FF200R12KS4PHOSA1

FF200R12KS4P 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundbereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandpre-appliedThermalInterface Material VCES = 1200V IC nom = 200A / ICRM = 400A PotentielleAnwendungen • AnwendungenfürResonanzUmrichter • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • MedizinischeAnwendungen • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme PotentialApplications • Resonantinverterapplications • HighFrequencySwitchingapplication • Medicalapplications • Motordrives • Servodrives • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HoheKurzschlussrobustheit • NiedrigeSchaltverluste • SehrgroßeRobustheit • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • Highshort-circuitcapability • Lowswitchinglosses • Unbeatablerobustness • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • Standardgehäuse • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Isolatedbaseplate • Copperbaseplate • Standardhousing • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 45°C, Tvj max = 150°C ICDC  200  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A VGES  +/-20  V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 3,20 3,85 3,70 V V 5,50 6,50 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 / 15 V QG 2,10 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,5 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 13,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1000 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat VGEth Tvj = 25°C 4,50 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,10 0,11 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,06 0,07 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,53 0,55 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 600 V VGE = -15 / 15 V RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,03 0,04 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, Lσ = 60 nH di/dt = 3500 A/µs VGE = -15 / 15 V, RGon = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 19,0 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 600 V, Lσ = 60 nH du/dt = 7000 V/µs VGE = -15 / 15 V, RGoff = 4,7 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 12,0 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 1300 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet ISC RthJH Tvj op 2 0,113 K/W -40 125 °C V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM  1200  V IF  200  A IFRM  400  A I²t  8500  A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,00 1,70 2,40 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 200 A, VGE = 0 V IF = 200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 200 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 140 210 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 200 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 11,7 32,0 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 200 A, - diF/dt = 3500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 4,20 11,0 mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 3 V V 0,180 K/W -40 125 °C V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV  Cu  MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)  Al2O3  Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  29,0 23,0  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal  23,0 11,0  mm CTI  > 400  RTI  140 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex RelativerTemperaturindex(elektr.) RTIElec. Gehäuse housing min. typ.  °C max. Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,01 K/W Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule LsCE 20 nH RCC'+EE' 0,70 mΩ Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 2,5 Gewicht Weight G 340 125 °C 125 °C 6,00 Nm 5,0 Nm g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 4 V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 400 400 350 350 300 300 250 250 IC [A] IC [A] Tvj = 25°C Tvj = 125°C 200 200 150 150 100 100 50 50 0 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE =8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V 400 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 350 50 300 40 E [mJ] IC [A] 250 200 30 150 20 100 10 50 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 5 0 50 100 150 200 IC [A] 250 300 350 400 V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=200A,VCE=600V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 100 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 90 ZthJH : IGBT 80 70 0,1 ZthJH [K/W] E [mJ] 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,008 0,0445 0,0424 0,0181 τi[s]: 0,000808 0,0333 0,136 1,06 10 0 0 5 10 15 RG [Ω] 20 25 30 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C 450 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 400 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C 400 350 350 300 300 250 IF [A] IC [A] 250 200 200 150 150 100 100 50 50 0 0 Datasheet 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=4.7Ω,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=200A,VCE=600V 20 15 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 18 16 12 14 9 E [mJ] E [mJ] 12 10 8 6 6 4 3 2 0 0 50 100 150 200 IF [A] 250 300 350 0 400 0 5 10 15 RG [Ω] 20 25 30 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 1 ZthJH : Diode ZthJH [K/W] 0,1 0,01 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0137 0,0695 0,0708 0,026 τi[s]: 0,000686 0,0263 0,107 0,831 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 7 V3.0 2020-02-17 FF200R12KS4P Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines In fin e o n Datasheet 8 V3.0 2020-02-17 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.    Edition2020-02-17 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2020InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com   WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen.    IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. 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