FD200R12KE3PHOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiodeandpre-applied ThermalInterfaceMaterial VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 200A / ICRM = 400A TypischeAnwendungen • Chopper-Anwendungen • DC/DCWandler • Motorantriebe TypicalApplications • Chopperapplications • DC/DCconverter • Motordrives ElektrischeEigenschaften • HoheKurzschlussrobustheit • HohedynamischeRobustheit • SehrgroßeRobustheit • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • Highshort-circuitcapability • Highdynamicrobustness • Unbeatablerobustness • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • RoHSkonform • Standardgehäuse • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Isolatedbaseplate • RoHScompliant • Standardhousing • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 65°C, Tvj max = 150°C IC nom  200  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V 5,80 6,50 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,90 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth 5,00 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,25 0,30 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,09 0,10 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,55 0,65 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,13 0,18 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs RGon = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 10,0 15,0 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs RGoff = 3,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 24,0 35,0 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 800 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJH Tvj op preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 2 0,153 K/W -40 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  300  A IFRM  600  A I²t  19000  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,65 1,65 2,15 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 300 A, VGE = 0 V IF = 300 A, VGE = 0 V Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 210 270 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 30,0 56,0 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 300 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 14,0 26,0 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Tvj = 25°C Tvj = 125°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VF RthJH V V 0,232 K/W Tvj op -40 125 °C Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  200  A IFRM  400  A I²t  7800  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 200 A, VGE = 0 V IF = 200 A, VGE = 0 V Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Tvj = 25°C Tvj = 125°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VF RthJH Tvj op preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 3 typ. max. 1,65 1,65 2,15 V V 0,183 K/W -40 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' 0,70 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight G Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 4 max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ. 340 125 °C 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm g TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 400 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 320 320 280 280 240 240 200 200 160 160 120 120 80 80 40 40 0 0,0 0,5 1,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 360 IC [A] IC [A] 360 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=3.6Ω,RGoff=3.6Ω,VCE=600V 400 80 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 360 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 70 320 60 280 50 E [mJ] IC [A] 240 200 160 40 30 120 20 80 10 40 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 5 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=200A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 100 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 90 ZthJH : IGBT 80 70 0,1 ZthJH [K/W] E [mJ] 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0115 0,0611 0,0582 0,0222 τi[s]: 0,0000737 0,0302 0,119 0,895 10 0 0 4 8 12 16 20 RG [Ω] 24 28 32 SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.6Ω,Tvj=125°C 500 480 350 420 300 360 IF [A] 400 240 150 180 100 120 50 60 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1 10 0 1400 preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 300 200 0 0,1 t [s] 600 540 250 0,01 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) IC, Modul IC, Chip 450 IC [A] 0,001 0,001 36 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=3.6Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=300A,VCE=600V 30 30 Erec, Tvj = 125°C 27 27 24 24 21 21 18 18 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 15 15 12 12 9 9 6 6 3 3 0 0 60 0 120 180 240 300 360 420 480 540 600 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJH=f(t) 0 3 6 9 12 15 18 RG [Ω] 21 24 27 30 DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) 1 400 ZthJH : Diode 360 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 320 280 IF [A] ZthJH [K/W] 240 0,1 200 160 120 80 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0194 0,0807 0,0968 0,0351 τi[s]: 0,00058 0,0191 0,0837 0,76 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 40 0 10 preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD200R12KE3P IGBT-Modul IGBT-Module VorläufigeDaten PreliminaryData TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJH=f(t) 1 ZthJH = f (t) ZthJH : Diode 0,1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0142 0,0702 0,0722 0,0264 τi[s]: 0,00068 0,0258 0,106 0,825 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n preparedby:AKB dateofpublication:2016-04-04 approvedby:MK revision:V2.0 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD200R12KE3P VorläufigeDaten PreliminaryData Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©InfineonTechnologiesAG2015. AllRightsReserved.   Nutzungsbedingungen  WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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