FF23MR12W1M1_B11
EasyDUALModulmitCoolSiC™TrenchMOSFETundPressFIT/NTC
EasyDUALmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFETandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VDSS = 1200V
ID nom = 50A / IDRM = 100A
PotentielleAnwendungen
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen
• DC/DCWandler
• SolarAnwendungen
• USV-Systeme
PotentialApplications
• HighFrequencySwitchingapplication
• DC/DCconverter
• Solarapplications
• UPSsystems
ElektrischeEigenschaften
• HoheStromdichte
• NiederinduktivesDesign
• NiedrigeSchaltverluste
ElectricalFeatures
• Highcurrentdensity
• Lowinductivedesign
• Lowswitchinglosses
MechanischeEigenschaften
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• PressFITVerbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• PressFITcontacttechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V2.2
2018-07-02
FF23MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Spannung
Drain-sourcevoltage
Drain-Gleichstrom
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom
Pulseddraincurrent
Gate-SourceSpannung
Gate-sourcevoltage
Tvj = 175°C, VGS = 15 V
1200
V
ID nom
50
A
ID pulse
100
A
-10 / 20
V
Tvj = 25°C
VDSS
TH = 75°C
verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax
verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax
VGSS
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
Einschaltwiderstand
Drain-sourceonresistance
ID = 50 A
VGS = 15 V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
GesamtGateladung
Totalgatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Ausgangskapazität
Outputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
COSSSpeicherenergie
COSSstoredenergy
Drain-Source-Reststrom
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom
Gate-sourceleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnondelaytime,inductiveload
ID=20,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C
(testedafter1mspulseatVGS=+20V)
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turnoffdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
RDS on
VGS(th)
3,45
typ.
22,5
29,5
33,0
max.
4,50
5,55
mΩ
V
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V
QG
0,124
µC
Tvj = 25°C
RGint
2,0
Ω
Ciss
3,68
nF
Coss
0,22
nF
Crss
0,028
nF
Eoss
88,0
µJ
IDSS
0,20
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
f = 1 MHz, Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Tvj = 25°C
VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
VDS = 1200 V, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
VDS = 0 V
Tvj = 25°C
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGon = 1,00 Ω
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
ID = 50 A, VDS = 600 V
VGS = -5 V / 15 V
RGoff = 1,00 Ω
ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 11,0 kA/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 Ω
ID = 50 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 53,0 kV/µs (Tvj = 150°C)
VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 Ω
VGS = 20 V
VGS = -10 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V
VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt
RG = 10,0 Ω
tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C
proMOSFET/perMOSFET
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
210
400
IGSS
12,0
11,3
8,90
10,0
9,60
9,20
43,5
43,5
43,5
12,0
12,0
12,0
0,49
0,535
0,559
0,094
0,094
0,091
td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff
µA
nA
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ISC
420
410
A
A
RthJH
0,800
K/W
Tvj op
-40
150
°C
BodyDiode/Bodydiode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
BodyDiode-Gleichstrom
DCbodydiodeforwardcurrent
Tvj = 175°C, VGS = -5 V
TH = 75°C
ISD
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Datasheet
min.
ISD = 50 A, VGS = -5 V
ISD = 50 A, VGS = -5 V
ISD = 50 A, VGS = -5 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2
VSD
A
16
typ.
4,60
4,35
4,30
max.
5,65
V
V2.2
2018-07-02
FF23MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
5,00
∆R/R
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
VISOL
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
kV
3,0
min.
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
Lagertemperatur
Storagetemperature
Tstg
-40
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
Gewicht
Weight
G
typ.
max.
9,0
24
nH
125
°C
50
N
g
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.
Datasheet
3
V2.2
2018-07-02
FF23MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SichererRückwärts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA)
ID=f(VDS)
VGS=-5V/15V,Tvj=150°C,RG=1Ω
TransienterWärmewiderstandMOSFET
transientthermalimpedanceMOSFET
ZthJH=f(t)
110
10
Zth: MOSFET
100
ID, Modul
ID, Chip
90
80
1
ZthJH [K/W]
ID [A]
70
60
50
40
0,1
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,047
0,189
0,421 0,143
τi[s]:
0,000497 0,00874 0,0923 0,459
10
0
0
200
400
600
800
VDS [V]
1000
1200
0,01
0,001
1400
AusgangskennlinieMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS)
VGS=15V
1
10
100
Tvj = 25 °C
Tvj = 125 °C
Tvj = 150 °C
90
Tvj = 25°C
90
80
80
70
70
60
60
ID [A]
ID [A]
0,1
t [s]
ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch)
transfercharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VGS)
VDS=20V
100
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
0
0,01
0,0
Datasheet
0,5
1,0
1,5
2,0
VDS [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
4
3
4
5
6
7
8
VGS [V]
9
10
11
12
V2.2
2018-07-02
FF23MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(ID),Eoff=f(ID)
VGS=-5V/15V,RGon=1,0Ω,RGoff=1,0Ω,VDS=600V
SchaltverlusteMOSFET(typisch)
switchinglossesMOSFET(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGS=-5V/15V,ID=50A,VDS=600V
0,8
1,4
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 150°C
0,7
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C; Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 150°C
1,3
1,2
1,1
0,6
1,0
0,9
0,5
E [mJ]
E [mJ]
0,8
0,4
0,7
0,6
0,3
0,5
0,4
0,2
0,3
0,2
0,1
0,1
0,0
0
10
20
30
40
50 60
ID [A]
70
80
90
100
0,0
0
1
2
3
4
5
6
RG [Ω]
7
8
9
10
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
Datasheet
20
40
60
80
100
TNTC [°C]
120
140
160
5
V2.2
2018-07-02
FF23MR12W1M1_B11
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/Circuitdiagram
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
Datasheet
6
V2.2
2018-07-02
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.
Edition2018-07-02
Publishedby
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81726München,Germany
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