TH=25°C 10 1000 ZthJH : Diode tP = 100µs tP = 10ms tP = DC ID [A] ZthJH [K/W] 100 1 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1228 0,1873 0,1747 0,5952 τi[s]: 0,0007008 0,004304 0,02832 0,1383 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0,1 10 1 10 100 1000 VDS [V] TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=125°C 1 240 ZthJH: Mosfet VGS = 20V VGS = 10V VGS = 8V VGS = 6V VGS = 5,5V VGS = 5V 220 200 180 140 ID [A] ZthJH [K/W] 160 0,1 120 100 80 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,014 0,019 0,086 0,331 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 6 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 VDS [V] 7,0 8,0 9,0 10,0 V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=±10V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VDS=400V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=±10V,ID=50A,VDS=400V 2,0 4,0 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 3,6 1,6 3,2 1,4 2,8 1,2 2,4 E [mJ] E [mJ] 1,8 1,0 2,0 0,8 1,6 0,6 1,2 0,4 0,8 0,2 0,4 0,0 0 Datasheet 10 20 30 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 40 50 60 ID [A] 70 80 90 100 0,0 7 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 V3.0 2017-05-11 DDB2U50N08W1R_B23 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 8 V3.0 2017-05-11 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-05-11 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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