TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
EconoPACK™4ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC
EconoPACK™4modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC
VCES = 650V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
TypischeAnwendungen
• Chopper-Anwendungen
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
TypicalApplications
• ChopperApplications
• MotorDrives
• SolarApplications
• UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• TrenchIGBT4
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• HohemechanischeRobustheit
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• IsolierteBodenplatte
• Standardgehäuse
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• Highmechanicalrobustness
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• IsolatedBasePlate
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 50°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
400
450
GrenzeffektivstromderModulKontakte
MaximumRMSmoduleterminalcurrent
TCt = 90°C
TCt = 50°C
ItRMS
240
300
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
1100
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
IC = 400 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 4,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,95
V
V
V
VGEth
5,1
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
4,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
18,5
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,55
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
0,02
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,105
0,115
0,12
µs
µs
µs
tr
0,085
0,094
0,096
µs
µs
µs
td off
0,46
0,49
0,495
µs
µs
µs
tf
0,061
0,081
0,085
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 400 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
Eon
5,90
8,95
10,0
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 400 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
19,0
23,5
25,0
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
1500
A
0,135 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,071
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
K/W
150
°C
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
400
A
IFRM
800
A
I²t
9200
8200
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
IF = 400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
155
215
230
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
13,5
25,5
30,0
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 400 A, - diF/dt = 4200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
3,60
6,15
7,05
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,068
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
V
V
V
0,21 K/W
K/W
150
°C
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
50
A
IFRM
50
A
I²t
330
300
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
min.
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
proDiode/perdiode
VF
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,125
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
Tvj op
-40
approvedby:MK
revision:3.0
3
A²s
A²s
V
V
V
1,20 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
2,5
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
15,0
12,5
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,0
7,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
max.
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
1,40
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
Gewicht
Weight
G
400
g
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DF400R07PE4R_B6
IGBT-Module
IGBT-modules
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
800
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
700
600
600
500
500
IC [A]
IC [A]
700
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,4
0,8
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,2
1,6
VCE [V]
2,0
2,4
0
2,8
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.6Ω,RGoff=1.6Ω,VCE=300V
800
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
700
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
600
40
E [mJ]
IC [A]
500
400
30
300
20
200
10
100
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
5
0
100
200
300
400
IC [A]
500
600
700
800
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DF400R07PE4R_B6
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=400A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper
transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
80
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
70
ZthJC : IGBT
60
ZthJC [K/W]
E [mJ]
50
40
0,1
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,01315 0,09373 0,02002 0,00732
τi[s]:
0,00059 0,02897 0,15167 4,01499
10
0
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
0,01
0,001
16
SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper
(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.6Ω,Tvj=150°C
900
IC, Modul
IC, Chip
800
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
700
700
600
600
500
IF [A]
IC [A]
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DF400R07PE4R_B6
IGBT-Module
IGBT-modules
SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.6Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=300V
10
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
8
8
7
7
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
100
200
300
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
9
E [mJ]
E [mJ]
9
400
IF [A]
500
600
700
0
800
TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper
transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
16
DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
1
100
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
80
IF [A]
ZthJC [K/W]
60
0,1
40
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0211 0,04282 0,13328 0,01032
τi[s]:
0,0003 0,0094 0,04061 1,83639
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
7
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
DF400R07PE4R_B6
IGBT-Module
IGBT-modules
TransienterWärmewiderstandDiode,Revers
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJC=f(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJC [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15257 0,20361 0,77096 0,04951
τi[s]:
0,00027 0,00536 0,03189 0,41698
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
8
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DF400R07PE4R_B6
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:KY
dateofpublication:2013-11-11
approvedby:MK
revision:3.0
10
