FF1200R12IE5PBPSA1

FF1200R12IE5P PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC/pre-applied ThermalInterfaceMaterial VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • USV-Systeme PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheKurzschlussrobustheit • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highshort-circuitcapability • Unbeatablerobustness • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5 MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 50°C, Tvj max = 175°C ICDC  1200  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,70 2,00 2,15 2,15 2,45 2,60 V V V 5,80 6,35 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 33,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V QG 5,75 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,75 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 65,5 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 25°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, Lσ = 45 nH du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat 0,20 0,23 0,25 µs µs µs 0,16 0,17 0,18 µs µs µs 0,48 0,52 0,55 µs µs µs 0,08 0,11 0,13 µs µs µs Eon 80,0 120 160 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 130 160 180 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 4000 A td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 5,25 39,4 K/kW -40 175 °C V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C VRRM  1200  V IF  1200  A IFRM  2400  A I²t  370 335  CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,90 1,75 1,70 2,35 2,20 2,15 IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C IRM 630 860 985 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Qr 91,0 205 280 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 6600 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Erec 37,0 83,0 120 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 58,4 K/kW -40 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  33,0 33,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,0 19,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI  Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 18 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,30 0,22 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature  > 400 min. G 3,00 150 °C 150 °C 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 825 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07 Datasheet 4 V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2100 2100 1500 1500 IC [A] 1800 IC [A] 1800 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.82Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=600V 2400 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 540 480 1800 420 1500 IC [A] E [mJ] 360 1200 300 240 900 180 600 120 300 0 60 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 IC [A] V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 800 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 750 700 ZthJH : IGBT 650 600 550 500 ZthJH [K/kW] E [mJ] 450 400 350 10 300 250 200 150 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,89 16,1 14,8 6,59 τi[s]: 0,00259 0,0378 0,168 0,832 100 50 0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 1 0,001 8,0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE); VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=175°C 2500 0,01 0,1 t [s] 1 10 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=1200A,Tvj=25°C 15 VCC = 600V 13 IC, Modul IC, Chip 11 2000 9 7 5 1500 3 IC [A] VGE [V] 1 -1 1000 -3 -5 -7 500 -9 -11 -13 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 -15 6 0 1 2 3 QG [µC] 4 5 6 V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.82Ω,VCE=600V 2400 160 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 140 120 1500 100 IF [A] E [mJ] 1800 1200 80 900 60 600 40 300 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 2,5 0 300 600 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=600V 900 1200 1500 1800 2100 2400 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 140 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C ZthJH : Diode 120 100 E [mJ] ZthJH [K/kW] 80 60 10 40 20 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,09 28,3 22,9 4,09 τi[s]: 0,00149 0,0403 0,254 2,56 0,0 Datasheet 1,0 2,0 3,0 4,0 RG [Ω] 5,0 6,0 7,0 1 0,001 8,0 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 10 0 Datasheet 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 8 V3.1 2020-06-16 FF1200R12IE5P Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines 154 restricted area for Thermal Interface Material 60 6,5 1 36 0,2 screwing depth max. 16 (4x) 18 0,2 (2x) 22 +- 0,6 0 3 0,1 36,5 0,3 screwing depth max. 8 (7x) A 172 0,5 150 113 103 recommeded design height lower side PCB to baseplate 92 76 58 8 0,1 (7x) 25,9 0,25 + 5,5 - 00,1 0,25 A B C (10x) 10 20 0,1 37,7 0,25 B recommeded design height lower side bus bar to baseplate 28 0,1 5,5 17 0,1 M8 0,6 A B C 5,5 4,3 24,5 0,5 14 39 25 21,5 0,3 10 45,5 0,5 21 0,3 M4 0,6 A B C (7X) 12,3 0,3 89 0,5 73 0,4 A (7x) 1 MAX (4x) C 39 64 78 117 156 Datasheet 9 V3.1 2020-06-16 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-06-16 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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