TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode
34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 150A / ICRM = 300A
TypischeAnwendungen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• Motorantriebe
• USV-Systeme
TypicalApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• MotorDrives
• UPSSystems
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop=150°C
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
ElectricalFeatures
• ExtendedOperationTemperatureTvjop
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanischeEigenschaften
• IsolierteBodenplatte
• Standardgehäuse
MechanicalFeatures
• IsolatedBasePlate
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
IC nom
150
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
300
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
790
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
IC = 150 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 5,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VCE sat
typ.
max.
1,75
2,05
2,10
2,15
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,90
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
5,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
9,30
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,50
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
td on
0,13
0,15
0,15
µs
µs
µs
tr
0,02
0,03
0,035
µs
µs
µs
td off
0,30
0,38
0,40
µs
µs
µs
tf
0,045
0,08
0,09
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 150 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 3400 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 150°C
Eon
8,50
13,5
15,0
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 150 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3300 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
8,50
13,5
15,5
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,092
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
600
A
0,19 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode-Chopper/Diode-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
150
A
IFRM
300
A
I²t
4100
4000
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
1,65
1,65
2,20
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 3400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
120
140
150
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 3400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
14,0
24,0
28,0
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 3400 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
5,00
8,50
10,0
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,15
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
3
V
V
V
0,31 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
50
A
IFRM
100
A
I²t
600
550
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
1,65
1,65
2,20
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
IF = 50 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 50 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
55,0
60,0
65,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 50 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
5,00
9,00
10,0
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 50 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
2,00
3,20
3,60
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,405
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
4
V
V
V
0,84 K/W
K/W
150
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
4,0
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
17,0
20,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
17,0
9,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
RthCH
0,05
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
0,65
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
5,00
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
Gewicht
Weight
G
160
g
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Power Cycling Zuverlässigkeit bei Tvjop=125°C:
- entspricht gültiger Spezifikation für Standard Module bei Tvjmax=125°C; 300.000 Zyklen @ dTj=50K
Power Cycling Capability at Tvjop=125°C:
- according to valid specification for standard modules at Tvjmax=125°C; 300.000 cycles @ dTj=50K
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
5
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD150R12RT4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
300
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
240
240
210
210
180
180
150
120
90
90
60
60
30
30
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
270
210
35
180
30
E [mJ]
40
150
25
120
20
90
15
60
10
30
5
5
6
7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
45
240
0
0,0
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V
300
IC [A]
150
120
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
270
IC [A]
IC [A]
270
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
6
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
IC [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD150R12RT4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=150A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper
transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
40
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
36
32
ZthJC : IGBT
28
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
24
20
16
0,01
12
8
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0114 0,0627 0,0608 0,0551
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
4
0
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
0,001
0,001
11
DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IF=f(VF)
0,1
t [s]
1
10
SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.1Ω,VCE=600V
300
270
0,01
14
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
12
240
10
210
8
E [mJ]
IF [A]
180
150
6
120
90
4
60
2
30
0
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
7
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
IF [A]
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FD150R12RT4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=150A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper
transientthermalimpedanceDiode-Chopper
ZthJC=f(t)
14
1
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
ZthJC : Diode
12
10
0,1
E [mJ]
ZthJC [K/W]
8
6
0,01
4
2
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0186 0,1023 0,0992 0,0899
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
0,001
0,001
11
DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
0,1
t [s]
1
10
TransienterWärmewiderstandDiode,Revers
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJC=f(t)
100
90
0,01
1
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ZthJC : Diode
80
70
ZthJC [K/W]
IF [A]
60
50
40
0,1
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0504 0,2772 0,2688 0,2436
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
10
0
0,01
0,001
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
8
0,01
0,1
t [s]
1
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:WR
revision:2.3
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FD150R12RT4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
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preparedby:MK
dateofpublication:2013-11-05
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