DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FP_B53 EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™DiodeundPressFIT/bereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™diodeandPressFIT/pre-appliedThermal InterfaceMaterial J VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5 • Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  650  V ICN  50  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 100°C, Tvj max = 175°C TH = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 25 40  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,35 1,40 1,45 1,55 V V V 4,00 4,75 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 400V QG 0,235 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,013 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,04 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 5,1 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 5,1 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 3,25 100 nA 0,009 0,01 0,012 µs µs µs 0,0036 0,004 0,005 µs µs µs 0,008 0,009 0,01 µs µs µs 0,022 0,028 0,03 µs µs µs Eon 0,11 0,23 0,25 mJ mJ mJ IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 7500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 5,1 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,15 0,17 0,21 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 250 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 1,60 K/W -40 150 °C V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  650  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  30  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  30  A IFRM  60  A I²t  90,0 82,0 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VF  typ. max. 1,60 1,55 1,50 2,00 RthJH A²s A²s V V V 2,44 K/W Tvj op -40 150 °C Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  650  V IF  30  A IFRM  60  A I²t  40,5  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,85 VF 1,45 1,60 1,65 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 10,5 10,0 10,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,012 0,0125 0,013 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,04 0,0405 0,041 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet RthJH Tvj op 3 V V V 1,50 K/W -40 150 °C V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm  > 200  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ. F Gewicht Weight G max. 15 -40 TBPmax Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp  kV 2,5 20 24 nH 125 °C 125 °C 50 N g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 4 V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 50 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 40 40 35 35 30 30 IC [A] IC [A] 45 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 VGE = 7 V VGE = 9 V VGE = 11 V VGE = 15 V VGE = 17 V VGE = 19 V 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 0,0 0,5 1,0 VCE [V] 1,5 2,0 2,5 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=400V 50 0,6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 45 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 0,5 40 35 0,4 E [mJ] IC [A] 30 25 0,3 20 0,2 15 10 0,1 5 0 3,5 Datasheet 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VGE [V] 6,5 7,0 7,5 8,0 0,0 5 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 40 45 50 V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=400V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=400V,Tvj=150°C 1,2 1000 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 1,1 tdon tr tdoff tf 1,0 0,9 0,8 100 t [ns] E [mJ] 0,7 0,6 0,5 0,4 10 0,3 0,2 0,1 0,0 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 1 55 SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesIGBT,Inverter(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=400V,Tvj=150°C 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 40 45 50 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 1000 10 tdon tr tdoff tf ZthJH : IGBT t [ns] ZthJH [K/W] 100 1 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0896 0,1054 0,3424 1,0626 τi[s]: 0,000342 0,003454 0,018 0,09605 1 0 Datasheet 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 55 0,1 0,001 6 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C 120 KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) capacitycharcteristicIGBT,Inverter(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz 100 IC, Modul IC, Chip 110 Cies Coes Cres 100 10 90 80 1 C [nF] IC [A] 70 60 50 0,1 40 30 0,01 20 10 0 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=25A,Tvj=25°C 0,001 0 5 10 15 VCE [V] 20 25 30 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 15 60 VCC = 400 V Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 12 50 9 6 40 IF [A] VGE [V] 3 0 30 -3 20 -6 -9 10 -12 -15 0 Datasheet 30 60 90 120 150 QG [nC] 180 210 0 240 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) 10 60 ZthJH : Diode Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 50 IF [A] ZthJH [K/W] 40 1 30 20 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2138 0,6081 1,2543 0,3638 τi[s]: 0,0004165 0,009878 0,07189 0,6098 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=5.1Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 0,0600 0,0500 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,0500 0,0400 0,0400 E [mJ] E [mJ] 0,0300 0,0300 0,0200 0,0200 0,0100 0,0100 0,0000 0 Datasheet 10 20 30 IF [A] 40 50 60 0,0000 8 0 5 10 15 20 25 30 RG [Ω] 35 40 45 50 55 V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp R[Ω] ZthJH [K/W] 10000 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,1429 0,265 0,366 0,7261 τi[s]: 0,000433 0,002797 0,01671 0,1058 0,1 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 9 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 V3.0 2017-04-06 DF100R07W1H5FP_B53 Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 10 V3.0 2017-04-06 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™, CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™, EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™, IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™, ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™, SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™  TrademarksupdatedNovember2015  OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2017-04-06 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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