ETD580N16P60HPSA1

Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 Key Parameters VDRM / VRRM 1600V ITAVM 586A (TC=85°C) ITSM 16500A VT0 0,8V rT 0,327mΩ RthJC 0,0645K/W Base plate 60mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Features  Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit  Pressure contact technology for high reliability  Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Advanced Medium Power Technology (AMPT)  Industrie-Standard-Gehäuse  Elektrisch isolierte Bodenplatte   Industrial standard package Electrically insulated base plate Typische Anwendungen Typical Applications                 Sanftanlasser Gleichrichter für Antriebsapplikationen Kurzschließer-Applikationen Leistungssteller Gleichrichter für UPS Batterieladegleichrichter Statische Umschalter Bypass-Schalter content of customer DMX code serial number SAP material number Internal production order number datecode (production year) datecode (production week) Date of Publication 2018-07-30 DMX code digit 1..5 6..12 13..20 21..22 23..24 Soft starter Rectifier for drives applications Crowbar applications Power controllers Rectifiers for UBS Battery chargers Static switches Bypass swich DMX code digit quantity 5 7 8 2 2 Revision: 3.6 TT TD www.ifbip.com support@infineon-bip.com Seite/page 1/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 eTT580N16P60 eTD580N16P60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max repetitive peak forward off-state and reverse voltages VDRM,VRRM 1600 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1600 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1700 V ITRMSM 700 A 586 A Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85°C ITAVM Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms ITSM Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25°C, tP = 10ms Tvj = Tvj max, tP = 10ms I²t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs (diT/dt)cr 200 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe / 6th letter F (dvD/dt)cr 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 1500 A vT max. 1,43 V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max rT max. 0,327 mΩ Zündstrom gate trigger current Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 250 mA Zündspannung gate trigger voltage Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2 V Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 12V Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM IGD max. max. 10 mA 5 mA Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V Haltestrom holding current Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω IH max. 300 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs IL max. 1500 mA Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Tvj = Tvj max iD, iR max. 100 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs tgd max. prepared by: AG approved by: ML Date of Publication 2018-07-30 16500 A 13600 A 1361250 A²s 924800 A²s 4 µs date of publication: 2018-07-30 revision: Revision: 3.6 3.6 Seite/page 2/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5th letter O tq RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec VISOL Thermische Eigenschaften Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink typ. pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC pro Modul / per Module pro Zweig / per arm RthCH 300 µs 3,0 kV 3,6 kV max. max. max. max. typ. typ. 0,0335 0,0670 0,0322 0,0645 K/W K/W K/W K/W 0,015 K/W 0,03 K/W 135 °C Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Tc op -40...+135 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40...+135 °C Mechanische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 4 page 4 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz / Tolerance ± 10% M2 12 Nm Steueranschlüsse control terminals DIN 46 244 Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance typ. 835 g 19 mm f = 50 Hz file-No. Date of Publication 2018-07-30 A 2,8 x 0,8 G Kriechstrecke creepage distance AlN Revision: 3.6 50 m/s² E 83335 Seite/page 3/11 Technische Information / technical information d Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 plug A 2.8x0.8 10±0.2 52±1 screwing dept h max.18  6.5±0.2 50±0.5 44±0.5 13±0.5 28±0.3 36±1 36±1 48±0.3 60±0.5 base plat e M10 64±1.5 (44) 30±1 25±0.3 25±0.3 112±0.3 124±0.5 base plat e 127.5±1.5 145.6+2 -1 1 2 4 5 3 7 6 TT Date of Publication 2018-07-30 1 2 3 4 5 TD Revision: 3.6 Seite/page 4/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 2 3 4 5 Rthn [K/W] 0,018 0,0159 0,02255 0,00811 τn [s] 5,6 2,56939 0,8 0,00165 Z thJC  Analytische Funktion / Analytical function: 6 7 n max  –t R thn 1 - e n n=1 Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30° ΔZth Θ rec [K/W] 0,0083 0,01604 0,0230 0,0344 0,0541 ΔZth Θ sin [K/W] 0,0025 0,0057 0,0110 0,0216 0,0436 Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 5/11 Technische Information / technical information Diagramme Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 0,080 0,070 0,060 Z(th)JC [K/W] 0,050 0,040 0,030 0,020 0,010 0,000 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ 10 c b Tvj max = +135
C 1 Tvj = -40
C Tvj = +25
C vG [V] a 0,1 10 100 iG [mA] 1000 10000 Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20W/10ms Date of Publication 2018-07-30 b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms Revision: 3.6 Seite/page 6/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 800 DC PTAV [W] 700 600 180
sin 180
rec 120
rec 500 90
rec 60
rec 400 Q = 30
rec 300 200 Gehäusetemperatur bei Rechteck 100 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 ITAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 140 120 TC [°C] 100 80 60 120
rec 40 30
rec rec QQ= =30
60
rec 90
rec 180
sin DC 180
rec 20 0 100 200 300 400 ITAVM [A] 500 600 700 800 Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 7/11 Technische Information / technical information P tot [W] Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 2600 0,10 B2 RthCA [K/W] 2400 ID + 0,12 2200 2000 ~ 0,15 R-Last R-load 1800 1600 - 0,20 1400 L-Last L-load 0,25 1200 0,30 1000 0,40 800 600 400 1,00 1,00 200 2,00 0,60 0,80 1,00 2,00 0 10 30 50 70 90 0 110 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 I D [A] T A [°C] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 4000 P tot [W] B6 R thCA [K/W] 0,10 ID + 3500 0,12 3000 3~ 0,15 - 2500 0,20 2000 0,25 0,30 1500 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 1,50 2,00 1000 500 , 0 10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 T A [°C] ID [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 8/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 P tot [W] 1500 W 1C ~ R thCA K/W] 0,08 1400 IRMS 1300 0,10 1200 0,12 1100 ~ 1000 0,15 900 800 0,20 700 0,25 600 0,30 500 200 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 100 2,00 400 300 0 10 30 50 70 90 0 110 100 200 300 400 TA [°C] 500 600 I RMS [A] 700 800 900 1000 700 800 900 1000 Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA 4500 P tot [W] 0,08 R thCA [K/W] ~ W 3C ~ ~ IRMS 4000 0,10 3500 0,12 3000 ~ ~ ~ 0,15 2500 0,20 2000 0,25 0,30 1500 0,40 0,50 0,60 0,80 1,00 1000 500 2,00 0 10 30 50 70 90 110 0 100 T A [°C] 200 300 400 500 600 I RMS [A] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 9/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 Qr [µAs] 10000 iTM = 1000A 500A 200A 100A 50A 1000 100 1 -di/dt [A/µs] 10 100 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM 14.000 12.000 IT(OV)M [A] a 10.000 TA = 35
C 8.000 6.000 4.000 2.000 TA = 45
C b 0 0,01 0,1 1 t [s] Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 10/11 Technische Information / technical information Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module eTT580N16P60 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication 2018-07-30 Revision: 3.6 Seite/page 11/11