F3L200R07W2S5F_B11
EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/NTC
EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/NTC
J
VCES = 650V
IC nom = 100A / ICRM = 200A
PotentielleAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Motorantriebe
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
PotentialApplications
• 3-level-applications
• Motordrives
• Solarapplications
• UPSsystems
ElektrischeEigenschaften
• CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• CoolSiCTMSchottkydiodegen5
• Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V
• Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
200
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
95
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,17
1,20
1,21
1,38
V
V
V
4,00
4,75
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V
QG
0,84
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
14,3
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,05
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGEth
Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
3,25
0,097
0,087
0,082
µs
µs
µs
0,046
0,05
0,054
µs
µs
µs
0,654
0,687
0,704
µs
µs
µs
0,029
0,033
0,033
µs
µs
µs
Eon
2,79
3,20
3,51
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
1,21
1,48
1,61
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
ISC
1600
A
0,814
K/W
td on
tr
td off
tf
RthJH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
Tvj op
2
-40
150
°C
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
200
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
95
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,17
1,20
1,21
1,38
V
V
V
4,00
4,75
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 100 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V
QG
0,84
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
14,3
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,05
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V
ICES
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGEth
Tvj = 25°C
3,25
0,044 mA
IGES
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 100 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 39 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT
100
µs
µs
µs
0,037
0,043
0,046
µs
µs
µs
0,651
0,685
0,695
µs
µs
µs
0,018
0,024
0,026
µs
µs
µs
Eon
2,18
2,56
2,79
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
1,28
1,65
1,80
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
ISC
1600
A
0,814
K/W
tr
td off
tf
Tvj op
3
nA
0,098
0,087
0,085
td on
RthJH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
VCE sat
-40
150
°C
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
120
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
100
A
IFRM
240
A
I²t
700
690
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,65
VF
1,38
1,49
1,52
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
58,3
74,4
77,6
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,10
5,40
5,50
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,50
0,57
0,69
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJH
1,15
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
V
V
V
150
°C
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
150
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
100
A
IFRM
300
A
I²t
770
690
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,55
VF
1,33
1,29
1,26
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
47,6
49,8
52,7
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
1,90
2,00
2,10
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
0,527
0,965
1,11
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJH
0,953
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Datasheet
Tvj op
4
-40
150
V
V
V
°C
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Diode,D5-D6/Diode,D5-D6
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
650
V
ImplementierterDurchlassstrom
Implementedforwardcurrent
IFN
120
A
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
IF
100
A
IFRM
240
A
I²t
700
690
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,65
VF
1,38
1,49
1,52
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
58,3
74,4
77,6
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
3,10
5,40
5,50
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
0,50
0,57
0,69
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJH
1,15
K/W
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
IF = 100 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
CTI
> 200
RTI
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.)
RTIElec.
Gehäuse
housing
kV
2,5
°C
140
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
typ.
max.
20
39
nH
125
°C
80
N
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
Datasheet
6
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
200
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
160
160
140
140
120
120
IC [A]
IC [A]
180
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0,0
0,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,0
VCE [V]
1,5
0
2,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V
200
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
160
8
140
6
E [mJ]
IC [A]
120
100
80
4
60
40
2
20
0
3
Datasheet
4
5
VGE [V]
6
0
7
7
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IC [A]
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V
SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch)
switchingtimesIGBT,T1/T4(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V,Tvj=150°C
25
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdon
tr
tdoff
tf
1
20
t [µs]
E [mJ]
15
0,1
10
5
0
0
40
80
0,01
120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch)
switchingtimesIGBT,T1/T4(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V,Tvj=150°C
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IC [A]
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
ZthJH=f(t)
1
tdon
tr
tdoff
tf
1
ZthJH : IGBT
t [µs]
ZthJH [K/W]
0,1
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0195
0,0945 0,534 0,166
τi[s]:
0,000923 0,0173 0,184 0,539
0,001
0
Datasheet
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
0,01
0,001
8
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=39Ω,Tvj=150°C
KapazitätsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
100000
IC, Modul
IC, Chip
Cies
Coes
Cres
10000
300
1000
IC [A]
C [pF]
400
200
100
100
10
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
1
700
GateladungsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
VGE=f(QG)
IC=200A,Tvj=25°C
0
10
20
30
40
50 60
VCE [V]
70
80
90
100
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
15
200
VCC = 400V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
10
160
140
5
IC [A]
VGE [V]
120
0
100
80
-5
60
40
-10
20
-15
0,0
Datasheet
0,1
0,2
0,3
0,4 0,5
QG [µC]
0,6
0,7
0,8
0
0,9
9
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
200
200
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
180
180
160
140
140
120
120
IC [A]
IC [A]
160
100
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
0
2,0
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V
3,0
4,0
5,0
VGE [V]
6,0
7,0
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V
20
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
6
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
18
16
5
14
12
E [mJ]
E [mJ]
4
10
3
8
6
2
4
1
2
0
0
Datasheet
20
40
60
80
0
100 120 140 160 180 200
IC [A]
10
0
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch)
switchingtimesIGBT,T2/T3(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V,Tvj=150°C
SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch)
switchingtimesIGBT,T2/T3(typical)
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V,Tvj=150°C
10
tdon
tr
tdoff
tf
1
tdon
tr
tdoff
tf
t [µs]
t [µs]
1
0,1
0,1
0,01
0
20
40
60
80
0,01
100 120 140 160 180 200
IC [A]
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
0
40
80
120 160 200 240 280 320 360 400
RG [Ω]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=39Ω,Tvj=150°C
1
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
400
IC [A]
ZthJH [K/W]
300
0,1
200
100
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0195
0,0945 0,534 0,166
τi[s]:
0,000923 0,0173 0,184 0,539
0,01
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
11
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
KapazitätsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
C=f(VCE)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz
GateladungsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
VGE=f(QG)
IC=200A,Tvj=25°C
100000
15
Cies
Coes
Cres
VCC = 400 V
10
10000
5
C [pF]
VGE [V]
1000
0
100
-5
10
1
-10
0
10
20
30
40
50 60
VCE [V]
70
80
90
-15
100
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4 0,5
QG [µC]
0,6
0,7
0,8
0,9
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V
200
1,00
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
160
0,75
140
E [mJ]
IF [A]
120
100
0,50
80
60
0,25
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,00
VF [V]
Datasheet
12
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IF [A]
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
1,00
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,75
ZthJH [K/W]
E [mJ]
1
0,50
0,1
0,25
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,067
0,204 0,438 0,441
τi[s]:
0,00106 0,0156 0,203 0,203
0,00
0
20
40
60
80
0,01
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V
200
2,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
160
1,5
140
E [mJ]
IF [A]
120
100
1,0
80
60
0,5
40
20
0
0,0
Datasheet
0,5
1,0
VF [V]
1,5
2,0
0,0
13
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IF [A]
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
1,5
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
1,0
0,5
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,032
0,129 0,382 0,41
τi[s]:
0,000674 0,0117 0,0873 0,307
0,0
0
20
40
60
80
0,01
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V
200
1,00
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
180
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
160
0,75
140
E [mJ]
IF [A]
120
100
0,50
80
60
0,25
40
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
0,00
VF [V]
Datasheet
14
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
IF [A]
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(RG)
IF=100A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6
transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
ZthJH=f(t)
1,00
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
0,75
ZthJH [K/W]
E [mJ]
1
0,50
0,1
0,25
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,067
0,204 0,438 0,441
τi[s]:
0,00106 0,0156 0,203 0,203
0,00
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(TNTC)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
25
50
75
TNTC [°C]
100
125
150
15
V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
16
V3.0
2020-06-29
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2020-06-29
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