FD400R33KF2CKNOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VCES  3300 3300  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 400 660  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  800  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot  4,80  kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 3,40 4,30 4,25 5,00 V V 4,2 5,1 6,0 V QG  8,00  µC Tvj = 25°C RGint  1,3  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  50,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  2,70  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 40,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,28  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,18 0,20  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  1,55 1,70  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 400 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,20 0,20  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 2,7 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  470 730  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 400 A, VCE = 1800 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 3,6 Ω, CGE = 68,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  430 510  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  12,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 2000  A 26,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  400  A IFRM  800  A I²t  55,5  kA²s Tvj = 125°C PRQM  800  kW  ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 V V  550 650  A A Qr  235 440  µC µC IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  245 515  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  24,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 2 51,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  400  A IFRM  800  A I²t  55,5  kA²s Tvj = 125°C PRQM  800  kW  ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 V V  550 650  A A Qr  235 440  µC µC IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C Erec  245 515  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  24,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 400 A, VGE = 0 V IF = 400 A, VGE = 0 V Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 400 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Tvj = 25°C Tvj = 125°C 3 VF 51,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  1800  V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate    AlSiC   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   AlN   Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   19,1 19,1  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 400   min. typ. max. LsCE  25  nH RCC'+EE' RAA'+CC'  0,37 0,39  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,8 - 2,1 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight  G  1000  g preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD400R33KF2C-K IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 800 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 600 600 500 500 IC [A] IC [A] 700 400 400 300 300 200 200 100 100 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.7Ω,RGoff=3.6Ω,VCE=1800V,CGE=68nF 800 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 2500 600 2000 E [mJ] IC [A] 500 400 1500 300 1000 200 500 100 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 5 0 100 200 300 400 IC [A] 500 600 700 800 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD400R33KF2C-K IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=400A,VCE=1800V,CGE=68nF TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 4000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 3500 ZthJC : IGBT 3000 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 2500 2000 1500 1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 11,7 6,5 1,56 6,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 500 0 0,1 0,001 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 RG [Ω] SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=3.6Ω,Tvj=125°C,CGE=68nF 900 IC, Modul IC, Chip 800 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 700 600 600 500 IF [A] IC [A] 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 6 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD400R33KF2C-K IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=2.7Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=1800V 800 800 Erec, Tvj = 125°C 700 700 600 600 500 500 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 0 800 TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 RG [Ω] SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 1000 ZthJC : Diode IR, Modul 900 800 700 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 600 500 400 1 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 0 10 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 7 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD400R33KF2C-K IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(IF) RGon=2.7Ω,VCE=1800V 800 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 600 600 500 500 E [mJ] IF [A] 700 Erec, Tvj = 125°C 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(RG) IF=400A,VCE=1800V 0 100 200 300 400 IF [A] 500 600 700 800 TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) 800 100 Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode 700 600 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 500 400 300 1 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 22,95 12,75 3,06 12,24 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 100 0 0,1 0,001 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 RG [Ω] preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 8 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD400R33KF2C-K IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SichererArbeitsbereichDiode,Revers(SOA) safeoperationareaDiode,Reverse(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 1000 IR, Modul 900 800 700 IR [A] 600 500 400 300 200 100 0 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:SB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:DTS revision:2.2 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD400R33KF2C-K VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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