FF225R12ME4

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 EconoDUAL™3モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールHEdiode内蔵and NTCサーミスタ EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 1200V IC nom = 225A / ICRM = 450A 一般応用 • モーター駆動 • サーボ駆動 • UPSシステム • 風力タービン TypicalApplications • MotorDrives • ServoDrives • UPSSystems • WindTurbines 電気的特性 • 低VCEsat飽和電圧 • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • LowVCEsat • Tvjop=150°C 機械的特性 • 標準ハウジング MechanicalFeatures • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200  V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom  IC 225 320  繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  450  A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot  1050  W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20  V 電気的特性/CharacteristicValues コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 225 A, VGE = 15 V IC = 225 A, VGE = 15 V IC = 225 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 7,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,85 2,10 2,15 2,15 V V V VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -15 V ... +15 V QG  1,55  µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint  3,3  Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  13,0  nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,705  nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   3,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA td on  0,16 0,17 0,18  µs µs µs tr  0,04 0,04 0,04  µs µs µs td off  0,38 0,47 0,50  µs µs µs tf  0,07 0,09 0,10  µs µs µs ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 225 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,6 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 5750 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 1,6 Ω Tvj = 150°C Eon  6,80 12,5 15,0  mJ mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 1,6 Ω Tvj = 150°C Eoff  17,0 26,5 29,5  mJ mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC  ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC   ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,031 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 900  A 0,14 K/W K/W 150 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent  ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C VRRM  1200  V IF  225  A IFRM  450  A I²t  10000 8100 電気的特性/CharacteristicValues min.  typ. max. 1,65 1,65 1,65 2,10 A²s A²s 順電圧 Forwardvoltage IF = 225 A, VGE = 0 V IF = 225 A, VGE = 0 V IF = 225 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM  300 320 340  A A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr  22,5 43,0 49,5  µC µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec  12,0 22,0 25,0  mJ mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC   ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH  0,042 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions  Tvj op -40  150 min. typ. max. R25  5,00  kΩ ∆R/R -5  5 % P25   20,0 mW V V V 0,19 K/W K/W °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 3 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate   内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL  2,5  kV  Cu     Al2O3   連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   14,5 13,0  mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal   12,5 10,0  mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex  CTI  > 200  ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule  パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature   min. typ. max. RthCH  0,009 LsCE  20  nH RCC'+EE'  1,30  mΩ Tstg -40  125 °C K/W 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm 質量 Weight  G  345  g preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT-　インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 450 450 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 350 350 300 300 250 250 200 200 150 150 100 100 50 50 0 0,0 0,4 0,8 1,2 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 400 IC [A] IC [A] 400 1,6 2,0 2,4 VCE [V] 2,8 3,2 3,6 0 4,0 伝達特性IGBT-　インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 400 450 スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1.6Ω,RGoff=1.6Ω,VCE=600V 450 60 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 400 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 50 350 40 250 E [mJ] IC [A] 300 200 150 30 20 100 10 50 0 5 6 7 8 9 10 VGE [V] 11 12 13 0 14 preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 5 0 50 100 150 200 250 IC [A] 300 350 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=225A,VCE=600V 過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 80 1 Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 150°C 70 ZthJC : IGBT 60 0,1 ZthJC [K/W] E [mJ] 50 40 30 0,01 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0084 0,0462 0,0448 0,0406 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 10 0 0 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 0,001 0,001 16 逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=1.6Ω,Tvj=150°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 500 450 IC, Modul IC, Chip 450 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 375 400 350 300 IF [A] IC [A] 300 250 225 200 150 150 100 75 50 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.6Ω,VCE=600V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=225A,VCE=600V 40 30 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 35 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 25 30 20 E [mJ] E [mJ] 25 20 15 15 10 10 5 5 0 0 50 100 150 200 250 IF [A] 300 350 400 0 450 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 0 2 4 6 8 RG [Ω] 10 12 14 16 140 160 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 100000 ZthJC : Diode Rtyp 10000 R[Ω] ZthJC [K/W] 0,1 0,01 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0114 0,0627 0,0608 0,0551 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 7 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 8 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF225R12ME4 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。  この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー　リスク　及び　品質の評価 ー　品質契約 ー　アプリケーションの共同評価　 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage  Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CU dateofpublication:2013-11-04 approvedby:MK revision:3.2 9 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FF225R12ME4