FF1500R17IP5PBPSA1

FF1500R17IP5P PrimePACK™3+B-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial PrimePACK™3+B-seriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC/ pre-appliedThermalInterfaceMaterial VCES = 1700V IC nom = 1500A / ICRM = 3000A PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • Traktionsumrichter • Windgeneratoren PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Tractiondrives • Windturbines ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheStromdichte • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • Tvjop=175°C ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highcurrentdensity • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • Tvjop=175°C MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1700  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 50°C, Tvj max = 175°C ICDC  1500  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  3000  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,75 2,10 2,30 2,20 2,65 2,90 V V V 5,80 6,25 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 1500 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 54,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V, VCE = 900 V QG 7,50 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 88,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,70 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V ICES 10 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C VGEth Tvj = 125°C Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,51 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGon = 0,51 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 1500 A, VCE = 900 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 0,82 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 1500 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH di/dt = 8550 A/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGon = 0,51 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 1500 A, VCE = 900 V, Lσ = 30 nH du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 175°C) VGE = -15 / 15 V, RGoff = 0,82 Ω Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet VCE sat 0,30 0,31 0,32 µs µs µs 0,15 0,16 0,16 µs µs µs 0,66 0,74 0,80 µs µs µs 0,11 0,16 0,17 µs µs µs Eon 335 500 595 mJ mJ mJ Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Eoff 330 465 545 mJ mJ mJ tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C ISC 6000 A td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 5,35 29,2 K/kW -40 175 °C V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 175°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 175°C VRRM  1700  V IF  1500  A IFRM  3000  A I²t  580 485  PRQM  1500  kW CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. kA²s kA²s typ. max. VF 1,75 1,72 1,70 2,10 2,05 2,05 IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C IRM 1250 1450 1550 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Qr 325 550 700 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 1500 A, - diF/dt = 8550 A/µs (Tvj=175°C) Tvj = 25°C VR = 900 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 175°C Erec 185 325 425 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 1500 A, VGE = 0 V IF = 1500 A, VGE = 0 V IF = 1500 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 48,6 K/kW -40 175 °C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  36,0 28,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  21,0 19,0  mm  > 400  VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 10 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,10 0,09 mΩ -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Gewicht Weight max. LsCE Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature typ. G 3,00 150 °C 150 °C 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1400 g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07 Datasheet 4 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=175°C 3000 3000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2800 2600 2600 2200 2200 2000 2000 1800 1800 1600 1600 IC [A] 2400 IC [A] 2400 1400 1400 1200 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 2800 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 VCE [V] 2,4 2,8 3,2 0 3,6 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.51Ω,RGoff=0.82Ω,VCE=900V 3000 1800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2800 2600 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 1600 2400 1400 2200 2000 1200 1800 1000 IC [A] E [mJ] 1600 1400 800 1200 1000 600 800 400 600 400 200 200 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 5 0 500 1000 1500 IC [A] 2000 2500 3000 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=1500A,VCE=900V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 2200 100 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 175°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 175°C 2000 ZthJH : IGBT 1800 1600 10 ZthJH [K/kW] 1400 E [mJ] 1200 1000 800 1 600 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,34 12,71 11,71 3,434 τi[s]: 0,0021 0,0416 0,255 1,82 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 0,1 0,001 5,0 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.82Ω,Tvj=175°C 3600 0,01 0,1 t [s] 1 10 GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical) VGE=f(QG) IC=1500A,Tvj=25°C 15 IC, Modul IC, Chip VCC = 900V 12 3000 9 6 2400 IC [A] VGE [V] 3 1800 0 -3 1200 -6 -9 600 -12 0 0 Datasheet 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] -15 6 0 1 2 3 4 QG [µC] 5 6 7 8 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.51Ω,VCE=900V 3000 600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C 2800 2600 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 500 2400 2200 2000 400 1800 IF [A] E [mJ] 1600 1400 300 1200 1000 200 800 600 100 400 200 0 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=1500A,VCE=900V 0 500 1000 1500 IF [A] 2000 2500 3000 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 500 100 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 175°C 450 ZthJH : Diode 400 350 ZthJH [K/kW] E [mJ] 300 250 10 200 150 100 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 2,57 13,8 22,5 9,76 τi[s]: 0,00106 0,0254 0,118 0,862 50 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 1 0,001 5,0 7 0,01 0,1 t [s] 1 10 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=175°C 3300 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 IR, Modul Rtyp 3000 2700 10000 2400 2100 R[Ω] IR [A] 1800 1000 1500 1200 900 100 600 300 0 0 Datasheet 200 400 600 10 800 1000 1200 1400 1600 1800 VR [V] 8 0 25 50 75 100 TNTC [°C] 125 150 175 V3.2 2020-08-21 FF1500R17IP5P Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines C (247) screwing depth max. 8mm 8x 26 m 0,35 A D E 3 c0,1 8x (M4) 8x max. (2) E recommended design height m 1,2 A D E 8x 36,5 m q0,35 A B C 89 c0,6 Y X screwing depth max. 16mm 8x 36,5 (86) 2,5 0,5 0 8x max. (3) recommended design height m 0,8 A D E 8x D 117 8x (M8) m q0,35 A B C m q0,5 A D E 14x 117 107 70 78 33 39 14 4 0 25 59 53 41 39 78 111 103 93 92 B 14x q5,5 c0,1 117 (q5,5) 36,5 38,25 m q1,8 A D E 8x M 8x 8x q5 m q0,4 CZ A A 250 c1 ~ 8x 36,5 18,2 K Y X 0 H'K g 0,2 A M-M H 16,7 restricted area for Thermal Interface Material 0 14 25 53 92 124,7 60 103 36,5 232 Dimension in mounted condition ISO 10579 Terminal heights measurement at the end of bending radius Datasheet 9 V3.2 2020-08-21 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-08-21 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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