F3L15MR12W2M1B69BOMA1

F3L15MR12W2M1_B69 EasyPACK™ModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData J VDSS = 1200V ID nom = 75A / IDRM = 150A PotentielleAnwendungen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • DC/DCWandler • SolarAnwendungen • USV-Systeme PotentialApplications • HighFrequencySwitchingapplication • DC/DCconverter • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowinductivedesign • Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175°C, VGS = 15 V 1200  V ID nom  75  A ID pulse  150  A -10 / 20  V Tvj = 25°C VDSS TH = 35°C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS   CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 75 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=30,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 15,0 19,7 22,0 max. 4,50 5,55 mΩ V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,186 µC Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω Ciss 5,52 nF Coss 0,33 nF Crss 0,042 nF Eoss 132 µJ IDSS 0,30 f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25°C VDS = 800 V, VGS = -5 / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C VDS = 0 V Tvj = 25°C ID = 75 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 3,30 Ω ID = 75 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 3,30 Ω ID = 75 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,30 Ω ID = 75 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 3,30 Ω ID = 75 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH di/dt = 6,70 kA/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 3,30 Ω ID = 75 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH du/dt = 32,5 kV/µs (Tvj = 150°C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 3,30 Ω VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C proMOSFET/perMOSFET 400 IGSS 24,0 24,0 24,0 13,0 13,0 13,0 64,0 64,0 64,0 18,0 18,0 18,0 0,55 0,55 0,55 0,44 0,44 0,44 td on tr td off tf Eon Eoff RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 300 -40 nA ns ns ns ns mJ mJ 0,734 Tvj op µA K/W 150 °C BodyDiode/Bodydiode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175°C, VGS = -5 V TH = 35°C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet  min. ISD = 75 A, VGS = -5 V ISD = 75 A, VGS = -5 V ISD = 75 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 2 VSD  A 24 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage VRRM  Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  V IF  60  A IFRM  120  A I²t  330 270  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,75 VF 1,45 1,75 1,85 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 58,8 58,8 58,8 A A A IF = 60 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 0,539 0,539 0,539 µC µC µC IF = 60 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,195 0,195 0,195 mJ mJ mJ RthJH 0,719 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 60 A, VGE = 0 V IF = 60 A, VGE = 0 V IF = 60 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 60 A, - diF/dt = 5700 A/µs (Tvj=150°C) VR = 600 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink 1200 proDiode/perdiode TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 V V V 150 °C Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  1600  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TH = 35°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  75  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 35°C IRMSM  75  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  1150 880  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  6610 3870  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 75 A VF 0,95 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode RthJH 0,978 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 -40 150 °C V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm CTI  > 200  RTI  140 VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 2,5 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G typ.  °C max. 12 39 nH 125 °C 80 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 4 V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 150 150 Tvj = 25°C 125 125 100 100 ID [A] ID [A] Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 75 75 50 50 25 25 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(ID),tr=f(ID),tdoff=f(ID),tf=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=600V,Tvj= 150°C 1000 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 SchaltzeitenMOSFET(typisch) switchingtimesMOSFET(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGS=-5V/15V,IC=75A,VCE=600V,Tvj=150°C 1000 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf t [ns] 100 t [ns] 100 10 1 10 0 Datasheet 15 30 45 60 75 90 ID [A] 1 105 120 135 150 5 0 5 10 15 20 RG [Ohm] 25 30 35 V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=+15V/-5V,RGon=3,3Ω,RGoff=3,3Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=+15V/-5V,ID=75A,VDS=600V 2,0 7,0 Eon, Tvj = 125°C; Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C 1,8 Eon, Tvj = 125°C ;Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C 6,5 6,0 1,6 5,5 1,4 5,0 4,5 4,0 E [mJ] E [mJ] 1,2 1,0 3,5 3,0 0,8 2,5 0,6 2,0 0,4 1,5 1,0 0,2 0,0 0,5 0 15 30 45 60 75 90 ID [A] 0,0 105 120 135 150 SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,Tvj=150°C,RG=3.3Ω 0 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 35 TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 175 1 ID, Modul ID, Chip ZthJH: MOSFET 150 125 ID [A] ZthJH [K/W] 100 75 0,1 50 25 0 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,042 0,147 0,209 0,336 τi[s]: 0,00216 0,0155 0,12 0,359 0 Datasheet 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 1400 0,01 0,001 6 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(IF) RGon=3,3Ω,VCE=600V 120 0,25 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C ; Erec, Tvj = 150°C 100 0,20 80 E [mJ] IF [A] 0,15 60 0,10 40 0,05 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 0,00 3,0 SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesDiode,3-Level(typical) Erec=f(RG) IF=60A,VCE=600V 0 20 40 60 IF [A] 80 100 120 TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedanceDiode,3-Level ZthJH=f(t) 0,25 1 Erec, Tvj = 125°C ; Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 0,20 0,1 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,15 0,10 0,01 0,05 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,051 0,159 0,197 0,312 τi[s]: 0,00212 0,0126 0,0693 0,317 0,00 0 Datasheet 5 10 15 20 RG [Ω] 25 30 35 0,001 0,001 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical) IF=f(VF) TransienterWärmewiderstandDiode,Gleichrichter transientthermalimpedanceDiode,Rectifier ZthJH=f(t) 150 10 Tvj = 25°C Tvj = 150°C ZthJH: Diode 125 1 ZthJH [K/W] IF [A] 100 75 0,1 50 0,01 25 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,047 0,155 0,745 0,031 τi[s]: 0,00275 0,0361 0,214 2,73 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 8 V2.0 2019-03-12 F3L15MR12W2M1_B69 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram J Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 9 V2.0 2019-03-12 Trademarks All referenced product or service names and trademarks are the property of their respective owners. Edition 2019-03-12 Published by Infineon Technologies AG 81726 München, Germany © 2019 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Do you have a question about this document? Email: erratum@infineon.com WICHTIGER HINWEIS Die in diesem Dokument enthaltenen Angaben stellen keinesfalls Garantien für die Beschaffenheit oder Eigenschaften des Produktes (“Beschaffenheitsgarantie“) dar. Für Beispiele, Hinweise oder typische Werte, die in diesem Dokument enthalten sind, und/oder Angaben, die sich auf die Anwendung des Produktes beziehen, ist jegliche Gewährleistung und Haftung von Infineon Technologies ausgeschlossen, einschließlich, ohne hierauf beschränkt zu sein, die Gewähr dafür, dass kein geistiges Eigentum Dritter verletzt ist. Des Weiteren stehen sämtliche, in diesem Dokument enthaltenen Informationen, unter dem Vorbehalt der Einhaltung der in diesem Dokument festgelegten Verpflichtungen des Kunden sowie aller im Hinblick auf das Produkt des Kunden sowie die Nutzung des Infineon Produktes in den Anwendungen des Kunden anwendbaren gesetzlichen Anforderungen, Normen und Standards durch den Kunden. Die in diesem Dokument enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für die beabsichtigte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der in diesem Dokument enthaltenen Produktdaten für diese Anwendung obliegt den technischen Fachabteilungen des Kunden. Sollten Sie von uns weitere Informationen im Zusammenhang mit dem Produkt, der Technologie, Lieferbedingungen bzw. Preisen benötigen, wenden Sie sich bitte an das nächste Vertriebsbüro von Infineon Technologies (www.infineon.com). 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