FF1200R17IP5BPSA1

FF1200R17IP5 PrimePACK™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC PrimePACK™2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • Traktionsumrichter • Windgeneratoren PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Tractiondrives • Windturbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=175°C ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=175°C MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 85°C, Tvj max = 175°C ICDC  1200  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  2400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 2,15 2,35 2,30 2,75 3,00 V V V 5,80 6,25 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1200 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 43,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 900 V QG 6,00 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,2 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 68,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V ICES 10 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VCE sat VGEth Tvj = 125°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1200 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, Lσ = 45 nH di/dt = 6450 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,56 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1200 A, VCE = 900 V, Lσ = 45 nH du/dt = 2800 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,0 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT 0,27 0,28 0,29 µs µs µs 0,15 0,17 0,17 µs µs µs 0,64 0,71 0,76 µs µs µs 0,15 0,20 0,21 µs µs µs Eon 265 400 485 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 295 400 470 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 4200 A td on tr td off tf RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op Datasheet 5,35 2 24,3 K/kW 19,6 -40 K/kW 175 °C V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 175°C VRRM  1700  V IF  1200  A IFRM  2400  A I²t  340 275  PRQM  1200  kW CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,80 1,75 1,75 2,20 2,15 2,15 IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C IRM 945 1100 1200 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Qr 230 410 540 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1200 A, - diF/dt = 6450 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Erec 130 245 325 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 43,9 K/kW 22,9 -40 K/kW 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  33,0 33,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  19,0 19,0  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 18 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,30 0,22 mΩ Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Datasheet -40 TBPmax Gewicht Weight G 4 max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ. 3,00 150 °C 150 °C 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 825 g V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 2400 2400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2200 1800 1800 1600 1600 1400 1400 IC [A] 2000 IC [A] 2000 1200 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 2200 0,2 0,6 1,0 1,4 1,8 2,2 VCE [V] 2,6 3,0 3,4 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 2400 0 3,8 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.56Ω,RGoff=1Ω,VCE=900V 1700 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2200 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 1600 1500 2000 1400 1800 1300 1200 1600 1100 1000 IC [A] E [mJ] 1400 1200 1000 900 800 700 600 800 500 600 400 400 300 200 200 0 100 6 Datasheet 7 8 9 10 VGE [V] 11 0 12 5 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 IC [A] V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1200A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1500 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 1400 1300 ZthJC : IGBT 1200 1100 1000 ZthJC [K/kW] E [mJ] 900 800 700 10 600 500 400 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,56 2,27 18,6 1,91 τi[s]: 0,00058 0,0105 0,0488 0,648 100 0 1 0,001 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 RG [Ω] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1Ω,Tvj=175°C 2500 0,01 0,1 t [s] 1 10 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=1200A,Tvj=25°C 15 VCC = 900V IC, Modul IC, Chip 12 2000 9 6 3 IC [A] VGE [V] 1500 0 1000 -3 -6 500 -9 -12 0 0 Datasheet 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] -15 6 0 1 2 3 4 QG [µC] 5 6 7 V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.56Ω,VCE=900V 2400 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2200 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 350 2000 1800 300 1600 250 IF [A] E [mJ] 1400 1200 200 1000 150 800 600 100 400 50 200 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1200A,VCE=900V 0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400 IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 500 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 450 ZthJC : Diode 400 350 ZthJC [K/kW] E [mJ] 300 250 10 200 150 100 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,09 10,7 26,2 3,84 τi[s]: 0,000893 0,0176 0,0641 0,849 50 0 1 0,001 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 RG [Ω] Datasheet 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=175°C 2700 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 IR, Modul Rtyp 2400 2100 10000 1800 R[Ω] IR [A] 1500 1000 1200 900 100 600 300 0 0 Datasheet 200 400 600 10 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] 8 0 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 V3.1 2020-06-25 FF1200R17IP5 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines 36 0,2 22 +- 0,6 0 3 0,1 36,5 0,3 screwing depth max. 8 (7x) screwing depth max. 16 (4x) 18 0,2 (2x) A 172 0,5 150 113 103 recommeded design height lower side PCB to baseplate 92 76 58 8 0,1 (7x) 25,9 0,25 + 5,5 - 00,1 0,25 A B C (10x) 20 0,1 37,7 0,25 B recommeded design height lower side bus bar to baseplate 28 0,1 5,5 17 0,1 M8 0,6 A B C 5,5 4,3 24,5 0,5 14 39 25 21,5 0,3 10 10 45,5 0,5 21 0,3 M4 0,6 A B C (7X) 12,3 0,3 89 0,5 73 0,4 A (7x) 1 MAX (4x) C 39 64 78 117 156 Datasheet 9 V3.1 2020-06-25 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-06-25 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. 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