DDB6U100N16RR

Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Netz-Diode / Rectifier diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage VRRM Tvj = - 40°C...Tvj max Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) 1600 V 60 A Id 100 104 A A IFSM 650 550 A A IFRMSM Ausgangsstrom output current TC = 100°C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25°C, t p = 10ms Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, t p = 10ms TC = 97°C Tvj = Tvj max, tp = 10ms I²t 2100 1500 A²s A²s Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current IC 50 A Tvj = Tvj max, tp = 10ms IGBT Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current tp = 1ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Ptot 350 W VGE ± 20 V IF 25 A tp = 1ms IFRM 50 A RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 2,5 kV Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Charakteristische Werte / Characteristic values Netz-Diode / Rectifier diode min. typ. max. Durchlaßspannung forward voltage Tvj = Tvj max, iF = 100A vF 1,55 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) 0,75 V Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 5,5 mΩ Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, vR = VRRM iR 5 mA Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 20V vCE sat Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage Tvj = 25°C, iC = 2mA, v GE = vCE IGBT BIP PPE 4 rev.2 Tvj = 125°C, i C = 50A, vGE = 20V 27. Okt 05 A 16/05 vGE(TO) 4,5 2,5 3,1 3,2 V 5,5 6,5 V Seite/page 1(3) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR IGBT min. typ. max. Eingangskapazität input capacitance Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Tvj = 25°C, vCE = 1200V, v GE = 0V Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Cies 3,3 iCES 0,8 4,0 nF vCE = 25V, vGE = 0V 1 mA iGES 500 nA Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 500 nA Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 25°C, iF = 25A vF 2,9 V Sperrverzögerungsladung recovered charge iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, v R = 600V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, v GE = 0V Schnelle Diode / Fast diode Tvj = 125°C, i F = 25A 2,3 1,8 Qr 2,3 6,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C µAs µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Netz-Diode / Rectifier diode, Θ = 120°rect RthJC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Netz-Diode / Rectifier diode RthCK Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature max. 1,15 max. 0,38 max. 1,00 °C/W °C/W °C/W max. 0,25 max. 0,24 max. 0,30 °C/W °C/W °C/W 150 °C Tc op - 40...+150 °C Tstg - 40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 3 page 3 Innere Isolation internal insulation Al2O3 Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Gewicht weight Toleranz / tolerance ±15% M1 G Kriechstrecke creepage distance 4 typ. 185 g 12,5 mm Kühlkörper / heatsinks : BIP PPE 4 rev.2 27. Okt 05 Nm Seite/page 2(3) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 100 N 16 RR BIP PPE 4 rev.2 27. Okt 05 Seite/page 3(3) Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. 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Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. 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Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.