FF200R33KF2CNOSA1

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C VCES  3300 3300  V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom  IC 200 330  PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  2,20  kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A A typ. max. 3,40 4,30 4,25 5,00 V V 4,2 5,1 6,0 V QG  4,00  µC Tvj = 25°C RGint  2,5  Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  25,0  nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  1,40  nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 3300 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 20,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 1800V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 5,6 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on  0,28 0,28  µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGon = 5,6 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr  0,18 0,20  µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off  1,55 1,70  µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 200 A, VCE = 1800 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf  0,20 0,20  µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 1800 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGon = 5,6 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon  235 365  mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 200 A, VCE = 1800 V, LS = 70 nH VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω, CGE = 33,0 nF Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff  215 255  mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2500 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  49,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 1 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 1000  A 57,0 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C Tvj = -25°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent  PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM  3300 3300  V IF  200  A IFRM  400  A I²t  14,0  kA²s Tvj = 125°C PRQM  400  kW  ton min  10,0  µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,80 2,80 3,50 3,50 V V  275 325  A A Qr  120 220  µC µC IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec  125 255  mJ mJ proDiode/perdiode RthJC   Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  93,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 200 A, VGE = 0 V IF = 200 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 200 A, - diF/dt = 1100 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 1800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 2 110 K/kW K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  6,0  kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL  2,6  kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D  1800  V MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate    AlSiC   InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140)   AlN   Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   32,2 32,2  mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal   19,1 19,1  mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex  CTI  > 400   min. typ. RthCH  16,0 LsCE  58  nH RCC'+EE'  0,78  mΩ Tstg -40  125 °C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,6 - 4,2 Nm Gewicht Weight  G  500  g preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule  Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature  Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting 3 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FF200R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 400 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 350 300 300 250 250 IC [A] IC [A] 350 200 200 150 150 100 100 50 50 0 VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=5.6Ω,RGoff=7.5Ω,VCE=1800V,CGE=33nF 400 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 350 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1000 300 800 E [mJ] IC [A] 250 200 600 150 400 100 200 50 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 4 0 50 100 150 200 IC [A] 250 300 350 400 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF200R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=200A,VCE=1800V,CGE=33nF TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 1800 1000 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 1600 ZthJC : IGBT 1400 100 ZthJC [K/kW] 1200 E [mJ] 1000 800 600 10 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 25,65 14,25 3,42 13,68 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 200 0 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 1 0,001 70 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=7.5Ω,Tvj=125°C,CGE=33nF 450 IC, Modul IC, Chip 400 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 400 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 350 350 300 300 250 IF [A] IC [A] 250 200 200 150 150 100 100 50 50 0 0 500 1000 1500 2000 VCE [V] 2500 3000 0 3500 preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 4,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF200R33KF2C IGBT-Module IGBT-modules VorläufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=5.6Ω,VCE=1800V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=200A,VCE=1800V 400 400 Erec, Tvj = 125°C 350 350 300 300 250 250 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 200 200 150 150 100 100 50 50 0 0 50 100 150 200 IF [A] 250 300 350 0 400 TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 10 20 30 40 RG [Ω] 50 60 70 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareaDiode,Inverter(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 1000 500 ZthJC : Diode IR, Modul 450 400 350 100 IR [A] ZthJC [K/kW] 300 250 200 10 150 100 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 48,6 27 6,48 25,92 τi[s]: 0,03 0,1 0,3 1 1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 50 0 10 preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 6 0 500 1000 1500 2000 VR [V] 2500 3000 3500 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF200R33KF2C VorläufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen  DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:JB dateofpublication:2013-10-03 approvedby:CL revision:2.0 8