TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
J
VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• 3-level-applications
• Solarapplications
ElektrischeEigenschaften
• HighSpeedIGBTH3
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• HighspeedIGBTH3
• Lowinductivedesign
• Lowswitchinglosses
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• 3kVAC1minIsolationsfestigkeit
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• 3kVAC1mininsulation
• Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign
• PressFITcontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
1200
V
ICN
75
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
275
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,45
1,55
1,60
1,70
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 2,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,57
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,40
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,235
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,00
0,03
0,03
0,03
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
0,25
0,32
0,34
µs
µs
µs
0,025
0,04
0,045
µs
µs
µs
Eon
0,40
0,60
0,70
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 2400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,05
1,60
1,75
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
270
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
2
0,500 0,550 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,450
-40
K/W
150
°C
Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
30
A
IFRM
50
A
I²t
90,0
75,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,40
VF
1,85
1,90
1,90
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
72,0
80,0
82,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
2,35
2,85
3,70
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,80
1,30
1,35
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,950 1,05 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,850
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
3
-40
V
V
V
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
650
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
150
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
5,80
6,50
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 400 V
VGE = 15 V
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, di/dt = 2600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 10 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,90
0,022
0,025
0,025
µs
µs
µs
0,01
0,012
0,012
µs
µs
µs
0,16
0,18
0,185
µs
µs
µs
0,025
0,037
0,04
µs
µs
µs
Eon
0,34
0,50
0,53
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 400 V, LS = 40 nH
Tvj = 25°C
VGE = 15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 10 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,85
1,15
1,20
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,900 1,00 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,850
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
4
-40
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
130
115
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,65
VF
1,45
1,35
1,30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
42,0
48,0
50,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,80
2,40
2,60
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,45
0,65
0,73
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
1,00
1,20 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,700
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 400 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
-40
150
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
5
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
AI2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
mΩ
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
Gewicht
Weight
G
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
6
max.
30
-40
preparedby:CM
typ.
LsCE
Tstg
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.
kV
3,0
24
125
°C
80
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinieIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,T1-T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
50
50
40
40
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
2,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1-T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1-T4(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
2,5
3,0
50
60
3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
2,5
40
2,0
E [mJ]
IC [A]
2,0
SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=400V
60
30
1,0
10
0,5
5
6
7
8
9
0,0
10
VGE [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,5
20
0
1,5
VCE [V]
0
10
20
30
IC [A]
40
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteIGBT,T1-T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1-T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandIGBT,T1-T4
transientthermalimpedanceIGBT,T1-T4
ZthJH=f(t)
4,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
ZthJH : IGBT
ZthJH [K/W]
E [mJ]
3,0
2,0
1
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,032 0,062 0,312 0,543
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
0,1
0,001
70
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1-T4(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1-T4(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF)
70
50
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
60
40
50
35
30
IF [A]
IC [A]
40
30
25
20
15
20
10
10
5
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
8
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(IF)
RGon=10Ω,VCE=400V
SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V
2,0
1,6
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
1,6
1,2
1,4
1,0
E [mJ]
E [mJ]
1,2
1,0
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
5
0,0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
40
50 60
RG [Ω]
70
80
90
100
AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
60
ZthJH: Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
54
48
42
IC [A]
ZthJH [K/W]
36
1
30
24
18
12
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15
0,323 0,739 0,588
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
6
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
9
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
3,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
60
60
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
54
48
42
42
36
36
IC [A]
IC [A]
48
30
30
24
24
18
18
12
12
6
6
0
0,0
0,5
1,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
54
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=400V
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=400V
2,5
4,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
2,0
3,0
2,5
E [mJ]
E [mJ]
1,5
1,0
2,0
1,5
1,0
0,5
0,5
0,0
0
10
20
30
IC [A]
40
50
0,0
60
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
10
0
10
20
30
40
50 60
RG [Ω]
70
80
90
100
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3
ZthJH=f(t)
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C
10
70
ZthJH: IGBT
IC, Modul
IC, Chip
60
40
IC [A]
ZthJH [K/W]
50
1
30
20
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF)
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
700
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=400V
60
1,00
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,90
50
0,80
45
0,70
40
0,60
E [mJ]
IF [A]
35
30
25
0,50
0,40
20
0,30
15
0,20
10
0,10
5
0
0,0
0,5
1,0
VF [V]
1,5
0,00
2,0
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
11
0
10
20
30
IF [A]
40
50
60
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F3L75R12W1H3_B27
IGBT-Modul
IGBT-Module
SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=400V
TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
ZthJH=f(t)
0,90
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,80
ZthJH: Diode
0,70
ZthJH [K/W]
E [mJ]
0,60
0,50
0,40
1
0,30
0,20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,25
0,3
0,5 0,65
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,10
0,00
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
0,1
0,001
60
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
12
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
13
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
F3L75R12W1H3_B27
Publishedby
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81726München,Germany
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preparedby:CM
dateofpublication:2016-04-04
approvedby:AKDA
revision:V3.2
14
