DDB6U104N16RRBOSA1

Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode Tvj = - 40°C...Tvj max Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage V RRM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) RMS forward current (per chip) IFRMSM 1600 V 60 A Ausgangsstrom output current TC = 100°C Id 105 A Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, t p = 10ms IFSM 650 550 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, t p = 10ms I²t 2100 1500 A²s A²s V CES 1200 V 50 A IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current TC = 80°C IC Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current t p = 1ms ICRM 100 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C P tot 350 W V GE ± 20 V 1200 V Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage V RRM Dauergleichstrom DC forward current TC = 80°C IF 25 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms IFRM 50 A RMS, f = 50Hz, t = 1min V ISOL 2,5 kV Modul Isolations-Prüfspannung insulation test voltage NTC connected to baseplate Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. typ. max. Durchlaßspannung forward voltage Tvj = Tvj max, iF = 100A vF 1,30 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V (TO) 0,75 V Ersatzwiderstand forward slope resistance Tvj = Tvj max rT 5,5 mΩ Sperrstrom reverse current Tvj = Tvj max, v R = VRRM iR 5 mA Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip TC = 25°C RAA`+KK` 1 mΩ prepared by: Ralf Jörke approved by: Lothar Kleber date of publication: 13.12.2000 revision: 1 BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 A 33/00 Seite/page 1(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Tvj = 25°C, iC = 50A, v GE = 15V Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage max. v CE sat 2,10 2,5 2,80 V Tvj = 25°C, iC = 2mA, v GE = v CE v GE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Eingangskapazität input capacitance Tvj = 25°C, f 0 = 1MHz, Cies 3,3 Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Tvj = 25°C, v CE = 1200V, v GE = 0V iCES 0,8 4,0 Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Tvj = 25°C, v CE = 0V, v GE = 20V Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Tvj = 125°C, iC = 50A, v GE = 15V nF v CE = 25V, v GE = 0V 1 mA iGES 500 nA Tvj = 25°C, v CE = 0V, v EG = 20V iEGS 500 nA Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 25°C, iF = 25A vF 2,20 V Sperrverzögerungsladung recovered charge iFM = 25A, -di/dt = 800A/µs, v R = 600V Tvj = 125°C, v CE = 1200V, v GE = 0V Schnelle Diode / Fast diode Tvj = 125°C, iF = 25A 1,7 1,6 Qr 2,3 6,0 Tvj = 25°C Tvj = 125°C µAs µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Innerer Wärmewiderstand RthJC max. max. max. 1,08 0,38 1,00 °C/W °C/W °C/W RthCK max. max. max. 0,25 0,24 0,30 °C/W °C/W °C/W 150 °C Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op - 40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg - 40...+150 °C BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 2(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 page 4 Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index 225 Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% Gewicht weight M1 G 4 typ. Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance Nm 185 g 12,5 mm 50 f = 50Hz V m/s² Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand rated resistance TC = 25°C R25 Verlustleistung power dissipation TC = 25°C P25 B-Wert B-value R 2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B25/50 5 kΩ 20 mW R 100 = 493Ω ± 5% max. 3375 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 3(12) K Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT BIP AM; R. Jörke DD B6U 104 N 16 RR 14. Dez 00 N Seite/page 4(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC, Netz-Diode Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC, rectifier diode Pos. n 1 R thn [° C / W ] 0,4063 τn [ s ] 0,0300 2 3 4 0,3034 0,0497 0,0309 0,0190 0,0140 0,0003 Analytische Funktion: Z thJC = 14. Dez 00 5 6 t −  τn  R 1 − e ∑ thn  n =1      nmax 7 Seite/page 5(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 200 180 160 Tvj = 150°C 140 i F [A] 120 100 80 60 40 20 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 vF [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 6(12) 2 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 150 140 130 120 110 TC [°C] 100 90 80 70 60 50 40 B2: 180°sin B6: 120°rect 30 20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 Id [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id) Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 7(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 1000 200A 50A Qr [µAs] 20A 100 5A 10 1 10 100 - di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; v R = 0,5VRRM; v RM = 0,8VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 8(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 1,40 60° rect 1,20 120° rect 1,00 180° rect 180° sin 0,80 ZthJC [°C/W] DC 0,60 0,40 0,20 0,00 0,001 0,01 0,1 1 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 9(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 100 90 80 70 Tvj = 25°C Tvj = 125°C i C [A] 60 50 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 vCE [V] Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) iC = f(vCE), v GE = 15V BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 10(12) 4 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 50 40 Tvj = 125°C Tvj = 25°C i F [A] 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 vF [V] Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical) iF = f(vF) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 11(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 104 N 16 RR N B6 100 R [kΩ ] 10 1 0,1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 T [°C] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T) BIP AM; R. Jörke 14. Dez 00 Seite/page 12(12)