FF1200R12KE3NOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • 3-Level-Applications • HighFrequencySwitchingApplication • HighPowerConverters • MotorDrives • SolarApplications • UPSSystems ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT3 ElectricalFeatures • LowVCEsat • TrenchIGBT3 MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • CopperBasePlate • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 70°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 1200 1600  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  5,00  kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 48,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat A A typ. max. 1,70 2,00 2,15 V V VGEth 5,0 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG  11,5  µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  1,6  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  86,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  4,00  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,60 0,66  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,23 0,22  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,62 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  0,82 0,96  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,62 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,15 0,18  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  245  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = ±15 V RGoff = 0,62 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  190  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  19,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 4800  A 25,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  1200  A IFRM  2400  A I²t  300  kA²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,20 2,00 2,80 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 1200 A, - diF/dt = 5400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM  340 530  A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 5400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr  57,0 135  µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 5400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  18,0 35,0  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  32,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 3 V V 42,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   17,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   10,0  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 400  VISOL   kV 2,5    min. typ. RthCH  6,00 LsCE  20  nH RCC'+EE'  0,18  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,7 - 2,3 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight  G  1500  g preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 4 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FF1200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2100 2100 1500 1500 IC [A] 1800 IC [A] 1800 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 0 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=0.62Ω,VCE=600V 2400 700 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 600 1800 500 1500 IC [A] E [mJ] 400 1200 300 900 200 600 100 300 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 5 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FF1200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 700 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 600 500 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 400 300 1 200 100 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,57 9,64 9,8 2,99 τi[s]: 0,00382 0,02997 0,05634 0,6897 0 2 4 6 8 10 12 0,1 0,001 14 0,01 0,1 t [s] RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.62Ω,Tvj=125°C 3000 IC, Modul IC, Chip 2700 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 2100 2400 1800 2100 1500 IF [A] IC [A] 1800 1500 1200 1200 900 900 600 600 300 300 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF1200R12KE3 IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=600V 40 40 Erec, Tvj = 125°C 35 35 30 30 25 25 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 20 20 15 15 10 10 5 5 0 0 300 600 900 0 1200 1500 1800 2100 2400 IF [A] 100 ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,82 13,89 13,24 12,05 τi[s]: 0,00285 0,02647 0,07451 0,4452 0,01 0,1 t [s] 1 2 4 6 8 RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0,1 0,001 0 10 preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 7 10 12 14 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF1200R12KE3 VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:MK dateofpublication:2013-10-02 approvedby:PL revision:2.1 9