FF1200R12IE5
PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC
PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC
VCES = 1200V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
PotentielleAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Motorantriebe
• USV-Systeme
PotentialApplications
• Highpowerconverters
• Motordrives
• UPSsystems
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• HoheKurzschlussrobustheit
• SehrgroßeRobustheit
• Tvjop=175°C
• TrenchIGBT5
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• Highshort-circuitcapability
• Unbeatablerobustness
• Tvjop=175°C
• TrenchIGBT5
MechanischeEigenschaften
• GehäusemitCTI>400
• GroßeLuft-undKriechstrecken
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
MechanicalFeatures
• PackagewithCTI>400
• Highcreepageandclearancedistances
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
ICDC
1200
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
2400
A
VGES
+/-20
V
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,70
2,00
2,15
2,15
2,45
2,60
V
V
V
5,80
6,35
V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1200 A
VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
QG
5,75
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,75
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
65,5
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
2,60
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V
ICES
5,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
VCE sat
VGEth
Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH
di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH
du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
0,20
0,23
0,25
µs
µs
µs
0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
0,48
0,52
0,55
µs
µs
µs
0,08
0,11
0,13
µs
µs
µs
Eon
80,0
120
160
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Eoff
130
160
180
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
ISC
4000
A
td on
tr
td off
tf
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
5,25
2
28,7 K/kW
22,1
-40
K/kW
175
°C
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C
VRRM
1200
V
IF
1200
A
IFRM
2400
A
I²t
370
335
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
kA²s
kA²s
typ.
max.
VF
1,90
1,75
1,70
2,35
2,20
2,15
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
IRM
630
860
985
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
Qr
91,0
205
280
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 175°C
Erec
37,0
83,0
120
mJ
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
46,3 K/kW
29,0
-40
K/kW
175
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
3
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4,0
kV
Cu
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
0,30
0,22
mΩ
-40
TBPmax
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
Gewicht
Weight
G
4
max.
18
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Datasheet
typ.
LsCE
Tstg
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumbaseplateoperationtemperature
> 400
min.
3,00
150
°C
150
°C
6,00
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
825
g
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=175°C
2400
2400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
2100
1500
1500
IC [A]
1800
IC [A]
1800
1200
1200
900
900
600
600
300
300
0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
0
3,5
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.82Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=600V
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
540
480
1800
420
1500
IC [A]
E [mJ]
360
1200
300
240
900
180
600
120
300
0
60
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
5
0
300
600
900
1200 1500 1800 2100 2400
IC [A]
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
800
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 175°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 175°C
750
700
ZthJC : IGBT
650
600
550
500
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
450
400
350
10
300
250
200
150
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 0,86
3,42
21,4
2,97
τi[s]:
0,000966 0,0127 0,0515 0,786
100
50
0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
1
0,001
8,0
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE);
VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=175°C
2500
0,01
0,1
t [s]
1
10
GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)
VGE=f(QG)
IC=1200A,Tvj=25°C
15
VCC = 600V
13
IC, Modul
IC, Chip
11
2000
9
7
5
1500
3
IC [A]
VGE [V]
1
-1
1000
-3
-5
-7
500
-9
-11
-13
0
0
Datasheet
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
1400
-15
6
0
1
2
3
QG [µC]
4
5
6
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.82Ω,VCE=600V
2400
160
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 175°C
2100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
140
120
1500
100
IF [A]
E [mJ]
1800
1200
80
900
60
600
40
300
20
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
0
2,5
0
300
600
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=600V
900
1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
140
100
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 175°C
ZthJC : Diode
120
100
E [mJ]
ZthJC [K/kW]
80
60
10
40
20
0
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 2,07
14,8
25,5
3,88
τi[s]:
0,00088 0,0205 0,0685 0,893
0,0
Datasheet
1,0
2,0
3,0
4,0
RG [Ω]
5,0
6,0
7,0
1
0,001
8,0
7
0,01
0,1
t [s]
1
10
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
10
0
Datasheet
25
50
75
100
TNTC [°C]
125
150
175
8
V3.1
2020-06-16
FF1200R12IE5
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
36 0,2
22 +- 0,6
0
3 0,1
36,5 0,3
screwing depth
max. 8 (7x)
screwing depth
max. 16 (4x)
18 0,2 (2x)
A
172 0,5
150
113
103
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
92
76
58
8 0,1 (7x)
25,9 0,25
+
5,5 - 00,1
0,25 A B C
(10x)
20 0,1
37,7 0,25
B
recommeded design height
lower side bus bar to baseplate
28 0,1
5,5
17 0,1
M8
0,6 A B C
5,5
4,3
24,5 0,5
14
39
25
21,5 0,3
10
10
45,5 0,5
21 0,3
M4
0,6 A B C
(7X)
12,3 0,3
89 0,5
73
0,4 A
(7x)
1 MAX
(4x)
C
39
64
78
117
156
Datasheet
9
V3.1
2020-06-16
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2020-06-16
Publishedby
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81726München,Germany
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