TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
EasyPACKModulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC
VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• HighSpeedIGBTH3
• NiedrigeSchaltverluste
• Tvjop=150°C
ElectricalFeatures
• HighSpeedIGBTH3
• LowSwitchingLosses
• Tvjop=150°C
MechanischeEigenschaften
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
MechanicalFeatures
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
150
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom
75
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
300
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
500
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,55
1,70
1,75
1,75
V
V
V
5,80
6,35
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 5,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,15
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
5,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
8,70
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,48
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,25
0,16
0,17
0,175
µs
µs
µs
0,03
0,035
0,035
µs
µs
µs
0,33
0,42
0,44
µs
µs
µs
0,035
0,06
0,07
µs
µs
µs
Eon
1,55
2,45
2,70
mJ
mJ
mJ
IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
2,60
4,40
5,00
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
600
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
2
0,25
0,30 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,30
-40
K/W
150
°C
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
125
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
75
A
IFRM
250
A
I²t
1450
1400
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,70
VF
1,45
1,30
1,35
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
62,0
72,0
75,0
A
A
A
IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,40
5,00
5,60
µC
µC
µC
IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,60
0,95
1,10
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,55
0,65 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
3
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom
75
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
215
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
5,80
6,45
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,60
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,145
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 400 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,95
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
0,19
0,21
0,22
µs
µs
µs
0,02
0,035
0,04
µs
µs
µs
Eon
1,30
2,10
2,30
mJ
mJ
mJ
IC = 75 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 5400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,70
2,40
2,60
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
530
380
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,60
0,70 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
4
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
-40
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
50
A
IFRM
150
A
I²t
1050
985
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,55
VF
2,00
1,70
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
100
120
130
A
A
A
IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,50
7,80
10,0
µC
µC
µC
IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
1,10
2,50
3,30
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,55
0,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,50
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 3200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
-40
V
V
V
150
°C
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
5
kV
2,5
typ.
max.
14
39
nH
125
°C
80
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
6
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
120
105
105
90
90
75
60
45
45
30
30
15
15
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
105
7
90
6
E [mJ]
8
75
5
60
4
45
3
30
2
15
1
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
120
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=3Ω,RGoff=3Ω,VCE=400V
150
IC [A]
75
60
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
135
IC [A]
IC [A]
135
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
7
0
15
30
45
60
75 90
IC [A]
105 120 135 150
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJC=f(t)
10
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9
8
ZthJC : IGBT
7
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
6
5
4
0,01
3
2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0165 0,0605 0,044 0,429
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
1
0
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
0,001
0,001
30
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
180
150
IC, Modul
IC, Chip
160
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
140
105
120
IF [A]
IC [A]
90
100
80
75
60
60
45
40
30
20
0
15
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3Ω,VCE=400V
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=400V
1,6
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,3
1,2
1,1
1,2
1,0
0,9
1,0
E [mJ]
E [mJ]
0,8
0,8
0,7
0,6
0,6
0,5
0,4
0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,0
0
15
30
45
60
75 90
IF [A]
0,0
105 120 135 150
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJC=f(t)
0
3
6
9
12
15 18
RG [Ω]
21
24
27
30
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
150
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
105
1
IC [A]
ZthJC [K/W]
90
75
60
0,1
45
30
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0345 0,1495 0,3105 0,6555
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
15
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
9
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
150
150
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
135
120
105
105
90
90
IC [A]
IC [A]
120
75
60
45
45
30
30
15
15
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=400V
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=400V
6,0
18
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
5,5
5,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
16
14
4,5
4,0
12
E [mJ]
3,5
E [mJ]
75
60
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
3,0
2,5
2,0
10
8
6
1,5
4
1,0
2
0,5
0,0
0
15
30
45
60
75 90
IC [A]
0
105 120 135 150
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
10
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJC=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C
10
180
ZthJC : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
160
140
120
IC [A]
ZthJC [K/W]
1
0,1
100
80
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,036 0,132 0,096 0,936
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
20
0
10
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
800
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
80
4,0
70
3,5
60
3,0
50
2,5
40
2,0
30
1,5
20
1,0
10
0,5
0,0
0,5
1,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
4,5
E [mJ]
IF [A]
100
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=400V
100
0
0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
0,0
3,0
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
11
0
10
20
30
40
50 60
IF [A]
70
80
90
100
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L150R12W2H3_B11
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=50A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJC=f(t)
5,0
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
4,5
ZthJC : Diode
4,0
3,5
1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
0,1
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,042 0,093 0,387 0,528
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,5
0,0
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
0,01
0,001
50
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L150R12W2H3_B11
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-11-26
approvedby:AKDA
revision:3.0
14
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