TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undRapid1DiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andRapid1diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 40A / ICRM = 80A
TypischeAnwendungen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• SolarAnwendungen
TypicalApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• SolarApplications
ElektrischeEigenschaften
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V
• HighSpeedIGBTH3
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• Increasedblockingvoltagecapabilityto650V
• HighSpeedIGBTH3
• LowInductiveDesign
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• PressFITVerbindungstechnik
• RoHSkonform
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1minInsulation
• PressFITContactTechnology
• RoHScompliant
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Tiefsetzsteller/IGBT,Buck
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom
40
A
ICRM
80
A
Ptot
215
W
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
2,05
2,50
2,60
2,40
V
V
V
5,8
6,5
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,185
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,35
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,13
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 12 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
5,0
0,02
0,02
0,023
µs
µs
µs
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
0,22
0,26
0,28
µs
µs
µs
0,025
0,035
0,04
µs
µs
µs
Eon
2,50
3,70
4,00
mJ
mJ
mJ
IC = 40 A, VCE = 600 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,50
2,35
2,50
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
130
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
0,55
0,70 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,55
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
2
-40
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
16,0
14,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
A²s
A²s
typ.
max.
2,25
VF
1,75
1,75
1,75
RthJC
1,75
1,90 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,30
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
min.
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
proDiode/perdiode
-40
V
V
V
150
°C
Diode,Tiefsetzsteller/Diode,Buck
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
90,0
75,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,55
VF
2,00
1,70
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
30,0
40,0
40,0
A
A
A
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,70
2,50
3,00
µC
µC
µC
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,40
0,85
1,10
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,95
1,05 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
3
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Hochsetzsteller/IGBT,Boost
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
ImplementierterKollektor-Strom
Implementedcollectorcurrent
VCES
650
V
ICN
50
A
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom
40
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
200
W
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
IC = 40 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,55 t.b.d.
1,70
1,70
V
V
V
5,8
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,50
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,95
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,096
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 40 A, VCE = 350 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
4,9
6,5
0,02
0,02
0,02
µs
µs
µs
0,01
0,013
0,013
µs
µs
µs
0,03
0,065
0,07
µs
µs
µs
0,012
0,013
0,014
µs
µs
µs
Eon
0,33
0,47
0,50
mJ
mJ
mJ
IC = 40 A, VCE = 350 V, LS = 25 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,60
0,85
0,95
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
180
A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
tP ≤ 5 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
RthJC
4
0,60
0,75 K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
0,85
-40
K/W
150
°C
Diode-Chopper/Diode-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
650
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
22,5
20,5
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
RthJC
2,25
2,50 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
min.
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
proDiode/perdiode
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
5
-40
150
V
V
V
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Hochsetzsteller/Diode,Boost
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
650
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
50,0
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
typ.
max.
VF
1,65 t.b.d.
1,60
1,55
V
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
38,0
43,0
45,0
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,90
1,60
1,90
µC
µC
µC
IF = 25 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 350 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,24
0,38
0,44
mJ
mJ
mJ
RthJC
1,95
2,15 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
-40
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
6
kΩ
5
%
20,0
mW
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
VISOL
CTI
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
Gewicht
Weight
G
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
7
kV
2,5
typ.
max.
25
24
nH
125
°C
50
N
g
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Tiefsetzsteller(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Tiefsetzsteller(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
80
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
60
50
50
IC [A]
IC [A]
70
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Tiefsetzsteller(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Buck(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Tiefsetzsteller(typisch)
switchinglossesIGBT,Buck(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
80
10,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9,0
8,0
60
7,0
6,0
E [mJ]
IC [A]
50
40
5,0
4,0
30
3,0
20
2,0
10
0
1,0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
8
0
10
20
30
40
IC [A]
50
60
70
80
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Tiefsetzsteller(typisch)
switchinglossesIGBT,Buck(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Tiefsetzsteller
transientthermalimpedanceIGBT,Buck
ZthJH=f(t)
16,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
14,0
ZthJH : IGBT
12,0
1
ZthJH = f (t)
E [mJ]
10,0
8,0
6,0
0,1
4,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
2,0
0,0
0
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Tiefsetzsteller
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Buck(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
100
IC, Modul
IC, Chip
90
70
14
60
12
50
8
30
6
20
4
10
2
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
10
10
40
200
1
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
16
0
0,1
t [s]
20
80
0
0,01
DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
IF [A]
IC [A]
0,01
0,001
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
RG [Ω]
0
1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
9
2,0
2,5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandDiode,Revers
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJH=f(t)
DurchlasskennliniederDiode,Tiefsetzsteller(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Buck(typical)
IF=f(VF)
10
30
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
24
21
IF [A]
ZthJH [K/W]
18
1
15
12
9
6
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
3
0
10
SchaltverlusteDiode,Tiefsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Buck(typical)
Erec=f(IF)
RGon=12Ω,VCE=600V
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
VF [V]
2,0
2,4
2,8
SchaltverlusteDiode,Tiefsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Buck(typical)
Erec=f(RG)
IF=15A,VCE=600V
1,6
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,4
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,2
1,2
1,0
1,0
E [mJ]
E [mJ]
0,8
0,8
0,6
0,6
0,4
0,4
0,2
0,2
0,0
0
3
6
9
12
15 18
IF [A]
21
24
27
0,0
30
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
10
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
RG [Ω]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandDiode,Tiefsetzsteller
transientthermalimpedanceDiode,Buck
ZthJH=f(t)
AusgangskennlinieIGBT,Hochsetzsteller(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
10
80
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
IC [A]
ZthJH [K/W]
50
1
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,15
0,323 0,739 0,588
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
0,00
10
AusgangskennlinienfeldIGBT,Hochsetzsteller(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
2,00
2,50
80
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
70
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
70
60
50
IC [A]
50
IC [A]
1,00
1,50
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Hochsetzsteller(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Boost(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
80
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,50
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
11
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesIGBT,Boost(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=350V
SchaltverlusteIGBT,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesIGBT,Boost(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=40A,VCE=350V
2,4
5,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
2,2
2,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
4,0
1,8
3,5
1,6
3,0
E [mJ]
E [mJ]
1,4
1,2
1,0
2,5
2,0
0,8
1,5
0,6
1,0
0,4
0,5
0,2
0,0
0
10
20
30
40
IC [A]
50
60
70
0,0
80
TransienterWärmewiderstandIGBT,Hochsetzsteller
transientthermalimpedanceIGBT,Boost
ZthJH=f(t)
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Hochsetzsteller
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Boost(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
120
IC, Modul
110
IC, Chip
10
ZthJH = f (t)
100
1
90
70
IC [A]
ZthJH [K/W]
80
0,1
60
50
40
0,01
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,084 0,195 0,587 0,585
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
12
0
100
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
800
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJH=f(t)
30
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ZthJH : Diode
25
ZthJH [K/W]
IF [A]
20
15
1
10
5
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2803 0,8541 1,581 0,9342
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
DurchlasskennliniederDiode,Hochsetzsteller(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Boost(typical)
IF=f(VF)
0,01
0,1
t [s]
1
10
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=350V
50
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
45
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,7
40
0,6
35
0,5
E [mJ]
IF [A]
30
25
20
0,4
0,3
15
0,2
10
0,1
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0,0
2,5
VF [V]
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
13
0
5
10
15
20
25 30
IF [A]
35
40
45
50
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT-Modul
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Hochsetzsteller(typisch)
switchinglossesDiode,Boost(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=350V
TransienterWärmewiderstandDiode,Hochsetzsteller
transientthermalimpedanceDiode,Boost
ZthJC=f(t)
0,6
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJC : Diode
0,5
1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
0,4
0,3
0,2
0,1
0,1
0,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0
10
20
30
RG [Ω]
40
50
0,01
0,001
60
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
15
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FD-DF80R12W1H3_B52
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CM
dateofpublication:2014-07-21
approvedby:MB
revision:2.0
16
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