F3L400R10W3S7B11BPSA1

F3L400R10W3S7_B11 EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™IGBT7undEmitterControlled7DiodeundPressFIT/NTC EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7andEmitterControlled7diodeandPressFIT/NTC VCES = 950V IC nom = 400A / ICRM = 800A PotentielleAnwendungen • 3-Level-Applikationen • SolarAnwendungen PotentialApplications • 3-level-applications • Solarapplications ElektrischeEigenschaften • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • TrenchstopTMIGBT7 ElectricalFeatures • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses • TrenchstopTMIGBT7 MechanischeEigenschaften • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  950  V ICN  400  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  235  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,40 1,48 1,50 1,61 V V V 5,10 5,85 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 6,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,90 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,75 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,2 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,078 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 950 V, VGE = 0 V ICES 0,07 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Tvj = 25°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH di/dt = 5800 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 4,35 0,089 0,092 0,093 µs µs µs 0,022 0,026 0,027 µs µs µs 0,27 0,34 0,36 µs µs µs 0,041 0,075 0,088 µs µs µs Eon 5,00 7,05 7,50 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 4,30 7,16 8,00 mJ mJ mJ tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C ISC 1200 A 0,224 K/W td on tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat Tvj op 2 -40 150 °C V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  950  V ICN  400  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  380  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,07 1,04 1,02 1,14 V V V 4,90 5,65 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 6,50 mA, VCE = 20 V, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 4,10 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,75 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 49,2 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,228 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 950 V, VGE = 0 V ICES 0,07 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Tvj = 25°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH di/dt = 5200 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH du/dt = 1200 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 4,15 0,189 0,191 0,192 µs µs µs 0,026 0,032 0,034 µs µs µs 0,76 0,92 0,94 µs µs µs 0,23 0,44 0,49 µs µs µs Eon 3,10 4,00 4,30 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 24,5 35,3 37,9 mJ mJ mJ tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C ISC 1200 A 0,200 K/W td on tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat Tvj op 3 -40 150 °C V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 IGBT,T5/T6/IGBT,T5/T6 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  950  V ICN  200  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  140  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,68 1,88 1,92 1,98 V V V 5,10 5,85 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 150 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,25 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 0,45 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 12,6 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,039 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 950 V, VGE = 0 V ICES 0,05 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VGEth Tvj = 25°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 500 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH di/dt = 5300 A/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH du/dt = 6000 V/µs (Tvj = 150°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT 4,35 0,086 0,095 0,096 µs µs µs 0,02 0,022 0,023 µs µs µs 0,18 0,22 0,23 µs µs µs 0,032 0,089 0,112 µs µs µs Eon 5,00 6,43 6,79 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eoff 3,73 6,35 7,26 mJ mJ mJ tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C ISC 600 A 0,340 K/W td on tr td off tf RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat Tvj op 4 -40 150 °C V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  950  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  200  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  150  A IFRM  400  A I²t  1620 1530  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,58 VF 2,33 2,12 2,08 IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 119 173 189 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 5,84 11,6 14,0 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1,70 3,62 4,53 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJH 0,460 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 V V V 150 °C Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  950  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  200  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  150  A IFRM  400  A I²t  1620 1530  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,58 VF 2,33 2,12 2,08 IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 154 189 200 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 6,65 14,9 20,0 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 2,39 6,24 7,49 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJH 0,552 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 5 -40 150 V V V °C V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 Diode,D5-D6/Diode,D5-D6 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  950  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  200  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  150  A IFRM  400  A I²t  1620 1530  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,58 VF 2,33 2,12 2,08 IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 145 189 205 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 7,70 15,0 18,7 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 500 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 2,59 5,01 6,44 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJH 0,490 K/W Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 V V V °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 6 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  9,6 5,8  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  8,8 4,7  mm CTI  > 400 RTI  VISOL  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing  kV 3,2    °C 140 min. typ. max. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 125 °C M 1,30 1,50 Nm Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Schraube-Montagegem.gültigerApplikationsschrift Screw-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Gewicht Weight G 15 78 nH g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. IGBT- und Dioden-RthJH-Parameter mit einer Wärmeleitpaste λPaste = 3.3 W/(m·K) gemessen IGBT- and diode- RthJH parameters measured with thermal grease of λpaste = 3.3 W/(m·K) Datasheet 7 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 300 300 250 250 200 200 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 150 150 100 100 50 50 0 0,0 0,5 1,0 VCE [V] 1,5 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0 2,0 0,0 3,0 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V 300 18 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 250 15 200 12 E [mJ] IC [A] 2,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 150 9 100 6 50 3 0 1,0 4 Datasheet 5 6 VGE [V] 7 0 8 8 0 50 100 150 IC [A] 200 250 300 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=500V SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch) switchingtimesIGBT,T1/T4(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V,Tvj=150°C 30 10 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C tdon tr tdoff tf 25 1 t [µs] E [mJ] 20 15 0,1 10 0,01 5 0 0 10 20 RG [Ω] 30 40 SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch) switchingtimesIGBT,T1/T4(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=500V,Tvj=150°C 0,001 0 50 100 150 IC [A] 200 250 300 TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 10 1 tdon tr tdoff tf ZthJH : IGBT 0,1 t [µs] ZthJH [K/W] 1 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0046 0,0214 0,099 0,099 τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146 0,01 0 Datasheet 10 20 RG [Ω] 30 40 0,001 0,001 9 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3,9Ω,Tvj=150°C KapazitätsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) capacitycharacteristicIGBT,T1/T4(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz 900 1000 IC, Modul IC, Chip Cies Coes Cres 800 100 700 600 10 IC [A] C [nF] 500 400 1 300 200 0,1 100 0 0 0,01 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 VCE [V] GateladungsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,T1/T4(typical) VGE=f(QG) IC=400A,Tvj=25°C 0 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 300 VCC = 600 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 10 250 5 200 IC [A] VGE [V] 20 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 15 0 150 -5 100 -10 50 -15 10 0,0 Datasheet 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 QG [µC] 0,7 0,8 0,9 0 1,0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 10 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 300 300 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 250 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 250 200 IC [A] IC [A] 200 150 150 100 100 50 50 0 0,0 0,5 1,0 0 1,5 4,0 5,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V 6,0 VGE [V] 7,0 8,0 30 40 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=500V 60 50 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 50 40 40 E [mJ] E [mJ] 30 30 20 20 10 10 0 0 Datasheet 50 100 150 IC [A] 200 250 0 300 11 0 10 20 RG [Ω] V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch) switchingtimesIGBT,T2/T3(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V,Tvj=150°C SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch) switchingtimesIGBT,T2/T3(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=300A,VCE=500V,Tvj=150°C 100 10 tdon tr tdoff tf tdon tr tdoff tf 10 t [µs] t [µs] 1 1 0,1 0,1 0,01 0 50 100 150 IC [A] 200 250 0,01 300 TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) 0 10 20 RG [Ω] 30 40 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3,9Ω,Tvj=150°C 1 900 ZthJH : IGBT IC, Modul IC, Chip 800 700 0,1 600 IC [A] ZthJH [K/W] 500 400 0,01 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0044 0,0191 0,0882 0,0883 τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 100 0 10 12 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 VCE [V] V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 KapazitätsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) capacitycharacteristicIGBT,T2/T3(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz GateladungsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,T2/T3(typical) VGE=f(QG) IC=400A,Tvj=25°C 1000 15 Cies Coes Cres VCC = 600 V 10 100 5 C [nF] VGE [V] 10 0 1 -5 0,1 0,01 -10 0 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 -15 100 0,0 3,0 4,0 5,0 AusgangskennlinienfeldIGBT,T5/T6(typisch) outputcharacteristicIGBT,T5/T6(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 300 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 250 250 200 200 IC [A] IC [A] 2,0 QG [µC] AusgangskennlinieIGBT,T5/T6(typisch) outputcharacteristicIGBT,T5/T6(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 150 100 50 50 0,0 1,0 2,0 0 3,0 VCE [V] Datasheet VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 150 100 0 1,0 13 0,0 1,0 2,0 VCE [V] 3,0 4,0 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T5/T6(typisch) transfercharacteristicIGBT,T5/T6(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,T5/T6(typisch) switchinglossesIGBT,T5/T6(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V 300 15 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 250 12 200 E [mJ] IC [A] 9 150 6 100 3 50 0 4 5 6 7 8 0 9 0 50 100 VGE [V] SchaltverlusteIGBT,T5/T6(typisch) switchinglossesIGBT,T5/T6(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=500V 150 IC [A] 200 250 300 SchaltzeitenIGBT,T5/T6(typisch) switchingtimesIGBT,T5/T6(typical) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) VGE=±15V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VCE=500V,Tvj=150°C 30 10 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C tdon tr tdoff tf 25 1 t [µs] E [mJ] 20 15 10 0,1 5 0 0 Datasheet 10 20 RG [Ω] 30 40 0,01 14 0 50 100 150 IC [A] 200 250 300 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 SchaltzeitenIGBT,T5/T6(typisch) switchingtimesIGBT,T5/T6(typical) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) VGE=±15V,IC=150A,VCE=500V,Tvj=150°C TransienterWärmewiderstandIGBT,T5/T6 transientthermalimpedanceIGBT,T5/T6 ZthJH=f(t) 1 1 tdon tr tdoff tf ZthJH : IGBT ZthJH [K/W] t [µs] 0,1 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0075 0,0325 0,15 0,15 τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146 0,01 0 10 20 RG [Ω] 30 40 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T5/T6(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T5/T6(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3,9Ω,Tvj=150°C 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 KapazitätsCharakteristikIGBT,T5/T6(typisch) capacitycharacteristicIGBT,T5/T6(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz 500 100 IC, Modul IC, Chip Cies Coes Cres 400 10 IC [A] C [nF] 300 1 200 0,1 100 0 0 Datasheet 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 VCE [V] 0,01 15 0 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 GateladungsCharakteristikIGBT,T5/T6(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,T5/T6(typical) VGE=f(QG) IC=200A,Tvj=25°C DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 15 300 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 10 250 5 200 IF [A] VGE [V] VCC = 600 V 0 150 -5 100 -10 50 -15 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0 0,5 0,0 1,0 QG [µC] SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=3,9Ω,VCE=500V 2,0 VF [V] 3,0 4,0 30 40 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=500V 8 6 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 6 E [mJ] E [mJ] 4 4 2 2 0 0 Datasheet 50 100 150 IF [A] 200 250 0 300 16 0 10 20 RG [Ω] V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 1 300 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 250 200 IF [A] ZthJH [K/W] 0,1 0,01 150 100 50 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,025 0,114 0,16 0,161 τi[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=3,9Ω,VCE=500V 0,0 1,0 2,0 VF [V] 3,0 4,0 30 40 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=500V 12 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 10 8 8 E [mJ] E [mJ] 6 6 4 4 2 2 0 0 Datasheet 50 100 150 IF [A] 200 250 0 300 17 0 10 20 RG [Ω] V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical) IF=f(VF) 1 300 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 250 200 IF [A] ZthJH [K/W] 0,1 0,01 150 100 50 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,021 0,1 0,215 0,216 τi[s]: 0,0005 0,0114 0,112 0,112 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(IF) RGon=3,9Ω,VCE=500V 0,0 1,0 2,0 VF [V] 3,0 4,0 30 40 SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=500V 15 8 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 12 6 E [mJ] E [mJ] 9 4 6 2 3 0 0 Datasheet 50 100 150 IF [A] 200 250 0 300 18 0 10 20 RG [Ω] V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6 transientthermalimpedanceDiode,D5-D6 ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(TNTC) 1 100000 ZthJH : Diode 10000 R[Ω] ZthJH [K/W] 0,1 1000 0,01 100 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,029 0,121 0,17 0,17 τi[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 10 19 0 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 V3.0 2020-02-27 F3L400R10W3S7_B11 Schaltplan/Circuitdiagram emically, an meter is always sideration of ( 4,2) B dimensioned for EJOT Delta PT WN5451 25 choose length according to pcb thickness 4x 0,25 A B C pcb hole pattern 3,5 4x ( 2,3) Dome 4x DC+ 26 62 0,45 5,4 0,1 2x 14 DC- N N 24 20,8 17,6 14,4 0 E4 G4 NTC1 NTC2 2x 12 according to screw head washer Gehäuseabmessungen/Packageoutlines 0 0,25 A B C 4,8 8 2x 14 26 20,8 24 C1 G1 E5 G6 E3 G3 E6 G2 AC AC ,4) ( 3 44,4 47,4 49,7 0 C2 G5 E2 49,7 47,4 44,4 E1 36,08 29,68 26,48 23,28 20,08 16,88 13,68 10,48 7,28 4,08 C 0 4,08 7,28 10,48 13,68 16,88 20,08 23,28 26,48 29,68 109,9 0,45 (12) (16,4) 12,2 0,1 A recommended design hight pin grid 3,2mm 0,1 if not specified otherwise tolerance of pcb hole pattern hole specification for contacts: see AN 2009-01 diameters of drill: 1,15mm copper thickness in hole: 25-50 m Datasheet 20 V3.0 2020-02-27 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-02-27 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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