FD300R06KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 300A / ICRM = 600A
PotentielleAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• Chopper-Anwendungen
PotentialApplications
• 3-level-applications
• Chopperapplications
ElektrischeEigenschaften
• SehrgroßeRobustheit
• Tvjop=150°C
• TrenchIGBT3
ElectricalFeatures
• Unbeatablerobustness
• Tvjop=150°C
• TrenchIGBT3
MechanischeEigenschaften
• 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit
• GehäusemitCTI>400
• IsolierteBodenplatte
• Standardgehäuse
MechanicalFeatures
• 2.5kVAC1mininsulation
• PackagewithCTI>400
• Isolatedbaseplate
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 70°C, Tvj max = 175°C
ICDC
300
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
600
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,45
1,60
1,70
1,90
V
V
V
5,80
6,50
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V
QG
3,20
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
19,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,57
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 300 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 300 V, Lσ = 30 nH
VGE = -15 / 15 V, RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 300 V, Lσ = 30 nH
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 2,4 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
0,11
0,12
0,13
µs
µs
µs
0,05
0,06
0,06
µs
µs
µs
0,49
0,52
0,53
µs
µs
µs
0,05
0,07
0,07
µs
µs
µs
Eon
3,10
3,30
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
11,8
12,4
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
2100
1500
A
A
td on
tr
td off
tf
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
4,90
2
0,160 K/W
0,0170
-40
K/W
150
°C
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I²t
8400
7900
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
1,95
VF
1,55
1,50
1,45
IF = 300 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
190
235
250
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 300 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
13,0
24,0
28,0
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 300 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 300 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
3,40
6,20
7,00
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
0,320 K/W
0,0340
-40
K/W
150
°C
Diode,Revers/Diode,Reverse
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
600
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I²t
8400
7900
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
min.
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
proDiode/perdiode
VF
max.
1,55
1,50
1,45
1,95
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
typ.
3
A²s
A²s
V
V
V
0,320 K/W
0,0340
-40
K/W
150
°C
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5
kV
Cu
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
0,70
mΩ
Tstg
-40
125
°C
6,00
Nm
5,0
Nm
M
3,00
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
G
4
max.
20
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Datasheet
typ.
LsCE
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
> 400
min.
340
g
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
600
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
540
480
480
420
420
360
360
IC [A]
IC [A]
540
300
300
240
240
180
180
120
120
60
60
0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=300V
600
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
540
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
25
480
420
20
E [mJ]
IC [A]
360
300
15
240
10
180
120
5
60
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
5
0
100
200
300
IC [A]
400
500
600
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=300V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper
transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
45
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
40
ZthJC : IGBT
35
0,1
25
ZthJC [K/W]
E [mJ]
30
20
15
0,01
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0096 0,0528 0,0512 0,0464
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
5
0
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
20
SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper
(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=150°C
700
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
600
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
540
600
480
500
420
360
IF [A]
IC [A]
400
300
300
240
180
200
120
100
60
0
0
Datasheet
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2.4Ω,VCE=300V
SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=300A,VCE=300V
10
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
9
8
8
7
7
6
6
E [mJ]
E [mJ]
9
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
100
200
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
300
IF [A]
400
500
0
600
TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper
transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
16
DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
1
600
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
540
480
420
0,1
IF [A]
ZthJC [K/W]
360
300
240
0,01
180
120
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0192 0,1056 0,1024 0,0928
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
60
0
10
7
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandDiode,Revers
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJC=f(t)
1
ZthJC [K/W]
ZthJC : Diode
0,1
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0192 0,1056 0,1024 0,0928
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
10
8
V2.3
2018-09-24
FD300R06KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
9
V2.3
2018-09-24
Trademarks
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