DF80R07W1H5FP_B11
EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5H5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/bereits
aufgetragenemThermalInterfaceMaterial
EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5H5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/pre-applied
ThermalInterfaceMaterial
J
VCES = 650V
IC nom = 40A / ICRM = 80A
PotentielleAnwendungen
• SolarAnwendungen
PotentialApplications
• Solarapplications
ElektrischeEigenschaften
• CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• CoolSiCTMSchottkydiodegen5
• Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V
• Lowinductivedesign
• Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• PressFITVerbindungstechnik
• Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• PressFITcontacttechnology
• Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
40
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C
ICDC
20
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
80
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,40
1,45
1,50
1,72
V
V
V
4,00
4,75
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 20 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,35 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V
QG
0,165
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,00
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,008
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 400 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 400 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 400 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 400 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 400 V, Lσ = 25 nH
di/dt = 6300 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 400 V, Lσ = 25 nH
du/dt = 7500 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 2,7 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
0,012 mA
100
nA
0,012
0,013
0,013
µs
µs
µs
0,003
0,004
0,004
µs
µs
µs
0,072
0,09
0,095
µs
µs
µs
0,018
0,028
0,029
µs
µs
µs
Eon
0,091
0,12
0,127
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
0,076
0,167
0,195
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
ISC
180
A
td on
tr
td off
tf
RthJH
Tvj op
2
3,25
1,85 K/W
-40
150
°C
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
30
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VF
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
RthJH
A²s
A²s
V
V
V
2,37 K/W
Tvj op
-40
150
°C
Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
20
A
IFRM
40
A
I²t
18,0
15,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,85
VF
1,45
1,60
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
35,2
32,6
31,9
A
A
A
IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,31
0,29
0,29
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,044
0,039
0,038
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 6300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
RthJH
Tvj op
3
V
V
V
2,15 K/W
-40
150
°C
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
5,00
∆R/R
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
CTI
> 200
RTI
140
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
typ.
F
Gewicht
Weight
G
°C
max.
16
-40
TBPmax
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
kV
2,5
20
23
nH
125
°C
125
°C
50
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet
4
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
40
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
30
30
25
25
IC [A]
IC [A]
35
20
15
10
10
5
5
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
0
2,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2.7Ω,RGoff=2.7Ω,VCE=400V
40
0,40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
25
0,25
E [mJ]
0,30
20
0,20
15
0,15
10
0,10
5
0,05
3,5
Datasheet
4,0
4,5
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
0,35
30
0
0,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
IC [A]
20
15
0
VGE = 7 V
VGE = 9 V
VGE = 11 V
VGE = 15 V
VGE = 17 V
VGE = 19 V
5,0
5,5 6,0
VGE [V]
6,5
7,0
7,5
8,0
0,00
5
0
5
10
15
20
IC [A]
25
30
35
40
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=400V
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2.7Ω,RGoff=2.7Ω,VCE=400V,Tvj=150°C
0,40
1000
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
0,35
tdon
tr
tdoff
tf
0,30
100
t [ns]
E [mJ]
0,25
0,20
0,15
10
0,10
0,05
0,00
0
5
10
15
RG [Ω]
20
25
1
30
SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchingtimesIGBT,Inverter(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=400V,Tvj=150°C
0
5
10
15
20
IC [A]
25
30
35
40
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
1000
10
tdon
tr
tdoff
tf
ZthJH : IGBT
t [ns]
ZthJH [K/W]
100
1
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,162
0,482 0,609 0,597
τi[s]:
0,00211 0,015 0,0909 0,0909
1
0
Datasheet
5
10
15
RG [Ω]
20
25
30
0,1
0,001
6
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.7Ω,Tvj=150°C
100
KapazitätsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,Inverter(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz
100
IC, Modul
IC, Chip
90
Cies
Coes
Cres
80
10
70
1
C [nF]
IC [A]
60
50
40
0,1
30
20
0,01
10
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=20A,Tvj=25°C
0,001
0
5
10
15
VCE [V]
20
25
30
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
15
60
VCC = 400 V
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
12
50
9
6
40
IF [A]
VGE [V]
3
0
30
-3
20
-6
-9
10
-12
-15
0
Datasheet
25
50
75
100
QG [nC]
125
150
0
175
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
7
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical)
IF=f(VF)
10
40
ZthJH : Diode
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
35
30
IF [A]
ZthJH [K/W]
25
1
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,227 0,795 0,594 0,754
τi[s]:
0,0022 0,0177 0,0978 0,0978
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2.7Ω,VCE=400V
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(RG)
IF=20A,VCE=400V
0,05
0,05
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,03
0,03
E [mJ]
0,04
E [mJ]
0,04
0,02
0,02
0,01
0,01
0,00
0
Datasheet
5
10
15
20
IF [A]
25
30
35
40
0,00
8
0
5
10
15
RG [Ω]
20
25
30
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller
transientthermalimpedanceDiode,Boost
ZthJH=f(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,427 0,702 0,449 0,572
τi[s]:
0,0021 0,0174 0,0986 0,0986
0,1
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
9
0
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
V3.0
2018-10-05
DF80R07W1H5FP_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
10
V3.0
2018-10-05
Trademarks
All referenced product or service names and trademarks are the property of their respective owners.
Edition 2018-10-05
Published by
Infineon Technologies AG
81726 München, Germany
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WICHTIGER HINWEIS
Die in diesem Dokument enthaltenen Angaben stellen keinesfalls Garantien für die Beschaffenheit oder Eigenschaften des Produktes
(“Beschaffenheitsgarantie“) dar. Für Beispiele, Hinweise oder typische Werte, die in diesem Dokument enthalten sind, und/oder Angaben,
die sich auf die Anwendung des Produktes beziehen, ist jegliche Gewährleistung und Haftung von Infineon Technologies ausgeschlossen,
einschließlich, ohne hierauf beschränkt zu sein, die Gewähr dafür, dass kein geistiges Eigentum Dritter verletzt ist.
Des Weiteren stehen sämtliche, in diesem Dokument enthaltenen Informationen, unter dem Vorbehalt der Einhaltung der in diesem
Dokument festgelegten Verpflichtungen des Kunden sowie aller im Hinblick auf das Produkt des Kunden sowie die Nutzung des Infineon
Produktes in den Anwendungen des Kunden anwendbaren gesetzlichen Anforderungen, Normen und Standards durch den Kunden.
Die in diesem Dokument enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der
Eignung dieses Produktes für die beabsichtigte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der in diesem Dokument enthaltenen
Produktdaten für diese Anwendung obliegt den technischen Fachabteilungen des Kunden.
Sollten Sie von uns weitere Informationen im Zusammenhang mit dem Produkt, der Technologie, Lieferbedingungen bzw. Preisen
benötigen, wenden Sie sich bitte an das nächste Vertriebsbüro von Infineon Technologies (www.infineon.com).
WARNHINWEIS
Aufgrund der technischen Anforderungen können Produkte gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Fragen zu den in diesem
Produkt enthaltenen Substanzen, setzen Sie sich bitte mit dem nächsten Vertriebsbüro von Infineon Technologies in Verbindung.
Sofern Infineon Technologies nicht ausdrücklich in einem schriftlichen, von vertretungsberechtigten Infineon Mitarbeitern unterzeichneten
Dokument zugestimmt hat, dürfen Produkte von Infineon Technologies nicht in Anwendungen eingesetzt werden, in welchen
vernünftigerweise erwartet werden kann, dass ein Fehler des Produktes oder die Folgen der Nutzung des Produktes zu
Personenverletzungen führen.
IMPORTANT NOTICE
The information given in this document shall in no event be regarded as a guarantee of conditions or characteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”). With respect to any examples, hints or any typical values stated herein and/or any information regarding the
application of the product, Infineon Technologies hereby disclaims any and all warranties and liabilities of any kind, including without
limitation warranties of non-infringement of intellectual property rights of any third party.
In addition, any information given in this document is subject to customer’s compliance with its obligations stated in this document and any
applicable legal requirements, norms and standards concerning customer’s products and any use of the product of Infineon Technologies
in customer’s applications.
The data contained in this document is exclusively intended for technically trained staff. It is the responsibility of customer’s technical
departments to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product information given in
this document with respect to such application.
For further information on the product, technology, delivery terms and conditions and prices please contact your nearest Infineon
Technologies office (www.infineon.com).
WARNINGS
Due to technical requirements products may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact your
nearest Infineon Technologies office.
Except as otherwise explicitly approved by Infineon Technologies in a written document signed by authorized representatives of Infineon
Technologies, Infineon Technologies’ products may not be used in any applications where a failure of the product or any consequences of
the use thereof can reasonably be expected to result in personal injury.
