F4-50R07W2H3_B51

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 EasyBRIDGEModulmitCoolMOSundPressFIT/NTC EasyBRIDGEmodulewithCoolMOSandPressFIT/NTC VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A TypischeAnwendungen • SolarAnwendungen TypicalApplications • SolarApplications ElektrischeEigenschaften • ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • NiederinduktivesDesign • NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures • Increasedblockingvoltagecapabilityto650V • LowInductiveDesign • LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITContactTechnology ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES  650  V ICN  50  A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 75°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 25 65  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  100  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  215  W VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat A A typ. max. 1,35 1,40 1,40 1,70 V V V 5,80 6,50 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,95 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,096 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1250 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 15 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,00 0,014 0,014 0,014 µs µs µs 0,019 0,02 0,02 µs µs µs 0,29 0,32 0,33 µs µs µs 0,012 0,012 0,012 µs µs µs Eon 1,05 1,20 1,30 mJ mJ mJ IC = 25 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 20 Ω Tvj = 150°C Eoff 0,30 0,40 0,45 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 330 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C td on tr td off tf RthJC 2 0,65 0,70 K/W TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op 0,85 -40 K/W 150 °C Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  650  V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN  30  A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF  30  A IFRM  60  A I²t  90,0 82,0 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min.  A²s A²s typ. max. 2,00 VF 1,60 1,55 1,50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 21,5 26,5 29,0 A A A IF = 30 A, - diF/dt = 1450 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 1,15 2,15 2,45 µC µC µC IF = 30 A, - diF/dt = 1450 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,25 0,46 0,55 mJ mJ mJ RthJC 1,25 1,35 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,35 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V IF = 30 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 30 A, - diF/dt = 1450 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 3 -40 150 V V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Bypass-Diode/Bypass-Diode HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM  800  V DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip TC = 80°C MaximumRMSforwardcurrentperchip IFRMSM  50  A GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM  75  A StoßstromGrenzwert Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM  800 640  A A Grenzlastintegral I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t  3200 2050  A²s A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 50 A VF 0,90 V Sperrstrom Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 800 V IR 0,20 mA Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,45 0,50 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,45 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  650  V IF  16  A IFRM  32  A I²t  32,0  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,50 1,65 1,70 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 16 A, VGE = 0 V IF = 16 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 16 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C IRM 10,0 10,5 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 16 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Qr 0,22 0,225 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 16 A, - diF/dt = 1400 A/µs (Tvj=125°C) VR = 400 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec 0,02 0,02 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,20 1,30 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 1,15 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 4 VF -40 125 V V °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Source-Spitzenspannung Gate-sourcepeakvoltage Tvj = 25°C VDSS  650  V TC = 100°C TC = 25°C ID nom  ID 30 50  ID puls  100  A Ptot  520  W VGSS  +/-20  V TC = 25°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse min. ID = 30 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C RDS on ID = 3,30 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C VGS(th) 2,50 A A typ. max. 38,0 42,0 mΩ 3,00 3,50 V VGS = 10 V, VDD= 480 V QG 0,33 µC Tvj = 25°C RGint 0,7 Ω f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Ciss 8,00 nF f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Coss 7,50 nF f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V Crss 0,80 nF VDS = 650 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C IDSS 2,00 µA VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C IGSS 100 nA ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V VGS = 10 V RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH VGS = 10 V, di/dt = 1600 A/µs (Tvj = 150) RG = 7,50 Ω ID = 30 A, VDS = 400 V, Lσ = 25 nH VGS = 10 V, du/dt = 19500 V/µs (Tvj = 150) RG = 7,50 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro MOS-FET / per MOS-FET Thermalresistance,casetoheatsink λPaste = 1 W/(m*K) /λgrease = 1 W/(m*K) TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 20,0 17,5 16,0 15,0 15,5 16,0 210 220 220 7,50 9,00 9,00 0,32 0,36 0,37 0,08 0,09 0,095 td on tr td off tf Eon Eoff preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 5 ns mJ mJ 0,40 K/W RthCH 0,40 K/W -40 min. Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ns 0,35 Revers-Diode/reverse-diode IS = 50 A, VGS = 0 V IS = 50 A, VGS = 0 V IS = 50 A, VGS = 0 V ns RthJC Tvj op Durchlassspannung Forwardvoltage ns VSD 150 typ. 0,85 0,70 °C max. 1,30 V TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 ∆R/R -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  11,5 6,3  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  10,0 5,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex VISOL  CTI  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature nH RCC'+EE' 3,00 mΩ Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 Gewicht Weight G dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 6 max. 17 -40 preparedby:MB typ. LsCE Tstg Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.  > 200 min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  kV 2,5 39 125 °C 80 N g TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-50R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 50 50 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 40 40 35 35 30 30 25 25 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0,0 0,2 0,4 0,6 VGE = 19 V VGE = 17V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 45 IC [A] IC [A] 45 0,8 1,0 1,2 VCE [V] 1,4 1,6 1,8 0 2,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=20Ω,VCE=400V 50 4,0 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 45 Eon, Tvj = 125 °C Eoff, Tvj = 125 °C Eon, Tvj = 150 °C Eoff, Tvj = 150 °C 3,5 40 3,0 35 2,5 E [mJ] IC [A] 30 25 20 2,0 1,5 15 1,0 10 0,5 5 0 5 6 7 8 9 0,0 10 VGE [V] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 7 0 5 10 15 20 25 30 IC [A] 35 40 45 50 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-50R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=25A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 8 10 Eon, Tvj = 125 °C Eoff, Tvj = 125 °C Eon, Tvj = 150 °C Eoff, Tvj = 150 °C 7 ZthJH : IGBT 6 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 5 4 3 0,1 2 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,03 0,1425 0,2965 1,031 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 1 0 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 0,01 0,001 105 120 135 150 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=20Ω,Tvj=150°C 54 IC, Modul IC, Chip 48 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 50 45 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 40 42 35 36 IF [A] IC [A] 30 30 24 25 20 18 15 12 10 6 0 5 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-50R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=30A,VCE=400V 0,8 0,7 Erec, Tvj = 125 °C Erec, Tvj = 150 °C 0,7 Erec, Tvj = 125 °C Erec, Tvj = 150 °C 0,6 0,6 0,5 0,5 E [mJ] E [mJ] 0,4 0,4 0,3 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0,0 0 5 10 15 20 25 30 IF [A] 35 40 45 0,0 50 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 15 30 45 60 75 90 RG [Ω] 105 120 135 150 DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) IF=f(VF) 10 100 ZthJH : Diode Tvj = 25 °C Tvj = 150 °C 90 80 70 IF [A] ZthJH [K/W] 60 1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,2 0,43 0,83 1,14 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 9 0,0 0,2 0,4 0,6 VF [V] 0,8 1,0 1,2 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-50R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=400V 32 0,0375 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C 28 Erec, Tvj = 125°C 24 0,0250 E [mJ] IF [A] 20 16 12 0,0125 8 4 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VF [V] 1,6 2,0 2,4 SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch) switchinglossesDiode,Boost(typical) Erec=f(RG) IF=16A,VCE=400V 0,0000 0 4 8 12 16 IF [A] 20 24 28 32 TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller transientthermalimpedanceDiode,Boost ZthJH=f(t) 0,0375 10 Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 0,0250 0,0125 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,19 0,56 0,94 0,66 τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,0000 0,0 0,01 0,001 7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0 RG [Ω] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation F4-50R07W2H3_B51 IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) Tvj=150°C 1 100 ZthJH: Mosfet VGS = 20 V VGS = 10 V VGS = 8 V VGS = 6 V VGS = 5 V VGS = 4 V 90 80 70 ID [A] ZthJH [K/W] 60 0,1 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,06 0,0225 0,06 0,6075 τi[s]: 0,0005 0,005 0,01 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=10V 0 1 2 3 4 5 6 VDS [V] 7 8 9 10 48 54 60 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGS=±15V,RGon=7,5Ω,RGoff=7,5Ω,VDS=400V 160 1,50 Tvj = 25 °C Tvj = 125 °C Tvj = 150 °C 150 140 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 1,35 130 1,20 120 1,05 110 100 0,90 E [mJ] ID [A] 90 80 70 0,75 0,60 60 50 0,45 40 0,30 30 20 0,15 10 0 0 1 2 3 4 5 6 VGS [V] 7 8 9 0,00 10 preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 11 0 6 12 18 24 30 36 IC [A] 42 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=±15V,ID=25Ω,VDS=400V NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 3,0 100000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 2,7 2,4 Rtyp 2,1 10000 R[Ω] E [mJ] 1,8 1,5 1,2 1000 0,9 0,6 0,3 0,0 0,0 100 7,5 15,0 22,5 30,0 37,5 45,0 52,5 60,0 67,5 75,0 RG [Ω] preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 12 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 13 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F4-50R07W2H3_B51 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MB dateofpublication:2014-10-29 approvedby:AKDA revision:2.0 14