テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
EconoDUAL™3モジュールトレンチ/フィールドストップIGBT4andエミッターコントロールHEdiode内蔵and
NTCサーミスタ
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC
VCES = 1200V
IC nom = 225A / ICRM = 450A
一般応用
• モーター駆動
• サーボ駆動
• UPSシステム
• 風力タービン
TypicalApplications
• MotorDrives
• ServoDrives
• UPSSystems
• WindTurbines
電気的特性
• 低VCEsat飽和電圧
• Tvjop=150°C
ElectricalFeatures
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
機械的特性
• 標準ハウジング
MechanicalFeatures
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
225
320
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
450
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
1050
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 225 A, VGE = 15 V
IC = 225 A, VGE = 15 V
IC = 225 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 7,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,85
2,10
2,15
2,15
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
1,55
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
3,3
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
13,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,705
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
3,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
tr
0,04
0,04
0,04
µs
µs
µs
td off
0,38
0,47
0,50
µs
µs
µs
tf
0,07
0,09
0,10
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 225 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5750 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
Eon
6,80
12,5
15,0
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 225 A, VCE = 600 V, LS = 80 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3400 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
17,0
26,5
29,5
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,031
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
900
A
0,14 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
225
A
IFRM
450
A
I²t
10000
8100
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
1,65
2,10
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 225 A, VGE = 0 V
IF = 225 A, VGE = 0 V
IF = 225 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
IRM
300
320
340
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Qr
22,5
43,0
49,5
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 225 A, - diF/dt = 5750 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Erec
12,0
22,0
25,0
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,042
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
0,19 K/W
K/W
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL
2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
14,5
13,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
12,5
10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,009
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
1,30
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
質量
Weight
G
345
g
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
450
450
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
350
350
300
300
250
250
200
200
150
150
100
100
50
50
0
0,0
0,4
0,8
1,2
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
400
IC [A]
IC [A]
400
1,6
2,0 2,4
VCE [V]
2,8
3,2
3,6
0
4,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
400
450
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.6Ω,RGoff=1.6Ω,VCE=600V
450
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
400
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
350
40
250
E [mJ]
IC [A]
300
200
150
30
20
100
10
50
0
5
6
7
8
9
10
VGE [V]
11
12
13
0
14
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
5
0
50
100
150
200 250
IC [A]
300
350
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=225A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
80
1
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
70
ZthJC : IGBT
60
0,1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
50
40
30
0,01
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0084 0,0462 0,0448 0,0406
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
10
0
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
0,001
0,001
16
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.6Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
500
450
IC, Modul
IC, Chip
450
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
375
400
350
300
IF [A]
IC [A]
300
250
225
200
150
150
100
75
50
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
6
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.6Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=225A,VCE=600V
40
30
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
35
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
25
30
20
E [mJ]
E [mJ]
25
20
15
15
10
10
5
5
0
0
50
100
150
200 250
IF [A]
300
350
400
0
450
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
2
4
6
8
RG [Ω]
10
12
14
16
140
160
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
10000
R[Ω]
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0114 0,0627 0,0608 0,0551
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
7
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF225R12ME4
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー 品質契約
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CU
dateofpublication:2013-11-04
approvedby:MK
revision:3.2
9
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Infineon:
FF225R12ME4
工商网监
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