TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R17KE3
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled³Diode
62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled³diode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
VorläufigeDaten
PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
200
310
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
400
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
1250
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 200 A, VGE = 15 V
IC = 200 A, VGE = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 8,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
2,00
2,40
2,45
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
2,30
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
3,8
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
18,0
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,60
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
3,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,28
0,30
µs
µs
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,08
0,10
µs
µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,80
1,00
µs
µs
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 200 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,12
0,20
µs
µs
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGon = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
58,0
78,0
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 200 A, VCE = 900 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 6,8 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
43,0
63,0
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,033
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
800
A
0,10 K/W
K/W
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM
1700
V
IF
200
A
IFRM
400
A
I²t
6600
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,80
1,90
2,20
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 200 A, VGE = 0 V
IF = 200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 200 A, - diF/dt = 2700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
210
230
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 200 A, - diF/dt = 2700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
51,0
85,0
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 200 A, - diF/dt = 2700 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
25,0
48,0
mJ
mJ
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,052
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
2
V
V
0,16 K/W
K/W
125
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke
Creepagedistance
VISOL
3,4
kV
Cu
Al2O3
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
min.
typ.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,60
mΩ
Tstg
-40
125
°C
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
Gewicht
Weight
G
340
g
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
3
max.
K/W
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF200R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
400
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
350
300
300
250
250
IC [A]
IC [A]
350
200
200
150
150
100
100
50
50
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE =8 V
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=900V
400
200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
350
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
180
160
300
140
120
E [mJ]
IC [A]
250
200
100
80
150
60
100
40
50
0
20
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
4
0
50
100
150
200
IC [A]
250
300
350
400
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF200R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=200A,VCE=900V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
400
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
350
ZthJC : IGBT
300
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
250
200
150
0,01
100
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,01 0,03 0,04 0,02
τi[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
50
0
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
0,001
0,001
70
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=125°C
450
IC, Modul
IC, Chip
400
0,01
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
350
350
300
300
250
IF [A]
IC [A]
250
200
200
150
150
100
100
50
50
0
0
200
400
600
0
800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FF200R17KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=6.8Ω,VCE=900V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=200A,VCE=900V
100
60
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
55
90
50
80
45
70
40
35
E [mJ]
E [mJ]
60
50
30
25
40
20
30
15
20
10
10
0
5
0
50
100
150
200
IF [A]
250
300
350
0
400
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,016 0,048 0,064 0,032
τi[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
6
0
10
20
30
40
RG [Ω]
50
60
70
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
j
j
n
n
i
i
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF200R17KE3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
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characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:HS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.1
8
