TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
EconoPACK™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC
EconoPACK™3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypischeAnwendungen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• TrenchIGBT3
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• TrenchIGBT3
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• Kupferbodenplatte
• PressFITVerbindungstechnik
MechanicalFeatures
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• CopperBasePlate
• PressFITContactTechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
IC nom
75
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
250
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,80
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,60
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,145
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
tr
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
td off
0,21
0,24
0,25
µs
µs
µs
tf
0,06
0,07
0,07
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,35
0,50
0,60
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 5,1 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
2,40
2,80
3,00
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
530
380
A
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,21
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
0,60 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
75
A
IFRM
150
A
I²t
660
610
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
100
115
125
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 75 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,00
6,00
7,50
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 75 A, - diF/dt = 4000 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,95
1,50
1,85
mJ
mJ
mJ
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,33
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
V
V
V
0,95 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Sperrspannung
Drain-sourcebreakdownvoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch
Tjmax
Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Source-Spitzenspannung
Gate-sourcepeakvoltage
Tvj = 25°C
VDSS
600
V
TC = 80°C
TC = 25°C
ID nom
ID
70
80
A
A
ID puls
210
A
Ptot
1200
W
VGSS
+/-20
V
min.
typ.
max.
TC = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
ID = 70 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C
RDS on
22,0
mΩ
ID = 9,00 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C
VGS(th)
3,00
4,00
5,00
V
VGS = 10 V, VDD= 480 V
QG
0,25
µC
Tvj = 25°C
RGint
1,3
Ω
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Ciss
23,0
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Coss
6,60
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Crss
0,23
nF
VDS = 600 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C
IDSS
100
µA
VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C
IGSS
0,10
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,18
0,17
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,075
0,075
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,50
0,53
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,03
0,035
ns
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
mJ
RthJC
RthCH
0,042
K/W
Tvj op
-40
125
°C
min.
typ.
0,80
0,70
max.
1,10
ID = 70 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V, Lσ = 30 nH
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V, Lσ = 30 nH
VGS = 10 V
RG = 10,0 Ω
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper pro MOS-FET / per MOS-FET
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste = 1 W/(m*K) /λgrease = 1 W/(m*K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Revers-Diode/reverse-diode
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IS = 70 A, VGS = 0 V
IS = 70 A, VGS = 0 V
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4
VSD
1,90
1,05
0,12 K/W
V
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFETOVP-Zweig/MOSFETOVP-Path
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Sperrspannung
Drain-sourcebreakdownvoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch
Tjmax
Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Source-Spitzenspannung
Gate-sourcepeakvoltage
Tvj = 25°C
VDSS
600
V
TC = 80°C
TC = 25°C
ID nom
ID
70
80
A
A
ID puls
210
A
Ptot
1200
W
VGSS
+/-20
V
min.
typ.
max.
TC = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
ID = 70 A, VGS = 10 V, Tvj = 25°C
RDS on
12,5
mΩ
ID = 9,00 mA, VDS = VGS, Tvj = 25°C
VGS(th)
2,50
3,00
3,50
V
VGS = 10 V, VDD= 400 V
QG
0,45
µC
Tvj = 25°C
RGint
1,3
Ω
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Ciss
21,0
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Coss
45,0
nF
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VDS = 25 V, VGS = 0 V
Crss
0,90
nF
VDS = 600 V, VGS = 0 V, Tvj = 25°C
IDSS
100
µA
VDS = 0 V, VGS = 20 V, Tvj = 25°C
IGSS
0,10
nA
td on
ns
tr
ns
td off
ns
tf
0,03
0,035
0,02
0,02
0,10
0,11
0,01
0,015
ns
Eon
mJ
Eoff
mJ
RthJC
pro MOS-FET / per MOS-FET
λPaste = 1 W/(m*K) /λgrease = 1 W/(m*K)
RthCH
0,042
K/W
Tvj op
-40
125
°C
min.
typ.
0,90
1,10
max.
1,20
ID = 70 A, VDS = 400 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V, Lσ = 30 nH
RG = 10,0 Ω
ID = 70 A, VDS = 400 V, Lσ = 30 nH
RG = 10,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Revers-Diode/reverse-diode
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IS = 70 A, VGS = 0 V
IS = 70 A, VGS = 0 V
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
5
VSD
1,20
0,80
0,12 K/W
V
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
2,5
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
RthCH
0,009
LsCE
30
nH
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
MOSFET
Tvj max
175
150
°C
°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
MOSFET
Tvj op
-40
-40
150
125
°C
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
125
°C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Gewicht
Weight
G
300
g
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
NTC-Widerstand/NTC-thermistor: KG3B-35-5E3Z
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
6
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F5-75R06KE3_B5
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
120
105
105
90
90
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19 V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
135
IC [A]
IC [A]
135
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=5.1Ω,RGoff=5.1Ω,VCE=300V
150
6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
135
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
5
120
105
4
E [mJ]
IC [A]
90
75
3
60
2
45
30
1
15
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
7
0
15
30
45
60
75 90
IC [A]
105 120 135 150
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F5-75R06KE3_B5
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
6
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
5
ZthJC : IGBT
ZthJC [K/W]
E [mJ]
4
3
0,1
2
1
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,036 0,198 0,192 0,174
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
0,01
0,001
50
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=5.1Ω,Tvj=150°C
165
IC, Modul
IC, Chip
150
1
10
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
120
105
105
90
90
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
135
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,01
0
200
400
VCE [V]
600
0
800
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F5-75R06KE3_B5
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=5.1Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=300V
4,0
3,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2,5
3,0
2,0
E [mJ]
E [mJ]
2,5
2,0
1,5
1,5
1,0
1,0
0,5
0,5
0,0
0
15
30
45
60
75 90
IF [A]
0,0
105 120 135 150
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
5
10
15
20
25 30
RG [Ω]
35
40
45
50
SichererArbeitsbereichMOSFET(SOA)
safeoperatingareaMOSFET(SOA)
ID=f(VDS)
VGS=±15V,Tc=25°C
1
1000
ZthJC : Diode
tP = 100µs
tP = 10ms
DC
ID [A]
ZthJC [K/W]
100
0,1
10
1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,057 0,3135 0,304 0,2755
τi[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0,1
10
1
10
100
VDS [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
9
1000
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F5-75R06KE3_B5
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
ZthJC=f(t)
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
Tvj=125°C
1
200
Zth: Mosfet
VGS = 20V
VGS = 10V
VGS = 8V
VGS = 7V
VGS = 6,5V
VGS = 6V
180
160
140
0,1
ID [A]
ZthJC [K/W]
120
100
80
0,01
60
40
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0072 0,0396 0,0384 0,0348
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
20
0
10
SichererArbeitsbereichMOSFETOVP-Zweig(SOA)
safeoperatingareaMOSFETOVP-Path(SOA)
ID=f(VDS)
VGS=±15V,Tc=25°C
0
1
2
3
4
5
6
VDS [V]
7
8
9
10
TransienterWärmewiderstandMOSFETOVP-Zweig
transientthermalimpedanceMOSFETOVP-Path
ZthJC=f(t)
1000
1
tP = 100µs
tP = 10ms
DC
Zth: Mosfet
100
ZthJC [K/W]
ID [A]
0,1
10
0,01
1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0072 0,0396 0,0384 0,0348
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,1
1
10
100
0,001
0,001
1000
VDS [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
F5-75R06KE3_B5
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieMOSFETOVP-Zweig(typisch)
outputcharacteristicMOSFETOVP-Path(typical)
ID=f(VDS)
Tvj=125°C
400
VGS = 20V
VGS = 10V
VGS = 8V
VGS = 6V
VGS = 5,5V
VGS = 5V
350
300
ID [A]
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
VDS [V]
7
8
9
10
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
12
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
F5-75R06KE3_B5
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:RS
revision:2.2
13
工商网监
湘ICP备2023018690号
