TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
VCES = 1200V
IC nom = 15A / ICRM = 30A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• Lowinductivedesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
15
20
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
30
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
145
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
VGEth
5,0
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,075
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
0,875
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,045
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
tr
0,025
0,026
0,027
µs
µs
µs
td off
0,27
0,31
0,32
µs
µs
µs
tf
0,02
0,03
0,035
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGon = 35 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGon = 35 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGoff = 35 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGoff = 35 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH
VGE = 15 V, di/dt = 700 A/µs (Tvj = 150°C)
RGon = 35 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
0,40
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 35 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,37
0,53
0,54
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,95
1,05 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,80
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
48
150
A
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
15
A
IFRM
50
A
I²t
40,0
34,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
1,75
1,75
2,15
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
36,0
38,0
38,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,05
2,10
2,40
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,40
0,66
0,70
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,30
1,45 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,05
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,3-Level/IGBT,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
30
A
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
15
25
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
150
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,20
1,25
1,25
1,45
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,035
0,035
0,035
µs
µs
µs
tr
0,01
0,012
0,013
µs
µs
µs
td off
0,34
0,38
0,39
µs
µs
µs
tf
0,045
0,07
0,075
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 15 A, VCE = 350 V
VGE = 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,19
0,26
0,28
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 15 A, VCE = 350 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 2600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,47
0,60
0,64
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,90
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
4
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
1,00 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
K/W
150
°C
Diode,3-Level/Diode,3-Level
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
32,0
28,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 700 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
typ.
A²s
A²s
max.
1,45 t.b.d.
1,35
1,30
V
V
V
13,0
15,0
16,0
A
A
A
Qr
0,60
1,00
1,15
µC
µC
µC
Erec
0,12
0,18
0,22
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,95
2,15 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
13,5
7,5
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
12,0
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL
kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
25
nH
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
Gewicht
Weight
G
36
g
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Storagetemperature
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
30
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
24
24
21
21
18
18
15
15
12
12
9
9
6
6
3
3
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
27
IC [A]
IC [A]
27
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=35Ω,RGoff=35Ω,VCE=350V
30
2,4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,2
25
2,0
1,8
20
1,6
E [mJ]
IC [A]
1,4
15
1,2
1,0
10
0,8
0,6
5
0,4
0,2
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
7
0
3
6
9
12
15 18
IC [A]
21
24
27
30
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
3,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,5
ZthJH : IGBT
ZthJH [K/W]
E [mJ]
2,0
1,5
1
1,0
0,5
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,129 0,286 0,718 0,617
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=35Ω,Tvj=150°C
40
IC, Modul
IC, Chip
35
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
24
30
21
18
IF [A]
IC [A]
25
20
15
12
15
9
10
6
5
0
3
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
8
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=350V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=350V
1,0
1,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,9
E [mJ]
E [mJ]
0,9
15
IF [A]
20
25
0,0
30
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
30,0
ZthJH: Diode
27,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25,0
22,5
17,5
IC [A]
ZthJH [K/W]
20,0
1
15,0
12,5
10,0
7,5
5,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,312 0,512 0,904 0,622
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
2,5
0,0
0,00
10
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
9
0,25
0,50
0,75
1,00 1,25
VCE [V]
1,50
1,75
2,00
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch)
outputcharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch)
transfercharacteristicIGBT,3-Level(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
30
30
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
25
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
25
20
IC [A]
IC [A]
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=350V
5
6
7
8
VGE [V]
9
10
11
SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch)
switchinglossesIGBT,3-Level(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=15A,VCE=350V
1,2
2,00
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,75
1,50
0,8
E [mJ]
E [mJ]
1,25
0,6
1,00
0,75
0,4
0,50
0,2
0,25
0,0
0
5
10
15
IC [A]
20
25
0,00
30
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
10
0
15
30
45
60
75 90
RG [Ω]
105 120 135 150
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level
transientthermalimpedanceIGBT,3-Level
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,3-Level(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
10
40
ZthJH: IGBT
IC, Modul
IC, Chip
35
30
IC [A]
ZthJH [K/W]
25
1
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,3-Level(typical)
IF=f(VF)
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(IF)
RGon=35Ω,VCE=350V
30
0,30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,25
24
21
0,20
E [mJ]
IF [A]
18
15
0,15
12
0,10
9
6
0,05
3
0
0,0
0,5
1,0
VF [V]
1,5
0,00
2,0
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
11
0
5
10
15
IF [A]
20
25
30
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L15R12W2H3_B27
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch)
switchinglossesDiode,3-Level(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=350V
TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level
transientthermalimpedanceDiode,3-Level
ZthJH=f(t)
0,30
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH: Diode
0,25
ZthJH [K/W]
E [mJ]
0,20
0,15
1
0,10
0,05
0,00
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
30
60
90
0,1
0,001
120 150 180 210 240 270 300
RG [Ω]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L15R12W2H3_B27
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-25
approvedby:MB
revision:2.0
14
